Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
отправить сообщение
открыть новую версию профиля
Ормонт Наталия Николаевна
пользователь
ответственный
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, старший научный сотрудник, с 13 февраля 1964
кандидат физико-математических наук с 1975 года
доцент/с.н.с. по специальности № 01.04.10 с 27 февраля 1997 г.
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, ответственный по системе
Соавторы:
Курова И.А.
,
Звягин И.П.
,
Мелешко Н.В.
,
Казанский А.Г.
,
Лупачева А.Н.
,
Громадин А.Л.
,
Вавилов В.С.
,
Нальгиева М.А.
,
Остробородова В.В.
,
Читая К.Б.
,
Голикова О.А.
,
Аносов И.В.
,
Подругина В.Д.
показать полностью...
,
Казанин М.М.
,
Коробов О.Е.
,
Ларина Э.В.
,
Матохин В.В.
,
Прокофьев Г.В.
,
Трапезникова И.Н.
,
Авакянц Л.П.
,
Афанасьев В.П.
,
Бесфамильная В.А.
,
Гудовских А.С.
,
Иванов Л.П.
,
Иоффе П.А.
,
Логгинов А.С.
,
Мирошник О.Н.
,
Петров Ю.В.
,
Сенашенко Д.В.
,
Соловьев В.И.
,
Теруков Е.И.
,
Фуксина С.А.
,
Afanas’ev V.P.
,
Cabarrocas P.R.
,
Gudovskikh A.S.
,
KUROVA IA; OSTROBORODOVA V.V.
,
Kudojarova V.K.
,
Kudoyarova V.K.
,
Kuznetsov A.N.
,
Larina E.´.
,
Nal’gieva M.A.
,
OMELYANOVSKII E.M.
,
Terukov E.I.
,
and Senashenko D.V.
,
Ананьин О.Б.
,
Багателия Р.З.
,
Быковский Ю.А.
,
Идалбаев А.М.
,
Кудоярова В.Х.
,
Омельяновский Э.М.
,
Чистяков А.А.
115 статей
,
55 докладов на конференциях
,
54 тезисов докладов
,
1 НИР
,
4 научного отчёта
,
1 диссертация
,
23 дипломные работы
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 117, Scopus: 43
IstinaResearcherID (IRID): 1062095
Деятельность
Статьи в журналах
2020
Modification of the Photoelectric Properties of Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Films under Preliminary Illumination at Elevated Temperatures
Ormnt N.N.
,
Kurova I.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 437-440
DOI
2020
Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 54, № 4, с. 367-370
DOI
2017
Modification of the Thermal Relaxation Kinetics of the Photoinduced (at T=425 K) Metastable Dark Conductivity of a-Si:H Films by Weak Illumination during the Initial Stage of Relaxation
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 4, с. 417-419
DOI
2017
Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при Т=425 К метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 51, № 4, с. 440-442
2015
Light-Induced Relaxation of the Metastable Conductivityof Undoped a-Si:H Films Illuminated at Elevated Temperatures
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 5, с. 590-592
DOI
2015
Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок a-Si:H, освещенных при повышенных температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 49, № 5, с. 603-605
DOI
2013
On the Photoinduced Effect in Undoped a-Si:H Films
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 6, с. 767-770
DOI
2013
О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 47, № 6, с. 757-760
DOI
2012
Specific Features of Recombination in Layered a-Si:H Films
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 46, № 3, с. 315-318
DOI
2012
Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 46, № 3, с. 330-333
DOI
2011
On the Essence of High Photosensitivity of a-Si:H Layered Films
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Russian Microelectronics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 40, № 8, с. 616-619
DOI
2011
О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 3, с. 59-62
2010
"О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si:H"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Материалы Электронной техники
, № 3, с. 45-48
DOI
2010
Specific Features of Photoelectric Properties of Layered Films of Amorphous Hydrogenated Silicon
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 44, № 12, с. 1576-1580
DOI
2010
Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 44, № 12, с. 1624-1628
DOI
2009
"Влияние освещения на темновую проводимость и фотопроводимость слоистых пленок аморфного гидрированного кремния"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 5, с. 51-55
DOI
2009
"Особенности фотоиндуцированной релаксации метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 1, с. 56-59
DOI
2008
"Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si9:H"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 42, № 4, с. 447-450
DOI
2008
"Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 4, с. 28-31
2007
Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Иоффе П.А.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 4, с. 15-18
2006
Hopping epsilon(2) conductivity of boron-doped a-Si : H films annealed in hydrogen at high temperature
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Nal’gieva M.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 1, с. 108-112
DOI
2006
Прыжковая e2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 40, № 1, с. 112-116
DOI
2005
Photoinduced Relaxation of Metastable States in a-Si:H(B)
Ormont N.N.
,
Kurova I.A.
,
Prokof'ev G.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 8, с. 924-927
2005
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H(B)
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Прокофьев Г.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 39, № 8, с. 960-963
DOI
2005
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок а-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 4, с. 54-57
2004
Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, № 1, с. 101-104
2003
Effect of Illumination on the Rate of Relaxation of Light-Induced Metastable States in a-Si:H(B)
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Gromadin A.L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 6, с. 753-755
2003
Photoinduced Annealing of Metastable Defects in Boron-Doped a-Si:H Films
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Gromadin A.L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 131-133
2003
Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(B)
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 37, № 6, с. 753-755
DOI
2003
Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 37, № 2, с. 142-144
DOI
2003
Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P)
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 4, с. 16-18
2002
Влияние подсветки на изотермическую релаксацию фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, слабо легированных бором
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 3, с. 67-70
2001
Electrical and Photoelectric Properties of a-Si:H Layered Films: The Influence of Thermal Annealing
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Terukov E.I.
,
Trapeznikova I.N.
,
Afanas’ev V.P.
,
Gudovskikh A.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 35, № 3, с. 353-356
2001
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
, Громадин А.Л.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 4, с. 59-62
2001
Особенности эффекта Стеблера-Вронского при повышенных температурах в высокоомных нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 42, № 4, с. 62-65
2001
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Теруков Е.И.
,
Трапезникова И.Н.
,
Афанасьев В.П.
,
Гудовских А.С.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 35, № 3, с. 367-370
DOI
2000
Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
Курова И.А.
,
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 34, № 3, с. 364-368
DOI
1999
Аномальная кинетика эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 1, с. 67-69
1998
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 227, с. 306-310
1998
Relaxation of photoinduced metastable states in a-Si:H films deposited at high temperatures Kurova I
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Golikova O.A.
,
Kazanin M.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 32, № 10, с. 1134-1136
1998
О природе немонотонной кинетики изменения проводимости пленок a-Si:H под влиянием освещения при повышенной температуре
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 2, с. 73-74
1998
Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Голикова О.А.
,
Казанин М.М.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 32, № 10, с. 1269-1271
DOI
1997
Light-induced processes in a-Si:H films at elevated temperatures
Kurova I.A.
,
Larina E.´.V
,
Ormont N.N.
,
and Senashenko D.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 12, с. 1257-1260
1997
On the relaxational characteristics and stability of a-Si:H films grown at high temperatures
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Golikova O.A.
,
Kudoyarova V.Kh
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 31, № 5, с. 452-454
1997
О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Голикова О.А.
,
Кудоярова В.Х.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 31, с. 536-538
DOI
1997
Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si:H при повышенных температурах
Курова И.А.
,
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Сенашенко Д.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 31, № 12, с. 1455-1459
DOI
1997
Фотоиндуцированные эффекты в пленках a-Si:H при повышенных температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Сенашенко Д.В.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 2, с. 28-30
1996
Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-Si:H films containing boron and fluorine
Kurova I.A.
,
Miroshnik O.N.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 4, с. 391-392
1996
Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор
Курова И.А.
,
Мирошник О.Н.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 31, № 4, с. 727-729
1994
ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
KUROVA I.A.
,
LUPACHEVA A.N.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
AVAKYANZ L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 1, с. 72-74
1994
Электрические свойства пленок a-Si:H(B), облученных мощными световыми импульсами
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 28, № 1, с. 120-124
1993
NATURE OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 942-945
1993
On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H films
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 164, № 1, с. 631-634
DOI
1993
О природе фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 27, № 10, с. 1707-1712
1991
THE INFLUENCE OF PRE-ILLUMINATION ON THE PROCESS OF PHOTOINDUCED DANGLING BOND FORMATION IN A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1991
Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10 , с. 1078-1080
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10, с. 1078-1080
1990
SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 11, с. 1238-1240
1990
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 24, № 11, с. 1992-1994
1990
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 24, № 10, с. 1726-1731
1989
KINETICS OF THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN UNDOPED A-SI-H FILMS
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
LUPACHEVA A.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 23, № 11, с. 1255-1257
1989
Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 23, № 11, с. 2030-2033
1988
ON THE NATURE OF TEMPERATURE QUENCHING OF THE PHOTOCONDUCTIVITY IN A-SI-H
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
KOROBOV O.E.
,
LUPACHEVA A.N.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 29, № 3, с. 97-1988
1988
О природе температурного гашения фотопроводимости в a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Коробов О.Е.
,
Лупачева А.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 29, № 3, с. 97-99
1987
KINETICS OF FORMATION OF BROKEN BONDS IN A-SI-H FILMS
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
CHITAYA K.B.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 4 , с. 428-430
1987
RECOMBINATION IN DOPED FILMS FROM HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
CHITAYA K.B.
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA
, том 30, № 6, с. 7-17
1987
О кинетике образования оборванных связей в пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Читая К.Б.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 21, № 4, с. 700-702
1987
Особенности процессов рекомбинации в легированных пленках гидрированного аморфного кремния
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Читая К.Б.
в журнале
Известия вузов СССР, Физика
, № 6, с. 7-17
1986
THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN DOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
JETP Letters
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 43, № 11, с. 684-687
1986
Температурное гашение фотопроводимости в легированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
, том 43, № 11, с. 528-530
1985
EFFECT OF PRELIMINARY ILLUMINATION ON THE CONDUCTIVITY OF THE UNDOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
PODRUGINA V.D.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 5, с. 85-88
1985
INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE PRESENCE OF ADDITIONAL INTERBAND ILLUMINATION
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
OMELYANOVSKII E.M.
,
FUKSINA S.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 1, с. 25-27
1985
THE INFLUENCE OF STATIC ELECTRIC-FIELDS ON THE PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF A-SI-H
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 1 , с. 97-99
1985
THE THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY OF UNDOPED A-SI-H FILMS
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
PODRUGINA V.D.
,
CHITAYA K.B.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 3, с. 96-98
1985
Влияние предварительного освещения на проводимость нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Подругина В.Д.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 5, с. 86-88
1985
Влияние электрического поля на фотоэлектрические свойства a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 1, с. 97-99
1985
ИК фотопроводимость a-Si:H в условиях собственной подсветки
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Омельяновский Э.М.
,
Фуксина С.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 19, № 1, с. 44-47
1985
О температурном гашении фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Подругина В.Д.
,
Читая К.Б.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 26, № 3, с. 96-98
1983
INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF A-SI-H
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
KAZANSKII A.G.
,
VAVILOV V.S.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 8, с. 971-972
1983
PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE INFRARED RANGE
VAVILOV V.S.
,
KAZANSKII A.G.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR Volume: 17 Issue: 7 Pages: 829-830 Published: 1983
, том 17, № 7, с. 829-830
1983
PHOTOCONDUCTIVITY OF N-TYPE GERMANIUM WITH REPULSIVE IMPURITYCENTERS AT PHOTON ENERGIES LESS THAN THE THERMAL IONIZATION-ENERGY
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 3, с. 346-347
1983
О фотопроводимости a-Si:H в ИК области спектра
Вавилов В.С.
, Казанский А.Г.,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 17, № 7, с. 1311-1313
1983
Спектральные зависимости фотопроводимости a-Si:H в ИК области спектра
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
, Казанский А.Г.,
Вавилов В.С.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 17, № 8, с. 1526-1528
1983
Фотопроводимость n-германия с "отталкивающими" примесными центрами при энергии кванта света, меньшей их термической энергии ионизации
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 17, № 3, с. 549-551
1982
OSCILLATIONS IN THE IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF COMPENSATED N-TYPE GE-AU-SB
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 5, с. 581-582
1982
Об осцилляциях в спектрах примесной фотопроводимости компенсированного n-Ge(Au,Sb
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 16, № 5, с. 905-908
1981
PHOTOCONDUCTIVITY OF GOLD-DOPED N-TYPE GERMANIUM AT PHOTON ENERGIES LESS THAN THE IMPURITY IONIZATION-ENERGY
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 15, № 11, с. 1325-1326
1981
О фотопроводимости n-германия, легированного золотом, при энергиях квантов, меньших энергии ионизации примеси
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 15, № 11, с. 2280-2282
1978
IR Luminescence of Acoustoelectric Domains in n-GaAs
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Physica status solidi (A): Applied research
, издательство
Academic Press
(United States)
, том 45, № 1, с. 333-342
DOI
1977
SOME INVESTIGATIONS OF INFRARED LUMINESCENCE EMITTED BY TRAVELING ACOUSTOELECTRIC DOMAINS
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 7, с. 805-807
1977
О некоторых исследованиях ИК излучения из бегущих акустоэлектрических доменов в GaAs
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 11, № 7, с. 1371-1375
1976
SOME RELATIONSHIPS GOVERNING EMISSION OF IR LUMINESCENCE FROM ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN N-TYPE GAAS
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 10, № 10, с. 1174-1176
1976
О некоторых закономерностях ИК излучения из акустоэлектрических доменов в GaAs
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 10, № 10, с. 1968-1971
1975
INFRARED LUMINESCENCE EMITTED FROM STATIC ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN GAAS AT 77 DEGREESK
KUROVA I.A.
,
MATOKHIN V.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 11, с. 1473-1474
1975
INVESTIGATION OF SPACE-TIME DISTRIBUTION OF INFRARED LUMINESCENCE EMITTED FROM GAAS UNDER ACOUSTOELECTRIC INSTABILITY CONDITIONS
IVANOV L.P.
,
KUROVA I.A.
,
LOGGINOV A.S.
,
ORMONT N.N.
,
SOLOV'EV V.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 9, № 7, с. 916-918
1975
Исследование пространственно-временного ИК излучения из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
Иванов Л.П.
,
Курова И.А.
,
Логгинов А.С.
,
Ормонт Н.Н.
,
Соловьев В.И.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 9, № 7, с. 1393-1396
1974
SOME INVESTIGATIONS OF ACOUSTOELECTRIC INSTABILITY IN GAAS AT 77 DEGREE K
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 7, № 10 , с. 1373-1374
1974
ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при 77К
Курова И.А.
,
Матохин В.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 8, № 11, с. 2258-2261
1973
О некоторых исследованиях акустоэлектрической неустойчивости в GaAs при 77К
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 7, № 10, с. 2051-2052
1972
SOME ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN GAAS
ANOSOV I.V.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 6, № 4, с. 541
1972
О некоторых электрических и оптических свойствах акусто-электрических доменв в GaAs
Аносов И.В.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 6, № 4, с. 625-631
1969
CURRENT OSCILLATIONS CONNECTED WITH ACOUSTOELECTRIC EFFECT IN GAAS
VAVILOV V.S.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
Petrov Y.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 3, № 2, с. 212
1969
Колебания тока в GaAs, связанные с акусто-электрическим эффектом
Вавилов В.С.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Петров Ю.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 3, № 2, с. 258-263
1967
IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF P-TYPE GERMANIUM WITH GA,HG,AU, AND NI IMPURITIES
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
OSTROBORODOVA V.V.
в журнале
Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics
, том 24, № 2, с. 268
1967
IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF SILICON AT LOW TEMPERATURES
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 8, № 9, с. 2264
1967
On the Nature of Oscillations in Impurity Photoconductivity Spectra of Ge
Besfamilnaya V.A., Elesin V.F.,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Ostroborodova V.V.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 24, № 2, с. 757-762
DOI
1966
О спектрах примесной фотопроводимости германия p-типа с примесями Ga, Hg, Au и Ni при низких температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Остробородова В.В.
в журнале
Журнал экспериментальной и теоретической физики
, том 51, № 2, с. 401-405
1966
О спектрах примесной фотопроводимости кремния при низких температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 81, с. 2824-2826
1965
IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF GOLD-DOPED GERMANIUM AT LOW TEMPERATURES
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 6, № 12, с. 2970
1965
LOW-TEMPERATURE VOLTAGE SENSITIVITY OF GOLD-DOPED P-TYPE GERMANIUM
KUROVA IA; OSTROBORODOVA V.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 7, № 3, с. 755
1965
OSCILLATIONS IN IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF GERMANIUM
BESFAMIL V.A.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
OSTROBOR V.V.
в журнале
Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics
, том 21, № 6, с. 1065
1965
Вольтовая чувствительность германия p-типа с золотом при низких температурах
Курова И.А.
,
Остробородова В.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 7, с. 940-941
1965
Об осцилляциях в спектрах примесной фотопроводимости германия
Бесфамильная В.А.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Остробородова В.В.
в журнале
Журнал экспериментальной и теоретической физики
, том 48, № 6, с. 1588-1593
1964
О спектрах примесной проводимости германия, легированного золотом, при низких температурах
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 6, с. 3708-3710
Доклады на конференциях
2019
Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H
(Стендовый)
Авторы:
Курва И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск
, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
2018
Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатных
(Стендовый)
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
2017
Аномальный эффект Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
(Стендовый)
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XIII Российская конференция по физике полупроводников
, Екатеринбург, Россия, 1-6 октября 2017
2016
Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H.
(Стендовый)
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
10 Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, Санкт-Пеербург, ФТИ им. а.ф. Иоффе, Россия, 4-7 июля 2016
2015
Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400K
(Стендовый)
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XII Российская конференция по физике полупроводников
, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
2014
Фотоиндуцированная релаксация проводимости нелегированных пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140С
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
IX Международная конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»
, Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Россия, 2014
2013
О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
XI Российская конференция по физике полупроводников
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
2012
О фотоиндуцированных эффектах в пленках аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VIII Международная коференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2012
2012
Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатных
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых "Кремний-2012"
, г. Санкт-Петербург, Санкт-петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Россия, 2012
2011
Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VIII Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний-2011"
, г. Москва, Россия, 2011
2010
Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, Санкт-Петербург, Россия, 2010
2010
О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VII Международная конференция "Кремний-2010"
, г. Нижний Новгород, 2010
2009
Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
IX Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2009"
, Новосибирск-Томск, 2009
2008
Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
V Международная конференция «Кремний’08» и IV школа молодых ученых и специалистов.
, г. Черноголовка, ИПТМ РАН, 2008
2007
Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
Авторы:
Курова И.А.
,
Иоффе П.А.
,
Ормонт Н.Н.
IV Международная конференция "Кремний-2007"
, Москва, Московский институт стали и сплавов, Россия, 2007
2007
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VIII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2007".
, г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, 2007
2006
Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
V Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2006
2005
Влияние высокотемпературного отжига в потоке водорода на свойства пленок a-Si:H.
Авторы:
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
III Российскя школа ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»).
, г. Москва, МИСиС, Россия, 2005
2005
Прыжковая -проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2005"
, г. Москва (Звенигород), Россия, 2005
2005
Электрические свойства легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в потоке водорода.
Авторы:
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
Ломоносовские чтения - 2005
, г. Москва, МГУ, Россия, 2005
2004
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H.
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Прокофьев Г.В.
IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2004
2004
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Авторы:
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2004
2003
Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste
, 2003
2003
Прыжковая проводимость в аморфном гидрированном кремнии
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003"
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
2003
Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P)
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»).
, Москва, МИСиС, Россия, 2003
2002
О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H.
Авторы:
Курова И.А.
,
Громадин А.Л.
,
Ормонт Н.Н.
III Международная конференция “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2002
2001
Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Звягин И.П.
V Российская конференция по физике полупроводников.
, г. Нижний Новгород, 2001
2001
Получение высокоомных тонких пленок a-Si:H при слабом легировании бором и особенности их фотоэлектрических свойств
Авторы:
Курова И.А.
,
Громадин А.Л.
,
Ормонт Н.Н.
IV Международная конференция “Рост монокристаллов и тепломассоперенос” ICSC-01
, г. Обнинск. Электронный адрес: www.icsc.narod.ru, 2001
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
II Международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”
, г. Саратов, 2000
2000
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором.
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
, Москва, Россия, 2000
2000
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H.
Авторы:
Афанасьев В.П.
,
Гудовских А.С.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Теруков Е.И.
,
Трапезникова И.Н.
II Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2000
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).
Авторы:
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1999
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
Международная конференция “Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, гю Ульяновск, 1999
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1998
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
, г. Будапешт, 1997
1997
Light-induced photoconductivity decay in undoped a-Si:H films depending on their structural parameters
Авторы:
Голикова О.А.
,
Казанин М.М.
,
Kuznetsov A.N.
,
Kudojarova V.K.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Cabarrocas P.R.
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
, г. Будапешт, 1997
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H.
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Семинар "Новые идеи в физике стекла"
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1997
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремни
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, г. Ульяновск, 1997
1993
On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanism in Light Soaked a-Si:H Films
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15
, Cambridge, 1993
1993
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
I Российская конф. по физике полупроводни-ков
, г. Нижний Новгород, 1993
1992
Структурные изменения в пленках аморфного кремния под воздействием ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения
Авторы:
Ананьин О.Б.
,
Багателия Р.З.
,
Быковский Ю.А.
,
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Ормонт Н.Н.
,
Чистяков А.А.
Конференция “Разработка и освоение аморфных и микрокристаллических материалов”
, г. Москва, Россия, 1992
1991
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всесоюзный семинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение"
, г. Ленинград, 1991
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновес-ными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников.
, г. Киев, 1990
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Лупачева А.Н.
,
Ормонт Н.Н.
Совещание-семинар “Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике.
, г. Одесса, 1989
1988
Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников
, г. Кишинев, 1988
1988
Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
Авторы:
Мелешко Н.В.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Дроздов А.Ю.
,
Коробов О.Е.
,
Лупачева А.Н.
Всесоюзное совещание “Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве”
, г. Геленджик, 1988
1982
Фотоионизация электронов с дважды отрицательно заряженных ионов золота в n-Ge
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
II Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках
, г. Одесса, 1982
1982
Фотопроводимость германия при ионизации электронов с дважды отрицательно заряженного примесного центра квантами света с энергией, меньшей термической энергии ионизации
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всесоюзная конференция по физике полупроводников.
, г. Баку, 1982
1979
Фотоэлектрические свойства сильно компенсированного Ge(Au,Sb) в условиях подсветки лазером на СО2
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Идалбаев А.М.
Республиканская конференция “Фотоэлектри-ческие явления в полупроводниках”
, г. Ужгород, 1979
1976
ИК излучение из акустоэлектрических доменов в n-GaAs
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
IX Всесоюзная конференция по акустоэлектронике и квантовой акустике.
, г. Москва, Всесоюзный НИИ физико-технических и радиотехнических измерений, Россия, 1976
1974
О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77 К
Авторы:
Матохин В.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
III Всесоюзное совещание по исследованию GaAs “Арсенид галлия”
, г. Томск, 1974
1972
Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs
Авторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Аносов И.В.
Ломоносовские чтения - 1972
, г. Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 5-7 апреля 1972
1971
ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
Авторы:
Аносов И.В.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всесоюзная конференция “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”
, г. Киев, 1971
1969
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
Совещание - семинар "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике"
, 1969
1965
Об осцилляциях в спектрах фотопроводимости германия при низких температурах.
Авторы:
Бесфамильная В.А.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Остробородова В.В.
Ломоносовские чтения - 1965
, 1965
Тезисы докладов
2019
Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:HКурова И.А., Ормонт Н.Н
КуроваИ А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г
, место издания
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск
, том 2, тезисы, с. 331-331
DOI
2018
Ормонт Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатных
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, Санкт-Петербург Санкт-Петербург
, тезисы, с. 61-62
2017
Аномальный эффект Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.
в сборнике
Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. – Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с.480
, место издания
Екатеринбург
, тезисы, с. 135-135
2016
Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сбонк трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство политехнического университета Санкт-Петербург
, тезисы, с. 70-71
2015
Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400K
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва
, тезисы, с. 339-339
2014
Фотоиндуцированная релаксация проводимости нелегированных пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140С
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года
, тезисы, с. 66-68
2013
"О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния"
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Xi Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
, тезисы, с. 362-362
2012
О фотоиндуцированных эффектах в пленках аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 20-21
2012
Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатных
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
в сборнике
книга тезисов IX Международной конференции и VIII Школы молодых ученых "Кремний-2012"
, место издания
г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 305-305
2011
Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Теисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы молодых ученых и специалистов "Кремний-2011"
, место издания
М.: Изд.дом "МИСиС" г. Москва
, тезисы, с. 218-218
2010
Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды VII Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
ФТИ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 255-256
2010
О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докадов VII международной конференции "Кремний-2010"
, место издания
Издательство Нижегородского университета Нижний Новгород
, тезисы, с. 88-88
2009
Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния И
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Новосибирск
, тезисы, с. 240-240
2008
Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов
, место издания
г. Черноголовка, ИПТМ РАН
, тезисы, с. 144-144
2007
Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Иоффе П.А.
в сборнике
Тезисы докладов IV Международной научной конференции "Кремний-2007"
, место издания
Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
, тезисы, с. 42-43
2007
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007"
, место издания
г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН
, тезисы, с. 348-348
2006
Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 49-50
2005
Влияние высокотемпературного отжига в потоке водорода на свойства пленок a-Si:H
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы лекций и докладов III Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»)
, место издания
Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС) Москва
, тезисы, с. 114-115
2005
Прыжковая е2-проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005"
, место издания
г. Москва
, тезисы, с. 306-306
2005
Электрические свойства легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в потоке водорода
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник докладов , «Ломоносовские чтения-2005»
, место издания
Физический факультет МГУ г. Москва
, тезисы, с. 52-54
2004
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Прокофьев Г.В.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62
, место издания
СПбГПУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 59-60
2004
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62
, место издания
СПбГПУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 61-62
2003
Variable range hopping
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в сборнике
10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, , 2003. Abstracts
, место издания
Miramare - Trieste
, тезисы
2003
Прыжковая проводимость в гидрированном аморфном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 431-432
2003
Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P
Курова И.А.
,
Орьонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»)
, место издания
Москва, МИСиС
, тезисы, с. 398-399
2002
О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в сборнике
Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург
, тезисы, с. 27-27
2001
Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов
, место издания
Нижний Новгород
, тезисы, с. 153-153
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов II Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики"
, место издания
Саратов
, тезисы, с. 85-86
2000
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Громадин А.Л.
в сборнике
Тез. докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (“Кремний-2000”), Москва, МИСиС, с.255, 2000г.,
, место издания
Москва, МИСиС
, тезисы, с. 355-356
2000
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
Афанасьев В.П.
,
Гудовских А.С.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Теруков Е.И.
,
Трапезникова И.Н.
в сборнике
Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
, место издания
Издательство СПбГТУ Санкт-Петербург
, тезисы, с. 25-25
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 51-52
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 57
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
г. С.-Петербург
, тезисы, с. 19
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в сборнике
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS. Abstract
, место издания
Budapest
, тезисы, с. 224
1997
Ormont N.N., P.Roca i Cabarrocas Light-induced photoconductivity decay in undoped a-Si:H films depending on their structural parameters
Golikova O.A.
,
Kazanin M.M.
,
Kuznetsov A.N.
,
Kudojarova V.Kh
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Cabarrocas P.Roca i
в сборнике
17th Int.Conf.On Amorph. Microcryst.Semicond. Budapest, Abstract
, место издания
Budapest
, тезисы, с. 68
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 20-21
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды международной конференции “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 139
1993
On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanisms in light-soaked a-Si:H films
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в сборнике
15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15
, место издания
Cambridge
, тезисы, с. 254-257
1993
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
г. Нижний Новгород
, том 1, тезисы, с. 120
1992
Структурные изменения в пленках аморфного кремния под воздействием ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения
Ананьин О.Б.
,
Багателия Р.З.
,
Быковский Ю.А.
,
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Ормонт Н.Н.
,
Чистяков А.А.
в сборнике
Тезисы докладов конференции “Разработка и освоение аморфных и микрокристаллических материалов”
, место издания
г. Москва
, тезисы, с. 18
1991
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”
, место издания
г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
, тезисы, с. 32
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновесными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тез. докл. XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников
, место издания
Киев "Наукова думка" г. Киев
, тезисы, с. 148-148
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в сборнике
Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
, место издания
г. Одесса
, тезисы, с. 64-64
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в сборнике
Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
, место издания
г. Одесса
, тезисы, с. 64
1988
Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. г.Кишинев, 1988 г
, место издания
г. Кишинев
, тезисы
1988
Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
, Дроздов Ю.А.,
Коробов О.Е.
,
Лупачева А.
в сборнике
Тезсы докладов Всесоюзного совещания “Перспективы развития Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии ”
, место издания
г .Геленджик
, тезисы, с. 75-76
1983
Фотопроводимость, оптическое поглощение и электрический перенос в пленках аморфного гидрогенизированного кремния
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
, Миличевич Е.П.,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Материалы конференции «Ломоносовские чтения» Москва
, тезисы, с. 56-56
1982
Фотоионизация электронов с дважды отрицательно заряженных ионов золота в n-Ge
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках
, место издания
”Наукова думка” г. Киев
, тезисы, с. 159-160
1982
Фотопроводимость германия при ионизации электронов с дважды отрицательно заряженного примесного центра квантами света с энергией, меньшей термической энергии ионизации
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников
, место издания
Изд-во “ЭЛМ” г. Баку
, тезисы, с. 231-232
1979
Фотоэлектрические свойства сильно компенсированного Ge(Au,Sb) в условиях подсветки лазером на СО2
Вавилов В.С.
,
Идалбаев А.М.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов респ. конф. “Фотоэлектри-ческие явления в полупроводниках”
, место издания
Киев “Наукова думка” г. Киев
, тезисы
1976
ИК излучение из акустоэлектрических доменов в n-GaAs
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике
, место издания
Всесоюзный НИИ физико-технических и радиотехнических измерений г. Москва
, тезисы, с. 32
1974
О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77К
Курова И.А.
,
Матохин В.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник докладов III-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs “Арсенид галлия”
, место издания
г. Томск
, тезисы, с. 203
1972
ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
Аносов И.В.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Доклады Всесоюзной конференции “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”
, место издания
Издательство ”Наукова думка” г. Киев
, тезисы, с. 5
1972
Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs
Аносов И.В.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов научной конф.”Ломоносовские чтения”, 1972, с.29
, место издания
Издательство МГУ г. Москва
, тезисы, с. 29
НИРы
1 января 1999 - 31 декабря 2025
Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
Физический факультет
Руководители:
Днепровский В.С.
,
Снигирев О.В.
Участники НИР:
Белогорохова Л.И.
,
Васильев А.А.
,
Голинская А.Д.
,
Дагесян С.А.
,
Днепровский В.С.
,
Дорофеев А.А.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Козлова М.В.
,
Кошелев О.Г.
,
Краевский М.В.
,
Курова И.А.
,
Лебедев А.И.
,
Манцевич В.Н.
,
Мещерякова О.И.
,
Миронов А.Г.
,
Нибудин Г.В.
,
Ормонт М.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Савинов В.П.
,
Случинская И.А.
,
Смирнов А.М.
,
Снигирев Г.О.
,
Сухова Н.И.
,
Хенкин М.В.
,
Чукичев М.В.
,
Шорохов В.В.
,
Юнович А.Э.
,
Якунин В.Г.
Отчеты
2014
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Авторы:
Днепровский Владимир Самсонович
,
Звягин Игорь Петрович
,
Казанский Андрей Георгиевич
,
Козлова Мария Владимировна
,
Кошелев Олег Григорьевич
,
Курова Ида Александровна
,
Лебедев Александр Иванович
,
Манцевич Владимир Николаевич
,
Миронов Александр Григорьевич
,
Ормонт Михаил Александрович
,
Ормонт Наталия Николаевна
,
Случинская Ирина Александровна
,
Смирнов Александр Михайлович
,
Сухова Наталья Ивановна
,
Чукичев Михаил Васильевич
,
Юнович Александр Эммануилович
,
Хенкин Марк Вадимович
#01990001318, 9 с.
2003
Электронные процессы, связанные с образованием метастабильных состояний в неоднородных гомофазных и гетерофазных материалах полупроводниковой электроники
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Форш П.А.
#УР.01.03.004, 11 с.
1988
"Изучение механизмов деградации фотоэлектрических слоев и структур на основе a-Si:H и a-SiC:H"
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Остробородова В.В.
,
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Курова И.Ф.
,
Ормонт Н.Н.
,
Казанский А.Г.
,
Миличевич Е.П.
,
Понарина Е.Н.
,
Мелешко Н.В.
#х/д тема 45/86, 130 с.
1977
"Исследование взаимодействия электромагнитного излучения с электронной системой в кристаллах полупроводников"
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
#внутри факультете, 200 с.
Диссертация
1975
Оптические и электрические свойства акусто-электрических доменов GaAs n-типа
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Ормонт Наталия Николаевна
, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Научные руководители:
Вавилов В.С.
,
Курова И.А.
, к.ф.-м.н., доц.
Защищена в совете
К 53.05.20
при МГУ, физический факультет
Руководство дипломными работами
2017
Влияние предварительной подсветки на последующую релаксацию фотоиндуцированной проводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии при T>400К.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Кузнецов Сергей Михайлович (Магистр)
2015
Гистерезис проводимости пленок аморфного гидрированного кремния после освещения
Научные руководители:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Автор: Кузнецов С.М. (Бакалавр)
2010
Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
Научные руководители:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Автор: Северов И.В. (Специалист)
2008
Фотоэлектрические свойства слоистых пленок аморфного гидрированного кремния.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Кирилюк Н.А. (Специалист)
2007
Фотоиндуцированные метастабильные дефекты в высокоомных пленках a-Si:H
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Иоффе П.А. (Специалист)
2004
Светоиндуцированный отжиг метастабильных сотояний в аморфном гидрогенизированном кремнии, слабо легированном бором
Научный руководитель:
Ормонт Н.Н.
Автор: Прокофьев Г.В., (Специалист)
2000
Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H, легированных бором
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Рыков М.В. (Специалист)
1997
Кинетика релаксации метастабильных состояний в нелегированных пленках a-Si:H
Научный руководитель:
Ормонт Н.Н.
Автор: Лушин Р.Н. (Специалист)
1995
Исследование влияния высокотемпературного отжига на спектральную зависимость коэффициента поглощения света в легированных пленках a-Si:H методом посьоянного фототока
Научный руководитель:
Ормонт Н.Н.
Автор: Джиха Банколе Дидье (Специалист)
1993
Влияние мощного светового облучения на фотоэлектрические свойства пленок аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Научный руководитель:
Ормонт Н.Н.
Автор: Юсина С.Ю. (Специалист)
1990
Изучение образования и отжига светоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H.
Научные руководители:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Автор: Пенина О.А. (Специалист)
1989
Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Мелешко Н.В. (Специалист)
1987
Исследование фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H с имплантированными ионами P и B
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Лапина И.Ю. (Специалист)
1986
Фотоэлектрические свойства легированных фосфором пленок a-Si:H
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Тарасова О.А. (Специалист)
1985
Исследование фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Подругина В.Д. (Специалист)
1984
Исследование ИК фотопроводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Фуксина С.А. (Специалист)
1982
Исследование примесной фотопроводимости германия с частично компенсированным вторым акцепторным уровнем золота при энергиях фотонов меньше энергии ионизации примеси.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Карягина О.К. (Специалист)
1975
Инфракрасное излучение из акустоэлектрического домена в арсениде галлия.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Яблоновский И.В. (Специалист)
1973
Исследование акустоэлектрической неустойчивости в монокристаллических эпитаксиальных пленках GaAs при азотной температуре
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Рудь Н.А. (Специалист)
1973
Исследование акустоэлектрической неустойчивости в монокристаллических эпитаксиальных пленках GaAs при азотной температуре
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Рудь Н.А. (Специалист)
1973
ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотных температурах
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Матохин В.В. (Специалист)
1971
Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Аносов И.В., (Специалист)
1969
Акустоэлектрическая неустойчивость в GaAs.
Научные руководители:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Автор: Петров Ю. (Специалист)