ИСТИНА

Дмитриев Алексей Владимирович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, профессор, с 1 мая 1977

доктор физико-математических наук с 1991 года

профессор по кафедре физики низких температур и сверхпроводимости с 29 мая 1996 г.

Соавторы: Pupysheva O.V., Бенеславский С.Д., Babenko N.I., Масюков Н.А., Хохлов Д.Р., Oruzheinikov A.L., Салимов Н.С., Ткачева Е.В., Hiroshi M., Kozhanov A.E., Shklover V., Yoshiyuki K., Артамкин А.И. показать полностью..., Васильев А.Н., Звягин И.П., Нольтинг В., Рябова Л.И., Хохлов А.Р., AKIMOV B., Akimov B.A., Mizuseki H., Nicorici A.V., Акимов Б.А., Баграташвили В.Н., Евлюхин А.Б., Никорич А.В., Скипетров Е.П., Скипетрова Л.А., Флейшман Л.С.

103 статьи, 12 книг, 5 докладов на конференциях, 33 тезисов докладов, 5 НИР, 1 членство в редколлегии журнала, 1 членство в диссертационном совете, 5 диссертаций, 11 дипломных работ, 13 учебных курсов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 543, Scopus: 365

IstinaResearcherID (IRID): 1912106

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2019 Thermoelectric Characteristics of Heavily Doped p-Type Lead Telluride at Different Heavy-Hole Band Depths
    • Dmitriev A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 4, с. 419-427 DOI
  • • 2019 Термоэлектрические характеристики сильно легированного теллурида свинца p-типа при разной глубине зоны тяжелых дырок
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 4, с. 441-449 DOI
  • 
    • 2018 Calculation of the Thermoelectric Characteristics of Lead Telluride at a High Level of Acceptor Doping
    • Dmitriev A.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 73, № 6, с. 674-677 DOI
  • 
    • 2018 Effect of heavy hole band depth on the thermoelectric properties of highly doped p-type lead telluride
    • Dmitriev A.V.
    • в журнале Materials Research Express, том 6, № 1, с. 015512-1-015512-9 DOI
  • 
    • 2018 High doping effect on the thermoelectric properties of p-type lead telluride
    • Dmitriev A.V.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 123, № 16, с. 165707-1-165707-3 DOI
  • 
    • 2018 Hot Electrons in In{x}Ga{1–x}N and In{x}Al{1–x}N Binary Solid Solutions
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 73, № 3, с. 325-328 DOI
  • • 2018 Горячие электроны в бинарных твердых растворах In{x}Ga{1−x}N и In{x}Al{1−x}N
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 3, с. 90-93
  • • 2018 Расчет термоэлектрических характеристик теллурида свинца при высоком уровне акцепторного легирования
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 6, с. 95-98
  • 
    • 2017 Heavy hole effect on the thermoelectric properties of highly doped p-type lead telluride
    • Babenko N.I., Dmitriev A.V.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 121, № 2, с. 025704-1-025704-5 DOI
  • 
    • 2017 High field electron transport in indium gallium nitride and indium aluminium nitride
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 122, № 6, с. 065701-1-065701-4 DOI
  • 
    • 2017 The Effect of the Heavy-Hole Band on the Thermoelectric Figure-of-Merit of Heavily Doped p-Type Lead Telluride
    • Babenko N.I., Dmitriev A.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 72, № 6, с. 587-590 DOI
  • 
    • 2017 Thermoelectric Figure-of-Merit Calculations in Heavily Doped p-Type Lead Telluride
    • Babenko N.I., Dmitriev A.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 72, № 6, с. 582-586 DOI
  • • 2017 Влияние зоны тяжелых дырок на термоэлектрическую эффективность сильно легированного теллурида свинца p-типа
    • Бабенко Н.И., Дмитриев А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 6, с. 84-87
  • • 2017 Вычисление термоэлектрической эффективности сильно легированного теллурида свинца p-типа
    • Бабенко Н.И., Дмитриев А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 6, с. 79-83
  • 
    • 2014 Calculation of the Thermoelectric Characteristics of n- and p- type PbTe Using a Three-Band Electron Spectrum Model
    • Dmitriev A.V., Tkacheva E.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 69, № 3, с. 243-250 DOI
  • 
    • 2014 Calculation of the Thermoelectric Properties of n- and p-Type Lead Telluride Using a Three-Band Model of the Electron Energy Spectrum
    • DMITRIEV A.V., TKACHEVA E.S.
    • в журнале Journal of Electronic Materials, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 43, № 4, с. 1280-1288 DOI
  • 
    • 2014 Influence of metal doping on optical properties of Si nanoparticles
    • Evlyukhin A.B., Stepanov A.L., Dmitriev A.V., Akhmanov A.S., Bagratashvili V.N., Chichkov B.N.
    • в журнале Optics Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 316, с. 56-60 DOI
  • • 2014 Вычисление термоэлектрических величин PbTe в трехзонной модели электронного энергетического спектра
    • Дмитриев А.В., Ткачева Е.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 3, с. 44-50
  • 
    • 2011 A new numerical method for the solution of the Boltzmann equation in the semiconductor nonlinear electron transport problem
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Journal of Mathematical Sciences, издательство Plenum Publishers (United States), том 172, № 6, с. 811-823 DOI
  • 
    • 2011 Calculation of PbTe transport coefficients in three-band structures
    • Tkacheva E.S., Dmitriev A.V.
    • в журнале AIP Conference Proceedings, том 1416, с. 126-130 DOI
  • 
    • 2011 Hot electrons in wurtzite indium nitride
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 109, № 2, с. 023706 DOI
  • 
    • 2011 Numerical simulation of light propagation through a diffuser
    • Dmitriev A.V., Ivanov A.V., Khokhlov A.R.
    • в журнале Journal of Mathematical Sciences, издательство Plenum Publishers (United States), том 172, № 6, с. 782-787 DOI
  • 
    • 2010 Current trends in the physics of thermoelectric materials
    • Dmitriev A.V., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physics Uspekhi, издательство Russian Academy of Sciences (Russian Federation), том 53, № 8, с. 789-803 DOI
  • • 2010 Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов
    • Дмитриев А.В., Звягин И.П.
    • в журнале Успехи физических наук, издательство Наука (М.), том 180, № 8, с. 821-838
  • 
    • 2009 Hot Electrons in Indium Nitride: a New Numerical Approach to Solving the Electron Transport Problem
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 64, № 4, с. 423-429 DOI
  • • 2009 Hot electrons in wurtzite indium nitride: a new numerical approach
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Moldavian Journal of the Physical Sciences, том 8, № 1, с. 17-22
  • • 2009 Горячие электроны в нитриде индия. Новый метод численного решения задачи электронного транспорта
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 63-68
  • 
    • 2009 Новый метод численного решения уравнения Больцмана в задаче нелинейного электронного транспорта в полупроводниках
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в журнале Фундаментальная и прикладная математика, издательство Интуит (М.), том 15, № 6, с. 77-97
  • 
    • 2009 Численное моделирование распространения света через диффузор
    • Дмитриев А.В., Иванов А.В., Хохлов А.Р.
    • в журнале Фундаментальная и прикладная математика, издательство Интуит (М.), том 15, № 6, с. 33-41
  • 
    • 2007 Approximation formulas in the Debye theory of the low-temperature specific heat of solids
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 71, с. 1076-1078 DOI
  • 
    • 2007 Interband breakdown in a Kane semiconductor with a degenerate hole distribution
    • Evlyukhin A.B., Dmitriev A.V., Artamkin A.
    • в журнале AIP Conference Proceedings, том 893, с. 141-142 DOI
  • 
    • 2007 Photoconductivity of the Pb0.75Sn0.25Te : In alloy in an alternating electric field
    • Kozhanov A.E., Nikorich A.V., Ryabova L.I., Khokhlov D.R., Dmitriev A.V., Shklover V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 41, № 6, с. 663-665 DOI
  • • 2007 Аппроксимационные формулы в дебаевской теории низкотемпературной теплоёмкости твёрдых тел
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 71, № 8, с. 1111-1113
  • • 2007 Фотопроводимость твердого раствора Pb0.75Sn0.25Te(In) в переменном электрическом поле
    • Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Дмитриев А.В., Shklover V.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 41, № 6, с. 683-686
  • 
    • 2006 Transition between N- and Z-shaped current-voltage characteristics in semiconductor multiple-quantum-well structures
    • Pupysheva O.V., Dmitriev A.V., Farajian A.A., Mizuseki H., Kawazoe Y.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 100, № 3, с. 033718 DOI
  • • 2005 James F. Annett. Superconductivity, superfluids and condensates, Oxford University Press (Oxford master series in condensed matter physics): 2004; 186 pages (approximate price $40). BOOK REVIEW
    • Dmitriev Alexey V.
    • в журнале Materials Research Bulletin, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 40, № 7, с. 1233-1234 DOI
  • 
    • 2005 Z-shaped current-voltage characteristics of disordered semiconductor superlattices
    • Pupysheva O., Dmitriev A., Kozhanov A.
    • в журнале AIP Conference Proceedings, том 772, с. 1005-1006 DOI
  • 
    • 2004 Details of the thermodynamical derivation of the Ginzburg-Landau equations
    • Dmitriev A.V., Nolting W.
    • в журнале Superconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 17, № 3, с. 443-447 DOI
  • 
    • 2004 О деталях термодинамического вывода уравнений Гинзбурга-Ландау
    • Дмитриев А.В., Нольтинг В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 58-61
  • 
    • 2003 Disorder and its effect on the electron tunneling and hopping transport in semiconductor superlattices
    • Pupysheva O.V., Dmitriev A.V.
    • в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 18, № 1-3, с. 290-291 DOI
  • 
    • 2001 Electron spectrum and infrared transitions in semiconductor superlattices with a unit cell allowing for quasi-localised carrier states
    • Dmitriev A., Keiper R., Makeev V.V.
    • в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 11, № 4, с. 391-397 DOI
  • 
    • 2001 Vertical electron transport in short intentionally disordered superlattices in finite electric field
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V., Thomas P.
    • в журнале PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, том 9, с. 169-185
  • 
    • 2000 Subband structure and optical transitions in a superlattice with electron quasi-localised states in unit cell
    • Dmitriev A.V., Makeev V.V.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 579, с. 193-199
  • • 2000 Туннельная прозрачность сверхрешеток с контролируемым беспорядком в электрическом поле
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 1, с. 39-43
  • • 2000 Электронный спектр и оптические переходы в сверхрешетках с квазилокализованными состояниями в элементарной ячейке
    • Дмитриев А.В., Макеев В.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 45-48
  • 
    • 1999 On the problem of the spontaneous exchange-driven electron interwell re-population in semiconductor quantum wells
    • Dmitriev A.V.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 14, № 9, с. 852-856 DOI
  • 
    • 1999 The rate of radiative recombination in the nitride semiconductors and alloys
    • Dmitriev A., Oruzheinikov A.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 86, № 6, с. 3241-3246 DOI
  • 
    • 1997 Electron impact ionization in p-type degenerate narrow-gap semiconductors with a Kane band dispersion law
    • Dmitriev A.V., Evlyukhin A.B.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 12, № 1, с. 29-34 DOI
  • 
    • 1997 Interband radiative recombination calculations in ternary nitride solid solutions
    • Dmitriev A.V., Oruzheinikov A.L.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 482, с. 851-855 DOI
  • 
    • 1997 Threshold and probability of impact ionization by electrons in narrow-gap p-type semiconductors with highly degenerate holes
    • Dmitriev A.V., Evlyukhin A.B.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Russian Academy of Sciences (Russian Federation), том 39, № 2, с. 240-244 DOI
  • 
    • 1996 Radiative recombination rates in GaN, InN, AlN and their solid solutions
    • Dmitriev A.V., Oruzheinikov A.L.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 423, с. 69-73
  • 
    • 1996 The influence of quasi-localized carrier states on the optical properties of size-quantizing structures
    • Dmitriev A.V., Keiper R., Makeev V.V.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 11, № 12, с. 1791-1795 DOI
  • 
    • 1996 The rate of radiative recombination in the nitride semiconductors and alloys
    • Dmitriev A.V., Oruzheinikov A.L.
    • в журнале MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, том 1, с. 5
  • 
    • 1995 AUGER-RECOMBINATIONS IN P-TYPE DEGENERATE NARROW GAR SEMICONDUCTORS
    • DMITRIEV AV, EVLYUKHIN AB
    • в журнале IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA, том 59, № 8, с. 122-126
  • 
    • 1995 INTERBAND AUGER TRANSITIONS AND CHARGE-CARRIER LIFETIME IN DEGENERATE, NARROW-GAP, P-TYPE SEMICONDUCTORS
    • DMITRIEV AV, EVLYUKHIN AB
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 29, № 10, с. 905-909
  • 
    • 1995 RECOMBINATION AND IONIZATION IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS
    • DMITRIEV AV, MOCKER M.
    • в журнале Physics Reports-Review Section of Physics Letters, том 257, № 2, с. 85-131 DOI
  • 
    • 1994 INTERBAND AND IMPURITY BREAKDOWN IN A SEMICONDUCTOR WITH AN IMPURITY BAND IN A HIGH-ELECTRIC-FIELD
    • DMITRIEV AV, EVLYUKHIN AB
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 11, с. 2056-2066 DOI
  • 
    • 1993 CARRIER TRANSPORT AND NONEQUILIBRIUM PHENOMENA IN DOPED PBTE AND RELATED MATERIALS
    • AKIMOV BA, DMITRIEV AV, KHOKHLOV DR, RYABOVA LI
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 137, № 1, с. 9-55 DOI
  • 
    • 1993 Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials
    • Akimov B.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 137, с. 9-55 DOI
  • 
    • 1993 INTERZONAL AND ADMIXED BREAKDOWN IN THE ELECTRIC-FIELD IN SEMICONDUCTORS WITH ADMIXED ZONE
    • DMITRIEV AV, EVLYUKHIN AB
    • в журнале Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki, том 104, № 6, с. 4094-4106
  • 
    • 1993 RESONANT-TUNNELING AND SPREADING OF WAVE-PACKETS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 13, № 3, с. 335-340 DOI
  • 
    • 1993 Межзонный и примесный пробой в полупроводнике с примесной зоной
    • Дмитриев А.В., Евлюхин А.Б.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 104, № 6(12), с. 4094-4106
  • 
    • 1990 CALCULATION OF THE AUGER LIFETIME OF DEGENERATE CARRIERS IN THE MANY-VALLEY NARROW GAP SEMICONDUCTORS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 74, № 7, с. 577-581 DOI
  • 
    • 1990 ELECTRON-TRANSPORT IN SEMICONDUCTORS WITH RESONANCE LEVELS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 32, № 12, с. 3647-3653
  • 
    • 1990 HIGH-FIELD ELECTRON KINETICS IN ZERO-GAP SEMICONDUCTORS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 5, № 1, с. 1-6 DOI
  • 
    • 1990 HOT-ELECTRONS IN SEMICONDUCTORS WITH LONG-LIVED RESONANCE IMPURITY STATES
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 74, № 4, с. 237-241 DOI
  • 
    • 1990 Электронный транспорт в полупроводниках с резонансными уровнями
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 32, № 12, с. 3647-3653
  • 
    • 1989 HOT-ELECTRON TRANSPORT IN GAPLESS SEMICONDUCTORS WITH SCATTERING ON OPTICAL PHONONS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 31, № 1, с. 256-263
  • 
    • 1989 ON THE DETERMINATION OF THE RESONANT TUNNELLING TIME
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 1, № 39, с. 7033-7036 DOI
  • 
    • 1989 Транспорт горячих электронов в бесщелевых полупроводниках с учетом рассеяния на оптических фононах
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 31, № 1, с. 256-263
  • 
    • 1987 EFFECT OF ELECTRON DISPERSION IN QUASI-LOCAL STATES ON A LINEAR ELECTROTRANSPORT IN SEMICONDUCTORS
    • BENESLAVSKII SD, DMITRIEV AV, SALIMOV NS
    • в журнале Fizika Nizkikh Temperatur, том 13, № 6, с. 670
  • 
    • 1987 SOME FEATURES OF THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTORS ON RESONANT SCATTERING OF ELECTRONS
    • BENESLAVSKII S.D., DMITRIEV A.V., SALIMOV N.S.
    • в журнале Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki, том 92, № 1, с. 305-310
  • 
    • 1987 Влияние рассеяния электронов на квазилокальных состояниях на нелинейный электроперенос в полупроводниках
    • Бенеславский С.Д., Дмитриев А.В., Салимов Н.С.
    • в журнале Физика низких температур, издательство Физ.-техн. ин-т низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины (Харьков), том 13, № 6, с. 670
  • 
    • 1987 Особенности вольт-амперных характеристик полупроводников при резонансном рассеянии электронов
    • Бенеславский С.Д., Дмитриев А.В., Салимов Н.С.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 92, № 1, с. 305-310
  • 
    • 1986 ELECTROMAGNETIC-EXCITATION OF ULTRASOUND IN DOPED SUPERLATTICES
    • BENESLAVSKII S.D., VASILEV A.N., DMITRIEV A.V.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 20, № 4, с. 481-482
  • 
    • 1986 PINCH EFFECT IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR WITH SYMMETRICAL ELECTRON AND HOLE SPECTRA
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 20, № 4, с. 437-439
  • 
    • 1986 S-TYPE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF INTERBAND BREAKDOWN IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR UNDER SIZE EFFECT CONDITIONS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 20, № 7, с. 764-767
  • • 1986 S-образная вольтамперная характеристика полупроводника в условиях межзонного пробоя
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 20, № 7, с. 1209-1213
  • • 1986 Пинч-эффект в узкозонном полупроводнике с симметричными спектрами электронов и дырок
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 20, № 4, с. 692-695
  • • 1986 Электромагнитное возбуждение ультразвука в легированных сверхрешётках
    • Бенеславский С.Д., Васильев А.Н., Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 20, № 4, с. 760-762
  • 
    • 1984 Charge carrier capture on semiconductor Coulomb centers with excitation of local center oscillations
    • Dmitriev A.V., Davidova I.E.
    • в журнале Soviet Physics Journal, том 27, № 5, с. 383-385 DOI
  • • 1984 Захват носителей на кулоновские центры в полупроводнике с возбуждением локальных колебаний центра
    • Давидова И.Е., Дмитриев А.В.
    • в журнале Известия вузов. Физика, № 5, с. 37-39
  • 
    • 1983 IMPURITY RECOMBINATION IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR ACCOMPANIED BY EXCITATION OF LOCAL PHONONS
    • DMITRIEV AV
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 17, № 12, с. 1423-1424
  • 
    • 1983 PINCH-EFFECT IN NARROW GAP SEMICONDUCTORS IN THE INTERBAND BREAKTHROUGH REGIME
    • DMITRIEV AV, FLEISHMAN LS
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 25, № 2, с. 416-422
  • 
    • 1983 Пинч-эффект в узкозонном полупроводнике в режиме развитого межзонного пробоя
    • Дмитриев А.В., Флейшман Л.С.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 25, № 2, с. 416-422
  • • 1983 Примесная рекомбинация в узкозонном полупроводнике с возбуждением локальных фононов
    • Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 17, № 12, с. 2222-2224
  • 
    • 1981 AUGER TRANSITIONS IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS WITH LAX BAND-STRUCTURE
    • BENESLAVSKII SD, DMITRIEV AV
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 39, № 7, с. 811-814 DOI
  • 
    • 1979 CALCULATION OF IV CURVES IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS WITH SYMMETRIC ELECTRON AND HOLE ENERGY DISPERSION LAWS
    • BENESLAVSKII SD, DMITRIEV AV
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 32, № 12, с. 1175-1179 DOI
  • 
    • 1978 Hot-electrons in narrow semiconductors with symmetrical spectra of carriers
    • Beneslavskii SD, Dmitriev AV
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 20, № 6, с. 1668-1676
  • 
    • 1978 Горячие электроны в узкозонных полупроводниках с симметричными спектрами носителей
    • Бенеславский С.Д., Дмитриев А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 20, № 6, с. 1668-1676

• Статьи в сборниках

  • 
    • 2011 Calculation of PbTe transport coefficients in three-band structures
    • Tkacheva E.S., Dmitriev A.V.
    • в сборнике 15th International Conference on Narrow Gap Systems, NGS15; Blacksburg, VA; United States; 1 August 2011 through 5 August 2011, серия AIP Conference Proceedings, место издания AIP, том 1416, с. 126-130 DOI
  • 
    • 2007 Electron interband breakdown in a Kane semiconductor with a degenerate hole distribution
    • Dmitriev A.V., Evlyukhin A.B.
    • в сборнике Narrow Gap Semiconductors 2007: Proceedings of the 13th International Conference, 8-12 July, 2007, Guildford, UK, Ed. by B.N.Murdin and S.K.Clowes, серия Springer Proceedings in Physics, место издания Springer, Dordrecht, Netherlands, and Canopus Publishing Ltd., Bristol, UK, том 119, с. 53-56
  • 
    • 2007 Interband breakdown in a Kane semiconductor with a degenerate hole distribution
    • Evlyukhin A.B., Dmitriev A.V., Artamkin A.
    • в сборнике PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Vienna, Austria, July 24-28, 2006, серия AIP Conference Proceedings, издательство AIP Publishing (United States), том 893, с. 141-142
  • • 2006 Аппроксимационная формула в дебаевской теории низкотемпературной теплоёмкости твёрдых тел
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в сборнике 34 Совещание по физике низки х температур. Труды, место издания Изд-во РГПУ Ростов-на-Дону, том 1, с. 143-143
  • • 2006 Детали термодинамического вывода уравнений Гинзбурга-Ландау
    • Дмитриев А.В., Нольтинг В.
    • в сборнике 34 Совещание по физике низких температур. Труды, место издания Изд-во РГПУ Ростов-на-Дону, том 2, с. 212-213
  • 
    • 2005 Z-shaped current-voltage characteristics of disordered semiconductor superlattices
    • Pupysheva Olga, Dmitriev Alexey, Kozhanov Alexander
    • в сборнике Physics of Semiconductors: 27th Int. Conf. on the physics of semiconductors ICPS-27, Flagstaff, Arizona, 26-30 July 2004, Part B, Ed. Jose Menendez and Chris G. Van de Walle, серия AIP Conference Proceedings, место издания Melville, New York, том 772, с. 1005-1006 DOI
  • • 2003 Modelling vertical tunneling in semiconductor multiple quantum well structures: effect of the disorder in layer parameters
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V.
    • в сборнике "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures". Reviews and Short Notes to "Nanomeeting-2003", Minsk, Belarus, May 20-23, 2003, ed. by Borisenko V.E., Gaponenko S.V., and Gurin V.S, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), с. 198-200
  • • 2002 Влияние беспорядка в полупроводниковых сверхрешетках на вертикальное туннелирование в электрическом поле
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике Физика электронных материалов: материалы Международной конференции. Калуга, 1-4 октября 2002 г, место издания Калуга, с. 256-257
  • • 2002 Влияние беспорядка в полупроводниковых сверхрешетках на вертикальное туннелирование в электрическом поле
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике Физика электронных материалов: материалы Международной конференции (ФИЭМ'02). 1-4 октября 2002 г., Калуга, место издания Издательство КГПУ им. К.Э.Циолковского Калуга, с. 256-257
  • • 2002 Влияние беспорядка в полупроводниковых сверхрешётках на вертикальное туннелирование в электрическом поле
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике Физика электронных материалов: материалы Международной конференции. Калуга, 1-4 октября 2002 г, место издания Калуга, с. 256-257
  • • 2001 A superlattice with resonant states in a unit cell: The band structure and electron transitions
    • Dmitriev A.V., Keiper R., Makeyev V.V.
    • в сборнике NANOMEETING-2001, 22-25 May 2001, Minsk, Belarus, место издания Minsk, с. 110-113
  • • 2001 I-V curves of short intentionally disordered superlattices in vertical direction
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V., Thomas P.
    • в сборнике Nanotubes and Nanostructures 2001, 18-27 October 2001, Frascati-Roma, Italy, место издания Frascati-Roma, Italy, с. 103-103
  • • 2001 I-V curves of short intentionally disordered superlattices in vertical direction
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V., Thomas P.
    • в сборнике NANOMEETING-2001, 22-25 May 2001, Minsk, Belarus, место издания Minsk, с. 122-125

• Книги

  • • 2018 Основы статистической физики конденсированного состояния
    • Дмитриев А.В.
    • место издания Editorial URSS Москва, ISBN 978-5-9710-5433-7, 688 с.
  • • 2017 Лекции по статистической физике
    • Дмитриев А.В.
    • место издания Ленанд-URSS Москва, ISBN 978-5-9710-4327-0, 451 с.
  • • 2004 Основы статистической физики материалов
    • Дмитриев А.В.
    • место издания Изд-во МГУ, изд-во "Наука" Москва, ISBN 5-211-04830-X, 5-02-033538-X, 668 с.
  • • 2001 Статистическая физика: кинетика газов
    • Дмитриев А.В.
    • место издания УНЦ ДО МГУ Москва, 112 с.
  • • 2000 Статистическая физика: фазовые переходы второго рода, броуновское движение
    • Дмитриев А.В.
    • место издания УНЦ ДО МГУ Москва, 100 с.
  • • 1998 Программа вступительного экзамена по физике в аспирантуру ВК-ФНМ МГУ
    • Акимов Б.А., Дмитриев А.В., Меликов Ю.В., Скипетров Е.П., Скипетрова Л.А.
    • место издания ВК-ФНМ МГУ Москва, 6 с.
  • • 1996 Решение нелинейных уравнений, Построение таблиц (Практикум по численным методам и программированию, задача)
    • Дмитриев А.В.
    • место издания Москва, 9 с.
  • • 1987 Решение нелинейных уравнений. Построение таблиц (Задача 3)
    • Дмитриев А.В.
    • место издания ЛФОП Физ. ф-та МГУ Москва, 8 с.
  • • 1985 Использование библиотечных программ в интерактивном режиме (Математический практикум, задачи 1, 2)
    • Дмитриев А.В.
    • место издания ЛФОП Физ. ф-та МГУ Москва, 11 с.
  • • 1985 Минимизация функций многих переменных (Практикум по численным методам и программированию, задача)
    • Дмитриев А.В.
    • место издания Москва, 10 с.
  • • 1982 Ввод и отладка программы на ЭВМ "Норд 10/100"
    • Дмитриев А.В.
    • место издания ЛФОП Физ. ф-та МГУ Москва, 24 с.
  • • 1982 Операционная система СИНТРАН III/ВС (для ЭВМ "Норд 10/100")
    • Парчевская Л.Н., Дмитриев А.В.
    • место издания ЛФОП Физ. ф-та МГУ Москва, 25 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2017 Термоэлектрические свойства теллурида свинца и зона тяжёлых дырок (Стендовый)
    • Авторы: Дмитриев А.В., Бабенко Н.И.
    • XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, Россия, 2-6 октября 2017
  • • 2015 Влияние зоны тяжёлых дырок на термоэлектрические величины теллурида свинца. (Стендовый)
    • Авторы: Ткачева Е.С., Дмитриев А.В.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 21-25 сентября 2015
  • • 2015 Дрейфовая скорость электронов в сильных электрических полях в твёрдых растворах In{x}Ga{1-x}N и In{x}Al{1-x}N. (Стендовый)
    • Авторы: Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 21-25 сентября 2015
  • • 2015 Влияние тяжёлых дырок на термоэлектрические характеристики PbTe. (Стендовый)
    • Авторы: Ткачева Е.С., Дмитриев А.В.
    • XXXVII совещание по физике низких температур, Казань, 29 июня — 3 июля 2015., Казань, Россия, 29 июня - 3 июля 2015
  • • 2015 Расчёт электронных вольт-амперных характеристик в твёрдых растворах In{x}Ga{1-x}N и In{x}Al{1-x}N. (Стендовый)
    • Авторы: Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • XXXVII совещание по физике низких температур, Казань, 29 июня — 3 июля 2015., Казань, Россия, 29 июня - 3 июля 2015

• Тезисы докладов

  • • 2017 Термоэлектрические свойства теллурида свинца и зона тяжёлых дырок
    • Бабенко Н.И., Дмитриев А.В.
    • в сборнике XIII Российская конференция по физике полупроводников , Екатеринбург, 2–6 октября 2017г. Тезисы докладов, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 44-44
  • • 2015 Влияние зоны тяжёлых дырок на термоэлектрические величины теллурида свинца
    • Дмитриев А.В., Ткачева Е.С.
    • в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 232-232
  • • 2015 Влияние тяжёлых дырок на термоэлектрические характеристики PbTe
    • Дмитриев А.В., Ткачева Е.С.
    • в сборнике XXXVII совещание по физике низких температур, Казань, 29 июня — 3 июля 2015. Программа, тезисы докладов, тезисы, с. 204-204
  • • 2015 Дрейфовая скорость электронов в сильных электрических полях в твёрдых растворах In{x}Ga{1-x}N и In{x}Al{1-x}N
    • Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • в сборнике XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 231-231
  • • 2015 Расчёт электронных вольт-амперных характеристик в твёрдых растворах In{x}Ga{1-x}N и In{x}Al{1-x}N
    • Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • в сборнике XXXVII совещание по физике низких температур, Казань, 29 июня — 3 июля 2015. Программа, тезисы докладов, тезисы, с. 203-203
  • • 2013 Вычисление термоэлектрических характеристик PbTe с использованием трёхзонной модели электронного энергетического спектра
    • Дмитриев А.В., Ткачёва Е.С.
    • в сборнике XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013, Тезисы докладов, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2013, место издания Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург, тезисы, с. 146-146
  • • 2013 Транспорт горячих электронов в In(x)Ga(1-x)N и In(x)Al(1-x)N
    • Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • в сборнике XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013, Тезисы докладов, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2013, место издания Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург, тезисы, с. 145-145
  • • 2012 Вычисление термоэлектрических характеристик PbTe с использованием трёхзонной модели электронного энергетического спектра
    • Дмитриев А.В., Ткачёва Е.С.
    • в сборнике 36 совещание по физике низких температур. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 2 – 6 июля 2012, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 188-188
  • • 2012 Горячие электроны в полупроводниках-нитридах
    • Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • в сборнике 36 совещание по физике низких температур. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 2 – 6 июля 2012, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 206-206
  • • 2011 Горячие электроны в нитриде индия
    • Дмитриев А.В., Масюков Н.А.
    • в сборнике X Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г., тезисы конференции, место издания Нижний Новгород, тезисы, с. 9-9
  • • 2009 Нелинейный электронный транспорт в InN и твёрдых растворах на его основе при низких температурах
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в сборнике 35 совещание по физике низких температур. Тезисы докладов. Черноголовка, 29 сентября – 2 октября 2009, место издания Москва, тезисы, с. 276-277
  • • 2008 Hot electrons in wurtzite indium nitride: a new numerical approach
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V.
    • в сборнике 4th Int. Conference on Material Science and Condensed Matter Physics (MSCMP-2008), September 23-26, 2008, Chisinau, Moldova. Abstracts, место издания Chisinau, тезисы, с. 222-223
  • • 2008 Горячие электроны в нитриде индия: новый метод численного решения задачи электронного транспорта
    • Масюков Н.А., Дмитриев А.В.
    • в сборнике 10-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. СПб, 1-5 декабря 2008 г, место издания СПб, тезисы, с. 18-18
  • • 2007 Approximation formulae in the Debye theory of phonon gas thermodynamics
    • Masyukov N.A., Dmitriev A.V., Nolting W.
    • в сборнике 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter, Paris, July 15-20, 2007, Program and Abstracts, место издания Paris, тезисы, с. 60-60
  • • 2007 Electron interband breakdown in a Kane semiconductor with a degenerate hole distribution
    • Dmitriev A.V., Evlyukhin A.B.
    • в сборнике The 13th International conference on narrow gap semicondictors, Univ. of Surray, UK, July 2007, Programme, место издания UK, тезисы, с. 96-96
  • • 2007 On the thermodynamical derivation of the Ginzburg-Landau equations
    • Dmitriev A.V., Nolting W.
    • в сборнике Research Workshop of the Israel Science Foundation 'Fluctuations and Phase Transitions in Superconductors', June 10-14, 2007, Nazareth, Israel, Abstracts, место издания Nazareth, тезисы, с. 7-8
  • • 2007 Электронный межзонный пробой в полупроводнике с кейновским спектром и вырожденным распределением дырок
    • Дмитриев А.В., Евлюхин А.Б.
    • в сборнике VIII Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов, Екатеринбург, 30 сентября — 5 октября 2007 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 55-55
  • • 2006 Interband breakdown in a Kane semiconductor with a degenerate hole distribution
    • Evlyukhin Andrey B., Dmitriev Alexey V.
    • в сборнике 28th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, July 24-28, 2006, Vienna, Austria, Program, место издания Vienna, тезисы, с. 284-284
  • • 2005 N- и Z-образные вольт-амперные характеристики и переход между ними в полупроводниковых сверхрешетках
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике Полупроводники-2005: VII Всероссийская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 сентября 2005г., Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 179-179
  • • 2005 Расчёт электронного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках на основе нитрида галлия
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике III International conference “Fundamental problems of physics”. Program & Abstacts. Kazan. 13-18 June 2005, место издания Казань, тезисы, с. 143-143
  • • 2005 Расчёт электронного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках на основе нитрида галлия
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике III International conference “Fundamental problems of physics”. Program & Abstacts. Kazan. 13-18 June 2005, место издания Казань, тезисы, с. 143-143
  • • 2004 Electron sequental tunneling in disordered multi-quantum-well structures
    • Pupysheva Olga V., Dmitriev Alexey V., Hiroshi Mizuseki, Yoshiyuki Kawazoe
    • в сборнике Int. Workshop on Novel Quantum Phenomena in Transition Metal Oxides. - Nov. 22 - 24, 2004, Sendai, Japan. - Abstracts, место издания Sendai, тезисы, с. 93-93
  • • 2004 Non-linear electron transport in weakly-coupled disordered semiconductor superlattices
    • Pupysheva Olga, Dmitriev Alexey, Hiroshi Mizuseki, Yoshiyuki Kawazoe
    • в сборнике 20th General Conference of Condenced Matter Division of European Physics Society, Prague, July 19-23, 2004. Book of Abstracts, место издания Prague, тезисы, с. 176-176
  • • 2004 Z-shaped current-voltage characteristics of disordered semiconductor superlattices
    • Pupysheva Olga, Dmitriev Alexey, Kozhanov Alexander
    • в сборнике The 27th International Conference on Physics of Semiconductors, Flagstaff, AZ, USA, 26-30 July, 2004. Abstracts, место издания USA, тезисы, с. 364-364
  • • 2003 Влияние беспорядка на прыжковый транспорт и перераспределение носителей в полупроводниковых сверхрешетках
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике Тезисы докладов, XXXIII Совещание по физике низких температур, Секция N "Наноструктуры и низкоразмерные системы", Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 244-244
  • • 2002 Disorder and its effect on the electron tunneling and hopping transport in semiconductor superlattices
    • Pupysheva O.V., Dmitriev A.V.
    • в сборнике The 23rd International Conference on Low Temperature Physics. Program and Abstracts, Hiroshima, Japan, August 20-27, 2002, место издания Hiroshima, тезисы, с. 103-103
  • • 2002 Disorder and its effect on the electron tunneling and hopping transport in semiconductor superlattices
    • Pupysheva O.V., Dmitriev A.V.
    • в сборнике The 23rd International Conference on Low Temperature Physics. Program and Abstracts. August 20-27, 2002. Hiroshima, Japan, место издания Hiroshima, тезисы, с. 103-103
  • • 2002 Electron transition spectrum of a superlattice with quasi-localized states in unit cell
    • Dmitriev A.V., Keiper R., Makeyev V.V.
    • в сборнике XXVI Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, место издания Черноголовка, тезисы, с. 175-176
  • • 2002 Electron tunneling in short intentionally disordered superlattices in a finite electric field
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V.
    • в сборнике XXVI Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, место издания Черноголовка, тезисы, с. 55-56
  • • 2002 Electron tunneling in short intentionally disordered superlattices in a finite electric field
    • Dmitriev A.V., Pupysheva O.V.
    • в сборнике XXVI Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2002). Abstracts. May 21-25, 2002. Chernogolovka, Russia, место издания Chernogolovka, Russia, тезисы, с. 55-56
  • • 2002 On the exchange-driven electron instability in quantum wells
    • Dmitriev A.V.
    • в сборнике Int. conf. on Frontiers in Condensed Matter Physics: Electronic Structure and Properties, Groningen, The Netherlands, June 10-14, 2002, Abstracts, место издания Groningen, тезисы, с. 92-92
  • • 2000 Расчет электронных спектров пропускания и вольт-амперных характеристик сверхрешеток с контролируемым беспорядком
    • Дмитриев А.В., Пупышева О.В.
    • в сборнике 32 Всеросийское совещание по физике низких температур. Тезисы докладов секции NS: Наноструктуры и низкоразмерные системы. Казань, 3-6 октября 2000, место издания Казань, тезисы, с. 90-91
  • • 1999 Излучательные переходы в полупроводниках-нитридах
    • Дмитриев А.В., Оружейников А.Л.
    • в сборнике 3-е Всероссийское совещание Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы, 2 июня 1999 г., Москва, Тезисы докладов, место издания Москва, тезисы, с. 57-58

• НИРы

  • • 16 ноября 2009 - 10 сентября 2011 Кинетика частиц и квазичастиц в новых материалах электроники
    • Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • Руководитель: Дмитриев А.В. Участник НИР: Ржевский В.В.
  • • 1 января 2006 - 30 ноября 2007 Фундаментальные исследования многокомпонентных полупроводниковых материалов, систем пониженной размерности и наноструктур на их основе при различных внешних воздействиях
    • Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • Руководитель: Брандт Н.Б. Участники НИР: Акимов Б.А., Артамкин А.И., Богданов Е.В., Дмитриев А.В., Долженко Д.Е., Зверева Е.А., Ковалев Б.Б., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Минина Н.Я., Рябова Л.И., Скипетров Е.П., Хохлов Д.Р.
  • • 5 сентября 2005 - 30 ноября 2005 Многокомпонентные полупроводниковые материалы со специальными свойствами и наноструктуры на их основе
    • Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • Руководитель: Брандт Н.Б. Участники НИР: Акимов Б.А., Артамкин А.И., Богданов Е.В., Дмитриев А.В., Долженко Д.Е., Зверева Е.А., Иванчик И.И., Ковалев Б.Б., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Минина Н.Я., Прядун В.В., Рябова Л.И., Скипетров Е.П., Хохлов Д.Р.
  • • 1 января 2003 - 31 декабря 2017 Перспективные полупроводниковые материалы и структуры со специальными свойствами
    • Физический факультет
    • Руководитель: Скипетров Е.П. Участники НИР: Богданов Е.В., Волчевский В.В., Голованов А.Н., Дмитриев А.В., Ковалев Б.Б., Константинов Н.С., Минина Н.Я.
  • • 1 января 2001 - 31 декабря 2025 Квантовые кооперативные явления в низкоразмерных системах
    • Физический факультет
    • Руководитель: Кульбачинский В.А. Участники НИР: Андрианов А.В., Базыленко Т.Ю., Богданов Е.В., Варшавский А.Ф., Васильев А.Н., Васильчикова Т.М., Волков Д.В., Волкова О.С., Волчевский В.В., Гиппиус А.А., Голованов А.Н., Гончар К.А., Данилова Н.П., Дмитриев А.В., Захаров А.В., Захаров А.В., Захаров К.В., Зверева Е.А., Ковалев Б.Б., Козлякова Е.С., Кудряшов А.А., Кузьмичев С.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Максимова О.В., Маркина М.М., Минина Н.Я., Михеев М.Г., Никифоров В.Н., Овченков Е.А., Осминкина Л.А., Прядун В.В., Романенко И.В., Романенко И.В., Синченко А.А., Скипетров Е.П.

• Участие в редколлегии журналов

  • • 3 июня 1999 - 15 сентября 2004 MRS Journal of Nitride Semiconductor Research

• Членство в диссертационных советах

  • • 1 июня 1996 - 31 августа 2017 Д 501.001.70, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет

• Руководство диссертациями

  • • 2013 Транспорт горячих электронов в полупроводниках-нитридах
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.09 - Физика низких температур (физ.-мат. науки)
    • Автор: Н.А.Масюков
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
  • • 2008 Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
    • Докторская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: А.Б.Евлюхин
    • Научный консультант: Дмитриев А.В., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
  • • 2003 Вертикальный электронный транспорт в слоистых полупроводниковых структурах
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.09 - Физика низких температур (физ.-мат. науки)
    • Автор: О.В.Пупышева
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
  • • 1995 Рекомбинация, ударная ионизация и межзонный пробой в узкощелевых полупроводниках
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.09 - Физика низких температур (физ.-мат. науки)
    • Автор: А.Б.Евлюхин
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
  • • 1993 Влияние резонансного и поверхностного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках
    • Кандидатская диссертация по специальности (физ.-мат. науки)
    • Автор: Н.С.Салимов
    • Научные руководители: Бенеславский С.Д., Дмитриев А.В., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет

• Руководство дипломными работами

  • • 2015 Влияние тяжёлых дырок на термоэлектрические характеристики теллурида свинца
    • Научный руководитель: Дмитриев Алексей Владимирович
    • Автор: Бабенко Николай Игоревич (Специалист)
  • • 2011 Кинетика фотонов в мутных средах
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: Е.А.Евлюхин (Специалист)
  • • 2010 Расчёт термоэлектрических коэффициентов теллурида свинца
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: Е.С.Ткачёва (Специалист)
  • • 2008 Теория переноса излучения и многократное рассеяние
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: В.И.Иванов (Специалист)
  • • 2008 Горячие электроны в нитриде индия: новый метод численного решения задачи электронного транспорта
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: Н.А.Масюков (Специалист)
  • • 1997 Темп оже-рекомбинации в вырожденных полупроводниках с кейновским спектром
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: Д.В.Пучкин (Специалист)
  • • 1997 Оже-рекомбинация в полупроводниках с квазирелятивистской зонной структурой
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: О.В.Кучеренко (Специалист)
  • • 1996 Излучательная рекомбинация в полупроводниках-нитридах
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: А.Л.Оружейников (Специалист)
  • • 1995 Оптические свойства сверхрешёток с квазилокальными состояниями в элементарной ячейке
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: В.В.Макеев (Специалист)
  • • 1992 Пробой в полупроводниках с примесной зоной в сильных электрических полях
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: А.Б.Евлюхин (Специалист)
  • • 1982 Рекомбинация носителей в полупроводниках с возбуждением локальных фононов
    • Научный руководитель: Дмитриев А.В.
    • Автор: И.Е.Давидова (Специалист)

• Авторство учебных курсов

  • • 2017 Кинетические явления в конденсированных средах. ч.2
    • Автор: Дмитриев Алексей Владимирович
  • • 2017 Кинетические явления в конденсированных средах. ч.1
    • Автор: Дмитириев Алексей Владимирович
  • • 2017 Кинетические явления в конденсированных средах
    • Автор: Дмитриев Алексей Владимирович
  • • 2017 Кинетические явления в конденсированных средах
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 2016 Основы теории сверхпроводимости
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 2015 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 2
    • Автор: Дмитриев Алексей Владимирович
  • • 2015 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 1
    • Автор: Дмитриев Алексей Владимирович
  • • 2012 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 2010 Кинетические явления в конденсированных средах
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 2008 Низкотемпературные фазовые переходы
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 1995 Статистическая физика
    • Автор: Дмитриев А.В.
  • • 1993 Статистическая физика
    • Автор: Дмитриев А.В.

• Преподавание учебных курсов

  • • 1 сентября 2019 - 31 декабря 2019 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2019 - 31 декабря 2019 Основы теории сверхпроводимости
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2019 - 31 декабря 2019 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2019 - 31 мая 2019 Кинетические явления в конденсированных средах
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
  • • 1 сентября 2018 - 31 декабря 2018 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2018 - 31 декабря 2018 Основы теории сверхпроводимости
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2018 - 31 декабря 2018 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2018 - 31 мая 2018 Кинетические явления в конденсированных средах. ч.1
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
  • • 1 сентября 2017 - 31 декабря 2017 Кинетические явления в конденсированных средах. ч.2
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2017 - 31 декабря 2017 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2017 - 31 декабря 2017 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2017 - 31 декабря 2017 Основы теории сверхпроводимости
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2017 - 31 мая 2017 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 2
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
  • • 7 февраля 2017 - 31 мая 2017 Кинетические явления в конденсированных средах
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2016 - 31 декабря 2016 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2016 - 31 декабря 2016 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 1
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2016 - 31 мая 2016 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 2
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 34 часов
  • • 1 февраля 2016 - 31 мая 2016 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2015 - 31 декабря 2015 Сверхпроводимость и сверхтекучесть. Часть 1
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2015 - 31 мая 2015 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
  • • 7 февраля 2015 - 31 мая 2015 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2014 - 31 декабря 2014 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 7 февраля 2014 - 31 мая 2014 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 32 часов
  • • 7 февраля 2014 - 31 мая 2014 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 8 февраля 2010 - 31 мая 2010 Кинетические явления в конденсированных средах
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • факультативная, лекции, 32 часов
  • • 1 сентября 2009 - 31 декабря 2013 Сверхпроводимость и сверхтекучесть
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, вариативной части, лекции, 68 часов
  • • 1 сентября 2008 - 31 декабря 2013 Низкотемпературные фазовые переходы
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 1995 - 31 мая 2004 Статистическая физика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Химический факультет, Кафедра неорганической химии
    • обязательная, базовой части, лекции, 64 часов
  • • 1 сентября 1993 - 31 мая 2005 Статистическая физика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах
    • обязательная, базовой части, лекции, 80 часов