ИСТИНА

Ормонт Наталия Николаевна пользователь ответственный

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники, старший научный сотрудник, с 13 февраля 1964

кандидат физико-математических наук с 1975 года

доцент/с.н.с. по специальности № 01.04.10 с 27 февраля 1997 г.

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники, ответственный по системе

Соавторы: Курова И.А., Звягин И.П., Мелешко Н.В., Казанский А.Г., Лупачева А.Н., Громадин А.Л., Вавилов В.С., Нальгиева М.А., Остробородова В.В., Читая К.Б., Голикова О.А., Аносов И.В., Подругина В.Д. показать полностью..., Казанин М.М., Коробов О.Е., Ларина Э.В., Матохин В.В., Прокофьев Г.В., Трапезникова И.Н., Авакянц Л.П., Афанасьев В.П., Бесфамильная В.А., Гудовских А.С., Иванов Л.П., Иоффе П.А., Логгинов А.С., Мирошник О.Н., Петров Ю.В., Сенашенко Д.В., Соловьев В.И., Теруков Е.И., Фуксина С.А., Afanas’ev V.P., Cabarrocas P.R., Gudovskikh A.S., KUROVA IA; OSTROBORODOVA V.V., Kudojarova V.K., Kudoyarova V.K., Kuznetsov A.N., Larina E.´., Nal’gieva M.A., OMELYANOVSKII E.M., Terukov E.I., and Senashenko D.V., Ананьин О.Б., Багателия Р.З., Быковский Ю.А., Идалбаев А.М., Кудоярова В.Х., Омельяновский Э.М., Чистяков А.А.

115 статей, 55 докладов на конференциях, 54 тезисов докладов, 1 НИР, 4 научного отчёта, 1 диссертация, 23 дипломные работы

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 114, Scopus: 38

IstinaResearcherID (IRID): 1062095

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • 
    • 2020 Modification of the Photoelectric Properties of Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Films under Preliminary Illumination at Elevated Temperatures
    • Ormnt N.N., Kurova I.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 4, с. 437-440 DOI
  • • 2020 Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 54, № 4, с. 367-370 DOI
  • 
    • 2017 Modification of the Thermal Relaxation Kinetics of the Photoinduced (at T=425 K) Metastable Dark Conductivity of a-Si:H Films by Weak Illumination during the Initial Stage of Relaxation
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 51, № 4, с. 417-419 DOI
  • • 2017 Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при Т=425 К метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 4, с. 440-442
  • 
    • 2015 Light-Induced Relaxation of the Metastable Conductivityof Undoped a-Si:H Films Illuminated at Elevated Temperatures
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 5, с. 590-592 DOI
  • 
    • 2015 Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок a-Si:H, освещенных при повышенных температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 5, с. 603-605 DOI
  • 
    • 2013 On the Photoinduced Effect in Undoped a-Si:H Films
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 6, с. 767-770 DOI
  • 
    • 2013 О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 6, с. 757-760 DOI
  • 
    • 2012 Specific Features of Recombination in Layered a-Si:H Films
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 3, с. 315-318 DOI
  • 
    • 2012 Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 3, с. 330-333 DOI
  • 
    • 2011 On the Essence of High Photosensitivity of a-Si:H Layered Films
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 40, № 8, с. 616-619 DOI
  • • 2011 О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 3, с. 59-62
  • 
    • 2010 "О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si:H"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Материалы Электронной техники, № 3, с. 45-48 DOI
  • 
    • 2010 Specific Features of Photoelectric Properties of Layered Films of Amorphous Hydrogenated Silicon
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 44, № 12, с. 1576-1580 DOI
  • 
    • 2010 Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 44, № 12, с. 1624-1628 DOI
  • 
    • 2009 "Влияние освещения на темновую проводимость и фотопроводимость слоистых пленок аморфного гидрированного кремния"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 5, с. 51-55 DOI
  • 
    • 2009 "Особенности фотоиндуцированной релаксации метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 1, с. 56-59 DOI
  • 
    • 2008 "Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si9:H"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 42, № 4, с. 447-450 DOI
  • • 2008 "Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 4, с. 28-31
  • • 2007 Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Иоффе П.А.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 4, с. 15-18
  • 
    • 2006 Hopping epsilon(2) conductivity of boron-doped a-Si : H films annealed in hydrogen at high temperature
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Nal’gieva M.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 40, № 1, с. 108-112 DOI
  • 
    • 2006 Прыжковая e2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
    • Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 40, № 1, с. 112-116 DOI
  • 
    • 2005 Photoinduced Relaxation of Metastable States in a-Si:H(B)
    • Ormont N.N., Kurova I.A., Prokof'ev G.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 39, № 8, с. 924-927
  • 
    • 2005 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H(B)
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 39, № 8, с. 960-963 DOI
  • 
    • 2005 Электрические и фотоэлектрические свойства пленок а-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
    • Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 54-57
  • 
    • 2004 Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, № 1, с. 101-104
  • 
    • 2003 Effect of Illumination on the Rate of Relaxation of Light-Induced Metastable States in a-Si:H(B)
    • Kurova I.A., Ormont N.N., Gromadin A.L.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 6, с. 753-755
  • 
    • 2003 Photoinduced Annealing of Metastable Defects in Boron-Doped a-Si:H Films
    • Kurova I.A., Ormont N.N., Gromadin A.L.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 2, с. 131-133
  • 
    • 2003 Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(B)
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 6, с. 753-755 DOI
  • 
    • 2003 Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 2, с. 142-144 DOI
  • • 2003 Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P)
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 4, с. 16-18
  • 
    • 2002 Влияние подсветки на изотермическую релаксацию фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, слабо легированных бором
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 3, с. 67-70
  • 
    • 2001 Electrical and Photoelectric Properties of a-Si:H Layered Films: The Influence of Thermal Annealing
    • Kurova I.A., Ormont N.N., Terukov E.I., Trapeznikova I.N., Afanas’ev V.P., Gudovskikh A.S.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 35, № 3, с. 353-356
  • • 2001 Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 4, с. 59-62
  • • 2001 Особенности эффекта Стеблера-Вронского при повышенных температурах в высокоомных нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 42, № 4, с. 62-65
  • 
    • 2001 Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев В.П., Гудовских А.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 35, № 3, с. 367-370 DOI
  • 
    • 2000 Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
    • Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 34, № 3, с. 364-368 DOI
  • • 1999 Аномальная кинетика эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 1, с. 67-69
  • 
    • 1998 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Ormont N.N., Zvyagin I.P.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 227, с. 306-310
  • 
    • 1998 Relaxation of photoinduced metastable states in a-Si:H films deposited at high temperatures Kurova I
    • Kurova I.A., Ormont N.N., Golikova O.A., Kazanin M.M.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 32, № 10, с. 1134-1136
  • • 1998 О природе немонотонной кинетики изменения проводимости пленок a-Si:H под влиянием освещения при повышенной температуре
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 73-74
  • 
    • 1998 Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 32, № 10, с. 1269-1271 DOI
  • 
    • 1997 Light-induced processes in a-Si:H films at elevated temperatures
    • Kurova I.A., Larina E.´.V, Ormont N.N., and Senashenko D.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 31, № 12, с. 1257-1260
  • 
    • 1997 On the relaxational characteristics and stability of a-Si:H films grown at high temperatures
    • Kurova I.A., Ormont N.N., Golikova O.A., Kudoyarova V.Kh
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 31, № 5, с. 452-454
  • 
    • 1997 О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 31, с. 536-538 DOI
  • 
    • 1997 Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si:H при повышенных температурах
    • Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 31, № 12, с. 1455-1459 DOI
  • • 1997 Фотоиндуцированные эффекты в пленках a-Si:H при повышенных температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 28-30
  • 
    • 1996 Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-Si:H films containing boron and fluorine
    • Kurova I.A., Miroshnik O.N., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 30, № 4, с. 391-392
  • • 1996 Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор
    • Курова И.А., Мирошник О.Н., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 31, № 4, с. 727-729
  • 
    • 1994 ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
    • KUROVA I.A., LUPACHEVA A.N., MELESHKO N.V., ORMONT N.N., AVAKYANZ L.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 28, № 1, с.  72-74
  • • 1994 Электрические свойства пленок a-Si:H(B), облученных мощными световыми импульсами
    • Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Авакянц Л.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 28, № 1, с. 120-124
  • 
    • 1993 NATURE OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 27, № 10, с. 942-945
  • 
    • 1993 On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H films
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 164, № 1, с. 631-634 DOI
  • • 1993 О природе фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 27, № 10, с. 1707-1712
  • 
    • 1991 THE INFLUENCE OF PRE-ILLUMINATION ON THE PROCESS OF PHOTOINDUCED DANGLING BOND FORMATION IN A-SI-H
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 32, № 1, с. 97-100
  • 
    • 1991 Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 32, № 1, с. 97-100
  • 
    • 1990 MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 10 , с. 1078-1080
  • 
    • 1990 MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 10, с. 1078-1080
  • 
    • 1990 SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 11, с. 1238-1240
  • • 1990 Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 24, № 11, с. 1992-1994
  • • 1990 О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 24, № 10, с. 1726-1731
  • 
    • 1989 KINETICS OF THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN UNDOPED A-SI-H FILMS
    • KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N., LUPACHEVA A.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 11, с. 1255-1257
  • • 1989 Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 23, № 11, с. 2030-2033
  • 
    • 1988 ON THE NATURE OF TEMPERATURE QUENCHING OF THE PHOTOCONDUCTIVITY IN A-SI-H
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., KOROBOV O.E., LUPACHEVA A.N.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 29, № 3, с. 97-1988
  • 
    • 1988 О природе температурного гашения фотопроводимости в a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Коробов О.Е., Лупачева А.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 29, № 3, с. 97-99
  • 
    • 1987 KINETICS OF FORMATION OF BROKEN BONDS IN A-SI-H FILMS
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., CHITAYA K.B.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 21, №  4 , с. 428-430
  • 
    • 1987 RECOMBINATION IN DOPED FILMS FROM HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N., CHITAYA K.B.
    • в журнале IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA, том 30, № 6, с. 7-17
  • • 1987 О кинетике образования оборванных связей в пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Читая К.Б.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 21, № 4, с. 700-702
  • • 1987 Особенности процессов рекомбинации в легированных пленках гидрированного аморфного кремния
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Читая К.Б.
    • в журнале Известия вузов СССР, Физика, № 6, с. 7-17
  • 
    • 1986 THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN DOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 43, № 11, с.  684-687
  • • 1986 Температурное гашение фотопроводимости в легированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 43, № 11, с. 528-530
  • 
    • 1985 EFFECT OF PRELIMINARY ILLUMINATION ON THE CONDUCTIVITY OF THE UNDOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., PODRUGINA V.D.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 5, с. 85-88
  • 
    • 1985 INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE PRESENCE OF ADDITIONAL INTERBAND ILLUMINATION
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., OMELYANOVSKII E.M., FUKSINA S.A.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 19, № 1, с. 25-27
  • 
    • 1985 THE INFLUENCE OF STATIC ELECTRIC-FIELDS ON THE PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF A-SI-H
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 1 , с. 97-99
  • 
    • 1985 THE THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY OF UNDOPED A-SI-H FILMS
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., PODRUGINA V.D., CHITAYA K.B.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 3, с. 96-98
  • • 1985 Влияние предварительного освещения на проводимость нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Подругина В.Д.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 5, с. 86-88
  • 
    • 1985 Влияние электрического поля на фотоэлектрические свойства a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 1, с. 97-99
  • • 1985 ИК фотопроводимость a-Si:H в условиях собственной подсветки
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Омельяновский Э.М., Фуксина С.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 19, № 1, с. 44-47
  • 
    • 1985 О температурном гашении фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Подругина В.Д., Читая К.Б.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 26, № 3, с. 96-98
  • 
    • 1983 INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF A-SI-H
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., KAZANSKII A.G., VAVILOV V.S.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 17, №  8, с.  971-972
  • 
    • 1983 PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE INFRARED RANGE
    • VAVILOV V.S., KAZANSKII A.G., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR Volume: 17 Issue: 7 Pages: 829-830 Published: 1983, том 17, № 7, с. 829-830
  • 
    • 1983 PHOTOCONDUCTIVITY OF N-TYPE GERMANIUM WITH REPULSIVE IMPURITYCENTERS AT PHOTON ENERGIES LESS THAN THE THERMAL IONIZATION-ENERGY
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 17, № 3, с. 346-347
  • • 1983 О фотопроводимости a-Si:H в ИК области спектра
    • Вавилов В.С., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 17, № 7, с. 1311-1313
  • • 1983 Спектральные зависимости фотопроводимости a-Si:H в ИК области спектра
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Казанский А.Г., Вавилов В.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 17, № 8, с. 1526-1528
  • • 1983 Фотопроводимость n-германия с "отталкивающими" примесными центрами при энергии кванта света, меньшей их термической энергии ионизации
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 17, № 3, с. 549-551
  • 
    • 1982 OSCILLATIONS IN THE IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF COMPENSATED N-TYPE GE-AU-SB
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 16, № 5, с. 581-582
  • • 1982 Об осцилляциях в спектрах примесной фотопроводимости компенсированного n-Ge(Au,Sb
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 16, № 5, с. 905-908
  • 
    • 1981 PHOTOCONDUCTIVITY OF GOLD-DOPED N-TYPE GERMANIUM AT PHOTON ENERGIES LESS THAN THE IMPURITY IONIZATION-ENERGY
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 15, № 11, с. 1325-1326
  • • 1981 О фотопроводимости n-германия, легированного золотом, при энергиях квантов, меньших энергии ионизации примеси
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 15, № 11, с. 2280-2282
  • 
    • 1978 IR Luminescence of Acoustoelectric Domains in n-GaAs
    • Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 45, № 1, с. 333-342 DOI
  • 
    • 1977 SOME INVESTIGATIONS OF INFRARED LUMINESCENCE EMITTED BY TRAVELING ACOUSTOELECTRIC DOMAINS
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 11, № 7, с. 805-807
  • • 1977 О некоторых исследованиях ИК излучения из бегущих акустоэлектрических доменов в GaAs
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 11, № 7, с. 1371-1375
  • 
    • 1976 SOME RELATIONSHIPS GOVERNING EMISSION OF IR LUMINESCENCE FROM ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN N-TYPE GAAS
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 10, № 10, с. 1174-1176
  • • 1976 О некоторых закономерностях ИК излучения из акустоэлектрических доменов в GaAs
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 10, № 10, с. 1968-1971
  • 
    • 1975 INFRARED LUMINESCENCE EMITTED FROM STATIC ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN GAAS AT 77 DEGREESK
    • KUROVA I.A., MATOKHIN V.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 8, № 11, с. 1473-1474
  • 
    • 1975 INVESTIGATION OF SPACE-TIME DISTRIBUTION OF INFRARED LUMINESCENCE EMITTED FROM GAAS UNDER ACOUSTOELECTRIC INSTABILITY CONDITIONS
    • IVANOV L.P., KUROVA I.A., LOGGINOV A.S., ORMONT N.N., SOLOV'EV V.I.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 9, № 7, с. 916-918
  • • 1975 Исследование пространственно-временного ИК излучения из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
    • Иванов Л.П., Курова И.А., Логгинов А.С., Ормонт Н.Н., Соловьев В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 9, № 7, с. 1393-1396
  • 
    • 1974 SOME INVESTIGATIONS OF ACOUSTOELECTRIC INSTABILITY IN GAAS AT 77 DEGREE K
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 7, № 10 , с. 1373-1374
  • • 1974 ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при 77К
    • Курова И.А., Матохин В.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 8, № 11, с. 2258-2261
  • • 1973 О некоторых исследованиях акустоэлектрической неустойчивости в GaAs при 77К
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 7, № 10, с. 2051-2052
  • 
    • 1972 SOME ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF ACOUSTOELECTRIC DOMAINS IN GAAS
    • ANOSOV I.V., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 6, № 4, с. 541
  • • 1972 О некоторых электрических и оптических свойствах акусто-электрических доменв в GaAs
    • Аносов И.В., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 6, № 4, с. 625-631
  • 
    • 1969 CURRENT OSCILLATIONS CONNECTED WITH ACOUSTOELECTRIC EFFECT IN GAAS
    • VAVILOV V.S., KUROVA I.A., ORMONT N.N., Petrov Y.V.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 3, № 2, с. 212
  • • 1969 Колебания тока в GaAs, связанные с акусто-электрическим эффектом
    • Вавилов В.С., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Петров Ю.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 3, № 2, с. 258-263
  • 
    • 1967 IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF P-TYPE GERMANIUM WITH GA,HG,AU, AND NI IMPURITIES
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N., OSTROBORODOVA V.V.
    • в журнале Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics, том 24, № 2, с. 268
  • 
    • 1967 IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF SILICON AT LOW TEMPERATURES
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 8, № 9, с. 2264
  • 
    • 1967 On the Nature of Oscillations in Impurity Photoconductivity Spectra of Ge
    • Besfamilnaya V.A., Elesin V.F., Kurova I.A., Ormont N.N., Ostroborodova V.V.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 24, № 2, с. 757-762 DOI
  • • 1966 О спектрах примесной фотопроводимости германия p-типа с примесями Ga, Hg, Au и Ni при низких температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Остробородова В.В.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 51, № 2, с. 401-405
  • • 1966 О спектрах примесной фотопроводимости кремния при низких температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 81, с. 2824-2826
  • 
    • 1965 IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF GOLD-DOPED GERMANIUM AT LOW TEMPERATURES
    • KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 6, № 12, с. 2970
  • 
    • 1965 LOW-TEMPERATURE VOLTAGE SENSITIVITY OF GOLD-DOPED P-TYPE GERMANIUM
    • KUROVA IA; OSTROBORODOVA V.V., ORMONT N.N.
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 7, № 3, с. 755
  • 
    • 1965 OSCILLATIONS IN IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF GERMANIUM
    • BESFAMIL V.A., KUROVA I.A., ORMONT N.N., OSTROBOR V.V.
    • в журнале Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics, том 21, № 6, с. 1065
  • • 1965 Вольтовая чувствительность германия p-типа с золотом при низких температурах
    • Курова И.А., Остробородова В.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 7, с. 940-941
  • • 1965 Об осцилляциях в спектрах примесной фотопроводимости германия
    • Бесфамильная В.А., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Остробородова В.В.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 48, № 6, с. 1588-1593
  • • 1964 О спектрах примесной проводимости германия, легированного золотом, при низких температурах
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 6, с. 3708-3710

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H (Стендовый)
    • Авторы: Курва И.А., Ормонт Н.Н.
    • XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
  • • 2018 Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатных (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • XI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», г. Санкт-Перербург, Россия, 19-21 ноября 2018
  • • 2017 Аномальный эффект Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, Россия, 2-6 октября 2017
  • • 2016 Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H. (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • 10 Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» , Санкт-Пеербург, ФТИ им. а.ф. Иоффе, Россия, 4-7 июля 2016
  • • 2015 Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400K (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 21-25 сентября 2015
  • • 2014 Фотоиндуцированная релаксация проводимости нелегированных пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140С
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • IX Международная конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Россия, 2014
  • • 2013 О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2013
  • • 2012 О фотоиндуцированных эффектах в пленках аморфного гидрированного кремния
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VIII Международная коференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2012
  • • 2012 Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатных
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых "Кремний-2012", г. Санкт-Петербург, Санкт-петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Россия, 2012
  • • 2011 Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VIII Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний-2011", г. Москва, Россия, 2011
  • • 2010 Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, Россия, 2010
  • • 2010 О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VII Международная конференция "Кремний-2010", г. Нижний Новгород, 2010
  • • 2009 Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • IX Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2009", Новосибирск-Томск, 2009
  • • 2008 Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • V Международная конференция «Кремний’08» и IV школа молодых ученых и специалистов., г. Черноголовка, ИПТМ РАН, 2008
  • • 2007 Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
    • Авторы: Курова И.А., Иоффе П.А., Ормонт Н.Н.
    • IV Международная конференция "Кремний-2007", Москва, Московский институт стали и сплавов, Россия, 2007
  • • 2007 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VIII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2007". , г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, 2007
  • • 2006 Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • V Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2006
  • • 2005 Влияние высокотемпературного отжига в потоке водорода на свойства пленок a-Si:H.
    • Авторы: Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • III Российскя школа ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»)., г. Москва, МИСиС, Россия, 2005
  • • 2005 Прыжковая -проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором.
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Нальгиева М.А., Курова И.А.
    • VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2005", г. Москва (Звенигород), Россия, 2005
  • • 2005 Электрические свойства легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в потоке водорода.
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Нальгиева М.А.
    • Ломоносовские чтения - 2005, г. Москва, МГУ, Россия, 2005
  • • 2004 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H.
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В.
    • IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». , г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2004
  • • 2004 Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
    • Авторы: Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2004
  • • 2003 Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste, 2003
  • • 2003 Прыжковая проводимость в аморфном гидрированном кремнии
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003", г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
  • • 2003 Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P)
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»)., Москва, МИСиС, Россия, 2003
  • • 2002 О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H.
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • III Международная конференция “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2002
  • • 2001 Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Звягин И.П., Курова И.А.
    • V Российская конференция по физике полупроводников. , г. Нижний Новгород, 2001
  • • 2001 Получение высокоомных тонких пленок a-Si:H при слабом легировании бором и особенности их фотоэлектрических свойств
    • Авторы: Курова И.А., Громадин А.Л., Ормонт Н.Н.
    • IV Международная конференция “Рост монокристаллов и тепломассоперенос” ICSC-01, г. Обнинск. Электронный адрес: www.icsc.narod.ru, 2001
  • • 2000 Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А., Казанский А.Г.
    • II Международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”, г. Саратов, 2000
  • • 2000 Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором.
    • Авторы: Курова И.А., Громадин А.Л., Ормонт Н.Н.
    • Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (“Кремний-2000”), г. Москва, МИСиС, Россия, 2000
  • • 2000 Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H.
    • Авторы: Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Трапезникова И.Н., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Курова И.А.
    • II Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2000
  • • 1999 Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).
    • Авторы: Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А., Казанский А.Г., Звягин И.П.
    • Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1999
  • • 1999 Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
    • Авторы: Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Звягин И.П.
    • Международная конференция “Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”, гю Ульяновск, 1999
  • • 1998 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А., Казанский А.Г.
    • Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1998
  • • 1997 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Авторы: Казанский А.Г., Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • 17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS, г. Будапешт, 1997
  • • 1997 Light-induced photoconductivity decay in undoped a-Si:H films depending on their structural parameters
    • Авторы: Голикова О.А., Казанин М.М., Kuznetsov A.N., Cabarrocas P.R., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Kudojarova V.K.
    • 17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS, г. Будапешт, 1997
  • • 1997 Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H.
    • Авторы: Казанский А.Г., Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Семинар "Новые идеи в физике стекла", г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1997
  • • 1997 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремни
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, г. Ульяновск, 1997
  • • 1993 On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanism in Light Soaked a-Si:H Films
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • 15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15, Cambridge, 1993
  • • 1993 О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • I Российская конф. по физике полупроводни-ков, г. Нижний Новгород, 1993
  • • 1992 Структурные изменения в пленках аморфного кремния под воздействием ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения
    • Авторы: Ананьин О.Б., Багателия Р.З., Быковский Ю.А., Чистяков А.А., Лупачева А.Н., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Конференция “Разработка и освоение аморфных и микрокристаллических материалов”, г. Москва, Россия, 1992
  • • 1991 Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Всесоюзный семинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение", г. Ленинград, 1991
  • • 1990 О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновес-ными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников. , г. Киев, 1990
  • • 1989 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Авторы: Курова И.А., Мелешко Н.В., Лупачева А.Н., Ормонт Н.Н.
    • Совещание-семинар “Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике., г. Одесса, 1989
  • • 1988 Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников, г. Кишинев, 1988
  • • 1988 Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
    • Авторы: Мелешко Н.В., Курова И.А., Лупачева А.Н., Дроздов А.Ю., Коробов О.Е., Ормонт Н.Н.
    • Всесоюзное совещание “Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве”, г. Геленджик, 1988
  • • 1982 Фотоионизация электронов с дважды отрицательно заряженных ионов золота в n-Ge
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • II Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, г. Одесса, 1982
  • • 1982 Фотопроводимость германия при ионизации электронов с дважды отрицательно заряженного примесного центра квантами света с энергией, меньшей термической энергии ионизации
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Всесоюзная конференция по физике полупроводников. , г. Баку, 1982
  • • 1979 Фотоэлектрические свойства сильно компенсированного Ge(Au,Sb) в условиях подсветки лазером на СО2
    • Авторы: Вавилов В.С., Идалбаев А.М., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Республиканская конференция “Фотоэлектри-ческие явления в полупроводниках”, г. Ужгород, 1979
  • • 1976 ИК излучение из акустоэлектрических доменов в n-GaAs
    • Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • IX Всесоюзная конференция по акустоэлектронике и квантовой акустике., г. Москва, Всесоюзный НИИ физико-технических и радиотехнических измерений, Россия, 1976
  • • 1974 О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77 К
    • Авторы: Матохин В.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • III Всесоюзное совещание по исследованию GaAs “Арсенид галлия”, г. Томск, 1974
  • • 1972 Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs
    • Авторы: Курова И.А., Аносов И.В., Ормонт Н.Н.
    • Ломоносовские чтения - 1972, г. Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 5-7 апреля 1972
  • • 1971 ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
    • Авторы: Аносов И.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Всесоюзная конференция “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”, г. Киев, 1971
  • • 1969 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Авторы: Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
    • Совещание - семинар "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике", 1969
  • • 1965 Об осцилляциях в спектрах фотопроводимости германия при низких температурах.
    • Авторы: Бесфамильная В.А., Остробородова В.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Ломоносовские чтения - 1965, 1965

• Тезисы докладов

  • • 2019 Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:HКурова И.А., Ормонт Н.Н
    • КуроваИ А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г, место издания Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск, том 2, тезисы, с. 331-331 DOI
  • • 2018 Ормонт Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатных
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, Санкт-Петербург Санкт-Петербург, тезисы, с. 61-62
  • • 2017 Аномальный эффект Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.
    • в сборнике Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. – Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с.480, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 135-135
  • • 2016 Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сбонк трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 70-71
  • • 2015 Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400K
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, место издания Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва, тезисы, с. 339-339
  • • 2014 Фотоиндуцированная релаксация проводимости нелегированных пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140С
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года, тезисы, с. 66-68
  • • 2013 "О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния"
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов Xi Российской конференции по физике полупроводников, место издания г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, тезисы, с. 362-362
  • • 2012 О фотоиндуцированных эффектах в пленках аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов VIII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург, тезисы, с. 20-21
  • • 2012 Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатных
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • в сборнике книга тезисов IX Международной конференции и VIII Школы молодых ученых "Кремний-2012", место издания г. Санкт-Петербург, тезисы, с. 305-305
  • • 2011 Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Теисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы молодых ученых и специалистов "Кремний-2011", место издания М.: Изд.дом "МИСиС" г. Москва, тезисы, с. 218-218
  • • 2010 Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды VII Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, место издания ФТИ Санкт-Петербург, тезисы, с. 255-256
  • • 2010 О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докадов VII международной конференции "Кремний-2010", место издания Издательство Нижегородского университета Нижний Новгород, тезисы, с. 88-88
  • • 2009 Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния И
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, место издания Новосибирск, тезисы, с. 240-240
  • • 2008 Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов, место издания г. Черноголовка, ИПТМ РАН, тезисы, с. 144-144
  • • 2007 Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Иоффе П.А.
    • в сборнике Тезисы докладов IV Международной научной конференции "Кремний-2007", место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 42-43
  • • 2007 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2007", место издания г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, тезисы, с. 348-348
  • • 2006 Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург, тезисы, с. 49-50
  • • 2005 Влияние высокотемпературного отжига в потоке водорода на свойства пленок a-Si:H
    • Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы лекций и докладов III Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний. Школа-2005»), место издания Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС) Москва, тезисы, с. 114-115
  • • 2005 Прыжковая е2-проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором
    • Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005", место издания г. Москва, тезисы, с. 306-306
  • • 2005 Электрические свойства легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в потоке водорода
    • Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник докладов , «Ломоносовские чтения-2005», место издания Физический факультет МГУ г. Москва, тезисы, с. 52-54
  • • 2004 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В.
    • в сборнике Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62, место издания СПбГПУ Санкт-Петербург, тезисы, с. 59-60
  • • 2004 Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
    • Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62, место издания СПбГПУ Санкт-Петербург, тезисы, с. 61-62
  • • 2003 Variable range hopping
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в сборнике 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, , 2003. Abstracts, место издания Miramare - Trieste, тезисы
  • • 2003 Прыжковая проводимость в гидрированном аморфном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 431-432
  • • 2003 Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P
    • Курова И.А., Орьонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний 2003»), место издания Москва, МИСиС, тезисы, с. 398-399
  • • 2002 О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в сборнике Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, место издания Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург, тезисы, с. 27-27
  • • 2001 Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А., Звягин И.П.
    • в сборнике V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, место издания Нижний Новгород, тезисы, с. 153-153
  • • 2000 Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов II Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики", место издания Саратов, тезисы, с. 85-86
  • • 2000 Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
    • в сборнике Тез. докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (“Кремний-2000”), Москва, МИСиС, с.255, 2000г.,, место издания Москва, МИСиС, тезисы, с. 355-356
  • • 2000 Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
    • Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство СПбГТУ Санкт-Петербург, тезисы, с. 25-25
  • • 1999 Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г, место издания г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, тезисы, с. 51-52
  • • 1999 Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”, место издания г. Ульяновск, тезисы, с. 57
  • • 1998 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, место издания г. С.-Петербург, тезисы, с. 19
  • • 1997 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Ormont N.N., Zvyagin I.P.
    • в сборнике 17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS. Abstract, место издания Budapest, тезисы, с. 224
  • • 1997 Ormont N.N., P.Roca i Cabarrocas Light-induced photoconductivity decay in undoped a-Si:H films depending on their structural parameters
    • Golikova O.A., Kazanin M.M., Kuznetsov A.N., Kudojarova V.Kh, Kurova I.A., Ormont N.N., Cabarrocas P.Roca i
    • в сборнике 17th Int.Conf.On Amorph. Microcryst.Semicond. Budapest, Abstract, место издания Budapest, тезисы, с. 68
  • • 1997 Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”, место издания г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, тезисы, с. 20-21
  • • 1997 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды международной конференции “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, место издания г. Ульяновск, тезисы, с. 139
  • • 1993 On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanisms in light-soaked a-Si:H films
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в сборнике 15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15, место издания Cambridge, тезисы, с. 254-257
  • • 1993 О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников, место издания г. Нижний Новгород, том 1, тезисы, с. 120
  • • 1992 Структурные изменения в пленках аморфного кремния под воздействием ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения
    • Ананьин О.Б., Багателия Р.З., Быковский Ю.А., Курова И.А., Лупачева А.Н., Ормонт Н.Н., Чистяков А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов конференции “Разработка и освоение аморфных и микрокристаллических материалов”, место издания г. Москва, тезисы, с. 18
  • • 1991 Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”, место издания г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, тезисы, с. 32
  • • 1990 О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновесными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тез. докл. XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников, место издания Киев "Наукова думка" г. Киев, тезисы, с. 148-148
  • • 1989 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
    • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 64-64
  • • 1989 Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
    • в сборнике Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике, место издания г. Одесса, тезисы, с. 64
  • • 1988 Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. г.Кишинев, 1988 г, место издания г. Кишинев, тезисы
  • • 1988 Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
    • Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Дроздов Ю.А., Коробов О.Е., Лупачева А.
    • в сборнике Тезсы докладов Всесоюзного совещания “Перспективы развития Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии ”, место издания г .Геленджик, тезисы, с. 75-76
  • • 1983 Фотопроводимость, оптическое поглощение и электрический перенос в пленках аморфного гидрогенизированного кремния
    • Вавилов В.С., Казанский А.Г., Курова И.А., Миличевич Е.П., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Материалы конференции «Ломоносовские чтения» Москва, тезисы, с. 56-56
  • • 1982 Фотоионизация электронов с дважды отрицательно заряженных ионов золота в n-Ge
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, место издания ”Наукова думка” г. Киев, тезисы, с. 159-160
  • • 1982 Фотопроводимость германия при ионизации электронов с дважды отрицательно заряженного примесного центра квантами света с энергией, меньшей термической энергии ионизации
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, место издания Изд-во “ЭЛМ” г. Баку, тезисы, с. 231-232
  • • 1979 Фотоэлектрические свойства сильно компенсированного Ge(Au,Sb) в условиях подсветки лазером на СО2
    • Вавилов В.С., Идалбаев А.М., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов респ. конф. “Фотоэлектри-ческие явления в полупроводниках”, место издания Киев “Наукова думка” г. Киев, тезисы
  • • 1976 ИК излучение из акустоэлектрических доменов в n-GaAs
    • Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике, место издания Всесоюзный НИИ физико-технических и радиотехнических измерений г. Москва, тезисы, с. 32
  • • 1974 О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77К
    • Курова И.А., Матохин В.В., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник докладов III-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs “Арсенид галлия”, место издания г. Томск, тезисы, с. 203
  • • 1972 ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости
    • Аносов И.В., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Доклады Всесоюзной конференции “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”, место издания Издательство ”Наукова думка” г. Киев, тезисы, с. 5
  • • 1972 Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs
    • Аносов И.В., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов научной конф.”Ломоносовские чтения”, 1972, с.29, место издания Издательство МГУ г. Москва, тезисы, с. 29

• НИРы

  • • 1 января 1999 - 31 декабря 2025 Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
    • Физический факультет
    • Руководители: Днепровский В.С., Снигирев О.В. Участники НИР: Белогорохова Л.И., Васильев А.А., Днепровский В.С., Звягин И.П., Казанский А.Г., Козлова М.В., Кошелев О.Г., Краевский М.В., Курова И.А., Лебедев А.И., Манцевич В.Н., Мещерякова О.И., Миронов А.Г., Ормонт М.А., Ормонт Н.Н., Савинов В.П., Случинская И.А., Смирнов А.М., Сухова Н.И., Хенкин М.В., Чукичев М.В., Юнович А.Э., Якунин В.Г.

• Отчеты

  • • 2014 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
    • Авторы: Днепровский Владимир Самсонович, Звягин Игорь Петрович, Казанский Андрей Георгиевич, Козлова Мария Владимировна, Кошелев Олег Григорьевич, Курова Ида Александровна, Лебедев Александр Иванович, Манцевич Владимир Николаевич, Миронов Александр Григорьевич, Ормонт Михаил Александрович, Ормонт Наталия Николаевна, Случинская Ирина Александровна, Смирнов Александр Михайлович, Сухова Наталья Ивановна, Чукичев Михаил Васильевич, Юнович Александр Эммануилович, Хенкин Марк Вадимович
    • #01990001318, 9 с.
  • • 2003 Электронные процессы, связанные с образованием метастабильных состояний в неоднородных гомофазных и гетерофазных материалах полупроводниковой электроники
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Форш П.А.
    • #УР.01.03.004, 11 с.
  • • 1988 "Изучение механизмов деградации фотоэлектрических слоев и структур на основе a-Si:H и a-SiC:H"
    • Авторы: Вавилов В.С., Остробородова В.В., Бонч-Бруевич В.Л., Курова И.Ф., Ормонт Н.Н., Казанский А.Г., Миличевич Е.П., Понарина Е.Н., Мелешко Н.В.
    • #х/д тема 45/86, 130 с.
  • • 1977 "Исследование взаимодействия электромагнитного излучения с электронной системой в кристаллах полупроводников"
    • Авторы: Вавилов В.С., Бонч-Бруевич В.Л., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • #внутри факультете, 200 с.

• Диссертация

  • • 1975 Оптические и электрические свойства акусто-электрических доменов GaAs n-типа
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Ормонт Наталия Николаевна, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научные руководители: Вавилов В.С., Курова И.А., к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К 53.05.20 при МГУ, физический факультет

• Руководство дипломными работами

  • • 2017 Влияние предварительной подсветки на последующую релаксацию фотоиндуцированной проводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии при T>400К.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Кузнецов Сергей Михайлович (Магистр)
  • • 2015 Гистерезис проводимости пленок аморфного гидрированного кремния после освещения
    • Научные руководители: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Автор: Кузнецов С.М. (Бакалавр)
  • • 2010 Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H
    • Научные руководители: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Автор: Северов И.В. (Специалист)
  • • 2008 Фотоэлектрические свойства слоистых пленок аморфного гидрированного кремния.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Кирилюк Н.А. (Специалист)
  • • 2007 Фотоиндуцированные метастабильные дефекты в высокоомных пленках a-Si:H
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Иоффе П.А. (Специалист)
  • • 2004 Светоиндуцированный отжиг метастабильных сотояний в аморфном гидрогенизированном кремнии, слабо легированном бором
    • Научный руководитель: Ормонт Н.Н.
    • Автор: Прокофьев Г.В., (Специалист)
  • • 2000 Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H, легированных бором
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Рыков М.В. (Специалист)
  • • 1997 Кинетика релаксации метастабильных состояний в нелегированных пленках a-Si:H
    • Научный руководитель: Ормонт Н.Н.
    • Автор: Лушин Р.Н. (Специалист)
  • • 1995 Исследование влияния высокотемпературного отжига на спектральную зависимость коэффициента поглощения света в легированных пленках a-Si:H методом посьоянного фототока
    • Научный руководитель: Ормонт Н.Н.
    • Автор: Джиха Банколе Дидье (Специалист)
  • • 1993 Влияние мощного светового облучения на фотоэлектрические свойства пленок аморфного гидрированного кремния, легированного бором
    • Научный руководитель: Ормонт Н.Н.
    • Автор: Юсина С.Ю. (Специалист)
  • • 1990 Изучение образования и отжига светоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H.
    • Научные руководители: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Автор: Пенина О.А. (Специалист)
  • • 1989 Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Мелешко Н.В. (Специалист)
  • • 1987 Исследование фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H с имплантированными ионами P и B
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Лапина И.Ю. (Специалист)
  • • 1986 Фотоэлектрические свойства легированных фосфором пленок a-Si:H
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Тарасова О.А. (Специалист)
  • • 1985 Исследование фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Подругина В.Д. (Специалист)
  • • 1984 Исследование ИК фотопроводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Фуксина С.А. (Специалист)
  • • 1982 Исследование примесной фотопроводимости германия с частично компенсированным вторым акцепторным уровнем золота при энергиях фотонов меньше энергии ионизации примеси.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Карягина О.К. (Специалист)
  • • 1975 Инфракрасное излучение из акустоэлектрического домена в арсениде галлия.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Яблоновский И.В. (Специалист)
  • • 1973 Исследование акустоэлектрической неустойчивости в монокристаллических эпитаксиальных пленках GaAs при азотной температуре
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Рудь Н.А. (Специалист)
  • • 1973 Исследование акустоэлектрической неустойчивости в монокристаллических эпитаксиальных пленках GaAs при азотной температуре
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Рудь Н.А. (Специалист)
  • • 1973 ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотных температурах
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Матохин В.В. (Специалист)
  • • 1971 Исследование некоторых электрических и оптических свойств акустоэлектрических доменов в GaAs.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Аносов И.В., (Специалист)
  • • 1969 Акустоэлектрическая неустойчивость в GaAs.
    • Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Автор: Петров Ю. (Специалист)

---