ИСТИНА

Кульчицкий Николай Александрович пользователь

кандидат химических наук с 1976 года

доктор технических наук с 1995 года

доцент/с.н.с. по специальности № технология полупроводников и материалов электронной техники с 10 февраля 1988 г.

Прежние места работы (Нажмите для отображения)

Соавторы: Мельников А.А., Несмелов С.Н., Старцев В.В., Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Кульчицкий А.Н., Dvoretsky S.A., VARAVIN V., Воронин Г.Ф., Якушев М.В., Voitsekhovskii A.V., Коханенко А.П., Кульчицкий А.Н. показать полностью..., GYULAI J., KHRYAPOV V.T., LOHNER T., REGEL L.L., Войцеховский А.С., Лозовой К.А., BORI L., GIBER J., Gyuró I., KOLTAI R., Kulchitsky A.N., Lendvay E., POZSGAI I., RANKY M., SOMOGYI K., VARGA L., Абашев Ю.Г., Бунегина С.Л., Горшкова Т.И., Дирочка А.И., Наумов А.В., Наумов А.В., Побойкина Н.В., Сатдаров В.Г.

139 статей, 15 тезисов докладов, 2 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 36, Scopus: 28

IstinaResearcherID (IRID): 7903192

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • 
    • 2021 Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
    • Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A., Kulchitskii N.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
  • • 2021 Детектирование в терагерцевом диапазоне. Часть 1
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В., Демьяненко М.А.
    • в журнале Фотоника, том 15, № 1, с. 52-69
  • • 2021 Метод контроля атомных и молекулярных пучков в молекулярно-лучевой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 23, № 1, с. 47-56
  • • 2021 Нелинейно-оптическая диагностика кристаллической структуры полупроводниковых пленок при молекулярно-лучевой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 44-49
  • • 2021 Современное состояние и перспективы детекторов в терагерцовом диапазоне. Часть 1. Прямое детектирование терагерцового излучения
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В., Демьяненко М.А.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 9, № 1, с. 68-82
  • • 2020 Photonic and Terahertz applications as the next gallium arsenide market driver
    • Kulchitsky Nikolay A., Naumov Arkady V., Startsev Vadim V.
    • в журнале Modern Electronic Materials, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), том 6, № 3, с. 77-84
  • • 2020 Анализ параметров атомных и молекулярных пучков в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 6, с. 41-51
  • • 2020 Матричные фотоприемные устройства ИК‑диапазона: «постпандемические» тенденции развития Часть I
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Фотоника, том 14, № 3, с. 234-244
  • • 2020 Матричные фотоприемные устройства ИК‑диапазона: «постпандемические» тенденции развития Часть II
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Фотоника, том 14, № 4, с. 320-330
  • • 2020 Нанофотоника – новый двигатель арсенида галлия
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 22, № 4, с. 194-200
  • • 2020 Новые тенденции развития рынка приборов на арсениде галлия
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 8, № 2, с. 136-147
  • • 2020 Охлаждаемые фотоприемные устройства ИК‑диапазона на кадмий-ртуть-теллуре: состояние и перспективы развития
    • Кульчицкий Н., Наумов А., Старцев В.
    • в журнале Электроника НТБ, том 196, № 5, с. 1-8
  • • 2020 Тенденции развития матричных фотоприемных устройств ИК диапазона
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 22, № 9, с. 500-510
  • • 2020 Фотоника - новый драйвер GaAs
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Фотоника, том 14, № 2, с. 138-149
  • • 2020 Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), том 23, № 3, с. 167-176
  • • 2020 Электронная томография атомных и молекулярных пучков в молекулярно-лучевой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А., Дирочка А.И.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), № 4, с. 45-51
  • • 2019 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 46-50
  • • 2019 Рынок неохлаждаемых микроболометров для ИК-камер: тенденции и перспективы
    • Кульчицкий Н., Наумов А., Старцев В.
    • в журнале Электроника НТБ, том 182, № 1, с. 1-7
  • • 2019 Селенид цинка в современной опто- и фотоэлектронике (обзор)
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 7, № 4, с. 374-389
  • • 2019 Современное состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур на основе теллуридов кадмия и ртути
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Горн Д.И.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 21, № 12
  • • 2019 Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона
    • Бурлаков И.Д., Кульчицкий Н.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 7, № 6, с. 547-559
  • 
    • 2018 Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg 1– xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a Wide Temperature Range
    • Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N.A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 63, № 9, с. 1112-1118
  • • 2018 Неохлаждаемые микроболометры инфракрасного диапазона – современное состояние и тенденции развития
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 20, № 10, с. 613-624
  • • 2018 Тенденции развития наноструктурных чувствительных элементов неохлаждаемых микроболометров инфракрасного диапазона
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в журнале Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, том 4, № 9, с. 41-47
  • • 2017 Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 5, № 1, с. 55-63
  • • 2017 Арсенид галлия и приборы нано-, микро- и оптоэлектроники на его основе
    • Кульчицкий Н.А., Маянов Е.П., Наумов А.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 19, № 4, с. 207-214
  • • 2017 Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77К
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 19, № 1, с. 3-20
  • • 2016 СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНОГО ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21…0.23) С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ И БЕЗ ТАКИХ СЛОЕВ
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, № 4, с. 39-47
  • 
    • 2015 Modern State of Markets of Seleniumand Selenium Based Compounds том 56, № 4,2015 с. 409-416
    • Kulchitskii N.A., Naumov A.V.
    • в журнале Russian Journal of Non-Ferrous Metals, том 56, № 4, с. 409-416
  • • 2015 Оптические и фотоэлектрические свойства германий-кремниевых наноструктур с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале наноинженерия, № 1, с. 22-29
  • • 2015 Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 31-41
  • • 2015 Современное состояние рынков селена и соединений на его основе
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Известия вузов. Цветная металлургия, № 3, с. 40-48
  • • 2015 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Семенов В.С.
    • в журнале Фотоника, № 6, с. 90-99
  • • 2015 Электрофизические свойства германий-кремниевых наноструктур с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале наноинженерия, № 2, с. 18-24
  • • 2015 Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 9-20
  • • 2014 Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 4, с. 8-14
  • • 2014 Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале наноинженерия, № 6, с. 3-20
  • • 2014 Прозрачные проводящие тонкопленочные покрытия на основе оксидов индия и олова в современных электронных приборах
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 3-13
  • • 2014 Современная солнечная энергетика на основе тонкопленочных CIGS-элементов
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 7, с. 10-17
  • • 2014 Современные методы создания структур с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 10, с. 18-26
  • • 2014 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 19-27
  • • 2014 Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 20-31
  • • 2013 Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале наноинженерия, № 6, с. 21-31
  • • 2013 Микроболометрические детекторы ИК-диапазона на основе поликристаллического SiGe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 12, с. 27-35
  • • 2013 О некоторых особенностях современного состояния тонкопленочной солнечной энергетики
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Плеханов С.И., Каган М.Б.
    • в журнале Автономная энергетика, технический прогресс и экономика, М: Квант, № 31, с. 25-38
  • • 2013 Совpеменные тонкопленочные фотоэлектpические пpеобpазователи
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 4, с. 14-24
  • • 2013 Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 29-37
  • • 2013 Состояние и перспективы тонкопленочных технологий в солнечной энергетике
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Альтернативный киловатт, № 1, с. 1-8
  • • 2013 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8-14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия и ртути
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 10, с. 29-37
  • • 2012 Детектирование в терагерцовом диапазоне
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мальцев П.П., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 28-35
  • • 2012 Детекторы терагерцового диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 7-17
  • • 2012 Кристаллы теллуридов кадмия и цинка и приборы на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 9, с. 21-28
  • • 2012 Лавинные диоды и диоды с барьером Шоттки на основе кремния для фотоприемников видимого и ближнего инфракрасного диапазонов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Оборонная техника, № 4-5, с. 51-57
  • • 2012 Лавинные диоды, диоды с барьером Шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 29-37
  • 
    • 2012 Радиационные эффекты в HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), № 1, с. 82-89
  • • 2012 Типы детекторов терагерцового излучения
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мальцев П.П., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 25-34
  • • 2012 Фотоприемники видимого и ультрафиолетового диапазонов на основе InGaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Оборонная техника, № 4-5, с. 57-62
  • • 2012 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 30-40
  • • 2011 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 8, с. 27-35
  • • 2011 МЭМС детекторы инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., НесмеловС Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 42-49
  • • 2011 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 41-47
  • • 2011 Светоизлучающие гетеpостpуктуpы AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 5, с. 16-23
  • • 2011 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-хZnхTe
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 9-16
  • 
    • 2010 State of Markets of Cadmium, Tellurium and Related Compounds
    • Kulchitskii N.A., Naumov A.V.
    • в журнале Russian Journal of Non-Ferrous Metals, том 51, № 6, с. 500-506
  • • 2010 Блок детектирования рентгеновского и гамма-излучения
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мальцев С.П., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в журнале Оборонная техника, № 12, с. 51-53
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 32-37
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 48-52
  • • 2010 Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мальцев С.П., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в журнале Оборонная техника, № 12, с. 47-51
  • • 2010 Детекторы с квантовыми точками Ge/Si для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 4, с. 39-44
  • • 2010 О современном состоянии рынка селена и его соединений
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Цветная металлургия, № 4, с. 37-44
  • • 2010 Обзор мировых рынков кадмия, теллура и соединений на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Цветная металлургия, № 2, с. 31-44
  • • 2010 Радиационные эффекты в кристаллах теллуридов кадмия- ртути
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 10-17
  • • 2010 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe,
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Материалы Электронной техники, № 2, с. 17-24
  • • 2010 Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 44-50
  • • 2006 Моделирование процессов выращивания кристаллов Cd1-xZnxTe из газовой фазы
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), № 2, с. 80-85
  • 
    • 1985 The growth of GaSb under microgravity conditions
    • Lendvay E., Gyuró I., Gyulai J., Lohner T., Hryapov V.T., Kulchitsky N.A., Regel L.L.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 71, № 3, с. 538-550
  • 
    • 1984 CRYSTAL-GROWTH OF GASB UNDER MICROGRAVITY CONDITIONS
    • GYURO I., LENDVAY E., GOROG T., HARSY M., POZSGAI I., SOMOGYI K., KOLTAI R., LOHNER T., GYULAI J., RANKY M., VARGA L., GIBER J., BORI L., REGEL L.L., KULCHITSKIY N.A., KHRYAPOV V.T.
    • в журнале Acta Astronautica, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 11, № 7-8, с. 361-368
  • 
    • 1977 ABSORPTION OF CESIUM AND RUBIDIUM VAPORS BY METAL-SURFACES IN VACUUM 1977, v.51, #1, p.147-150
    • VORONIN G.F., KULCHITSKII N.A., ABASHEV Y.G.
    • в журнале Russian Journal of Physical Chemistry A, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 51, № 1, с. 147-151
  • 
    • 1977 Directivity diagrams of molecular-beams - molecular effusion of cesium in presence of chemical-reaction on channel walls
    • Voronin G.F., Kulchitskii N.A.
    • в журнале Russian Journal of Physical Chemistry A, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 51, № 12, с. 3089-3092
  • 
    • 1977 Directivity diagrams of molecular-beams .4. experimental results for rectangular effusion channels
    • Kulchitskii N.A., Voronin G.F.
    • в журнале Russian Journal of Physical Chemistry A, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 51, № 12, с. 3072-3075
  • 
    • 1974 MEASUREMENT OF SUPER-LOW VAPOR-PRESSURES OF ALKALI ELEMENTS DURING STUDY OF THERMODYNAMIC PROPERTIES OF ALLOYS
    • VORONIN GF, GORSHKOVA TI, KULCHITSKI NA, MUKHAMEDZHANOVA NM
    • в журнале Russian Journal of Physical Chemistry A, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 48, № 12, с. 2944-2946

• Статьи в сборниках

  • • 2019 Развитие рынка неохлаждаемых микроболометров в мире и России
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в сборнике Сборник научных трудов VII международной конференции «Фотоника и информационная оптика", издательство НИЯУ МИФИ (Москва), с. 393-394
  • • 2018 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 401-405
  • • 2018 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 398-401
  • • 2018 Современное состояние и тенденции рынка микроболометров
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в сборнике XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Труды конференции, том 2, с. 363-366
  • • 2018 Современное состояние и тенденции рынка неохлаждаемых микроболометров
    • Kульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в сборнике Технология защиты, издательство МИИ (Москва), том 2, с. 55-57
  • • 2018 Современное состояние и тенденции рынка неохлаждаемых микроболометров
    • Kульчицкий Н.А., Наумов А.В., Старцев В.В.
    • в сборнике Технология защиты, издательство МИИ (Москва), том 2, с. 55-57
  • • 2017 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МВЕ HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), с. 380-381
  • • 2017 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МВЕ HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, место издания НИЯУ МИФИ М, с. 380-381
  • • 2017 МДП-структуры на основе варизонного МВЕ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике, место издания НИЯУ МИФИ М.,, с. 378-379
  • • 2017 МДП-структуры на основе варизонного МВЕ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, место издания НИЯУ МИФИ М, с. 378-379
  • • 2016 Инфракрасные МЭМС микроболометры
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 426-430
  • • 2016 Инфракрасные МЭМС микроболометры,
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 426-430
  • • 2016 Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов
    • Войцеховский А.С., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 422-426
  • • 2016 Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов
    • Войцеховский А.С., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 422-426
  • • 2015 Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 243-248
  • • 2015 Анализ рынка прозрачных проводящих тонкопленочных покрытий на основе оксидов индия и олова
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 253-258
  • • 2015 Прозрачные проводящие покрытия в электронике
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 248-252
  • • 2015 Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 238-242
  • • 2014 Полупроводниковые неохлаждаемые детекторы ионизирующих излучений на основе кристаллов твердых растворов теллуридов цинка и кадмия
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания ОАО "НПО "ОРИОН" Москва, с. 584-587
  • • 2014 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания ОАО "НПО "ОРИОН" Москва, с. 348-351
  • • 2013 Modern devices on cadmium and zinc tellurides
    • Kulchitskiy N.A., Melnikov A.A.
    • в сборнике Functional materials 2013. Abstracts of International Conference «Functional materials ICFM-2013", место издания Simferopol, с. 354-354
  • • 2013 Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов /
    • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 222-227
  • • 2013 Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 185-188
  • • 2013 Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., НесмеловС Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 184-187
  • • 2013 Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 188-196
  • • 2013 Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 204-211
  • • 2013 Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe Под ред
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., НесмеловС Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 188-191
  • • 2013 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 212-221
  • • 2012 Блок детектирования рентгеновского и гамма – излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 263-265
  • • 2012 Детекторы рентгеновского и гамма – излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 261-263
  • • 2012 Детекторы терагерцового излучения
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 71-81
  • • 2012 Кристаллы теллуридов кадмия и цинка и приборы на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) / Материалы XVIII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 56-64
  • • 2012 Особенности детектирования в терагерцовом диапазоне
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) / Материалы XVIII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 82-90
  • • 2012 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-хZnхTe и приборов на их основе. Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Бунегина С.Л., Крапухин Д.В., Побойкина Н.В.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 180-182
  • • 2011 Анализ параметров атомных и молекулярных пучков в установках молекулярно- пучковой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Материалы XVIII научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника", место издания Крым, Судак, с. 285-287
  • • 2011 Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов
    • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно – технической конференции «INTERMATIC –2011», место издания МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, Москва, том 1, с. 143-148
  • • 2011 Инфракрасные детекторы на основе микроэлектро-механических систем
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники). Материалы XVII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, с. 86-94
  • • 2011 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)/ Материалы XVII Международной конференции,, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, с. 95-103
  • • 2011 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоугового рассеяния электронов
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Материалы XVIII научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника", место издания Крым, Судак, с. 281-284
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России. Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники»,, место издания ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 191-196
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России. Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники»,, место издания ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 185-190
  • • 2008 Монокристаллы твердых растворов Cd1-xZnxTe для детекторов ионизирующих излучений,
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А.
    • в сборнике Труды XX международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 264
  • • 2008 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоуглового рассеяния электронов в молекулярно-пучковой эпитаксии,
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды XX международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 266
  • • 2008 Радиационные эффекты в КРТ
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2008», 25-27 сентября 2008г. Томск, издательство ТГУ (Томск), с. 157
  • • 2008 Спектрометрические характеристики неохлаждаемых полупроводниковых детекторов на основе монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxTe,
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А.
    • в сборнике Труды XX международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 265
  • • 2007 Анализ параметров атомных и молекулярных пучков в установках молекулярно-пучковой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC - 2007), место издания Москва, МИРЭА, том 1, с. 209-212
  • • 2007 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоуглового рассеяния электронов в молекулярно-пучковой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников А.А.
    • в сборнике Материалы Международной научно-технической конференции “Фундаментальные проблемы радиоэлектрон-ного приборостроения” (“INTERMATIC – 2007”), место издания Москва, МИРЭА, с. 204-208
  • • 2007 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоуглового рассеяния электронов в молекулярно-пучковой эпитаксии. ния» (INTERMATIC
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC - 2007), место издания Москва, МИРЭА, том 1, с. 204-208
  • • 2006 Mathematical modelling of the processes of crystal growth in CdZnTe by physical transport in inert gas
    • Melnikov A.A., Kulchitsky N.A., Kulchitsky A.N.
    • в сборнике Proc. SPIE, том 5834, с. 289-293
  • • 2006 The analysis of threshold characteristics GeSi/Si heterojunction detectors in a spectral range 8-12μm
    • Voitsekhovsky A.V., Nesmelov S.N., Kulchitsky N.A., Kulchitsky A.N., Melnikov A.A.
    • в сборнике 19-th International conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, место издания Moscow, с. 180-180
  • • 2006 Монокристаллы твердых растворов Cd1-xZnxTe для детекторов ионизирующих излучений
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Материалы третьей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века»,, место издания Черноголовка, с. 281-282
  • • 2006 Монокристаллы твердых растворов теллуридов кадмия и цинка для детекторов ионизирующих излучений
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие Технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)», место издания ОАО ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 359-362
  • • 2006 Неохлаждаемые полупроводниковые детекторы на основе твердых растворов теллуридов кадмия и цинка
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников О.А.
    • в сборнике Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие Технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)», место издания ОАО ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 369-372
  • • 2006 Спектрометрические характеристики неохлаждаемых полупроводниковых детекторов
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников О.А.
    • в сборнике Материалы третьей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века»,, место издания Черноголовка, с. 283-284
  • • 2005 Монокристаллы CdZnTe для детекторов ионизирующих излучений
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Материалы IV Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC - 2005), место издания М. МИРЭА, том 3, с. 151-154
  • • 2005 Спектрометрические и дозиметрические характеристики неохлаждаемых полупроводниковых детекторов на основе CdZnTe
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников О.А.
    • в сборнике Материалы IV Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC - 2005), место издания М. МИРЭА, том 3, с. 158-161
  • • 2005 Устройство для регистрации рентгеновского и гамма излучения с неохлаждаемым полупроводниковым детектором на основе CdZnTe
    • Мельников А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников О.А.
    • в сборнике Материалы IV Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC - 2005), место издания М. МИРЭА, том 3, с. 155-158
  • • 1999 CARRIERS LIFETIME IN HG1-XCDXTE GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • Voitsekhovskii A.V., Denisov Yu A., Kokhanenko A.P., Kulchitskii N.A.
    • в сборнике Proceedings of the 1998 International Conference on Solid State Crystals, ICSSC'98 : Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, место издания State Committee Science Res., SPIE, Technical University Lodz, Committee of Crystallography, Polish Society for Crystal Growth Zakopane, POL, с. 286-290

• Тезисы докладов

  • • 2013 Uncooled X-ray and gamma radiation detectors on CdZnTe crystals
    • Kulchitskiy A.N., Kulchitskiy N.A., Melnikov A.A., Melnikov O.A.
    • в сборнике Functional materials 2013. Abstracts of International Conference «Functional materials ICFM-2013", место издания Simferopol, тезисы, с. 355-355
  • • 2013 Кристаллы Cd1-xZnxTe для неохлаждаемых ядерных детекторов
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века, место издания Москва, тезисы, с. 135-135
  • • 2013 Современные приборы на основе теллуридов кадмия и цинка. Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века, место издания Москва, тезисы, с. 136-136
  • • 2012 Моделирование процессов выращивания из паровой фазы монокристаллов твердых растворов Cd 1-xZnxTe методом физического транспорта
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Труды VII Международная научно-технической конференции "Вакуумная техника, материалы и технология", место издания Москва, тезисы, с. 182-187
  • • 2012 Моделирование процессов выращивания из паровой фазы монокристаллов твердых растворов Cd 1-xZnxTe методом химического переноса
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Труды VII Международная научно-технической конференции "Вакуумная техника, материалы и технология", место издания Москва, тезисы, с. 178-182
  • • 2011 Current state of the production CdTe, ZnTe, CdZnTe and devices from these materials
    • Kulchitsky N.A., Meinikov A.A.
    • в сборнике Abstracts of International Conference “Functional Materials” ICFM-2011, место издания Симферополь, тезисы, с. 358-358
  • • 2011 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов 2-ой международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике, место издания Зеленоград, тезисы, с. 190
  • • 2011 Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов 2-ой международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике, место издания Зеленоград, тезисы, с. 189
  • • 2010 Неохлаждаемые детекторы ионизирующих излучений на монокристаллах Cd1-xZnxTe
    • Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 164
  • • 2010 Перспективы рынка германия
    • Витков В.С., Кульчицкий Н.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 165
  • • 2010 Поликристаллический CVD ZnSe для ИК оптики
    • Витков В.С., Кульчицкий Н.А., Сокольский В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 166
  • • 2009 Модернизация производства германия и продукции высоких степеней его переработки»
    • Витков В.С., Кульчицкий Н.А.
    • в сборнике II Международный форум по нанотехнологиям, место издания Москва, тезисы, с. 68
  • • 2008 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоуглового рассеяния электронов в молекулярно-пучковой эпитаксии,
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике XIII национальная конференция по росту кристаллов, место издания Москва, тезисы, с. 40
  • • 2006 Монокристаллы твердых растворов Cd1-xZnxTe для детекторов ионизирующих излучений
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2006), Москва, 23-27 октября 2006 г, место издания Наука Москва, тезисы, с. 303
  • • 2006 Спектрометрические характеристики неохлаждаемых полупроводниковых детекторов на основе монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxTe
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников О.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2006), Москва, 23-27 октября 2006 г, место издания Наука Москва, тезисы, с. 304

• НИРы

  • • 1 января 2016 - 31 декабря 2020 Химическая термодинамика
    • Кафедра физической химии
    • Руководители: Воронин Г.Ф., Успенская И.А. Ответственные исполнители: Куценок И.Б., Успенская И.А. Участники НИР: Авраменко Н.В., Архипин А.С., Бабкина Т.С., Белов Г.В., Белова Е.В., Богданов В.П., Борщевский А.Я., Броцман В.А., Быков М.А., Васильев В.П., Восков А.Л., Высочанская О.Н., Газизов Р.Р., Горбачев А.В., Горюнков А.А., Дзубан А.В., Дмитриева В.А., Дорожкин Е.И., Дружинина А.И., Игнатьева Д.В., Ильин Д.Ю., Иоутси В.А., Иоффе И.Н., Калинюк (Косова) Д.А., Коваленко Н.А., Козин Н.Ю., Константинова Н.М., Коробов М.В., Косая М.П., Кудрявцев Д.Н., Кульчицкий Н.А., Курдакова С.В., Куценок И.Б., Луконина Н.С., Лукьянова В.А., Лысенко В.А., Мазалева О.Н., Максимов А.И., Малютин А.С., Мамонтов М.Н., Марков В.Ю., Моисеев А.Е., Монаенкова А.С., Нестеров А.В., Николаева Л.С., Новиков А.А., Пащенко Л.Л., Перевощиков А.В., Пименова С.М., Пыхова А.Д., Романова Н.А., Рыбальченко А.В., Семивражская О.О., Сидоров Л.Н., Скокан Е.В., Согомонян К.А., Соловьева В.А., Сударькова С.М., Тамм Н.Б., Тифлова Л.А., Троянов С.И., Хаврель П.А., Хиневич В.Э., Человская Н.В., Чилингаров Н.С.
  • • 1 января 2011 - 31 декабря 2015 Химическая термодинамика
    • Кафедра физической химии
    • Руководитель: Воронин Г.Ф. Участники НИР: Авраменко Н.В., Апенова М.Г., Бабкина Т.С., Белов Г.В., Борщевский А.Я., Броцман В.А., Быков М.А., Варущенко Р.М., Восков А.Л., Горюнков А.А., Дзубан А.В., Дорожкин Е.И., Дружинина А.И., Игнатьева Д.В., Иоутси В.А., Иоффе И.Н., Коваленко Н.А., Коробов М.В., Кульчицкий Н.А., Курдакова С.В., Куценок И.Б., Луконина Н.С., Лукьянова В.А., Майорова А.Ф., Мамонтов М.Н., Марков В.Ю., Минаева И.И., Монаенкова А.С., Мудрецова С.Н., Николаева Л.С., Пащенко Л.Л., Пименова С.М., Романова Н.А., Рыбальченко А.В., Семивражская О.О., Сидоров Л.Н., Скокан Е.В., Тамм Н.Б., Тифлова Л.А., Троянов С.И., Успенская И.А., Хаврель П.А., Чилингаров Н.С.

• Диссертация

  • • 1976 Исследование процессов формирования атомных пучков цкзия и их взаимодействие с металлическими поверхностями в вакууме
    • Кандидатская диссертация по специальности 02.00.04 - Физическая химия (хим. науки)
    • Автор: Кульчицкий Николай Александрович, д.т.н., доц.
    • Научный руководитель: Воронин Г.Ф., д.х.н., проф.
    • Защищена в совете К-13/57 при Совет №3 по химическим наукам при МГУ им. М.В.Ломоносова

---