ИСТИНА

Сапков Иван Владимирович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Центры и лаборатории, Лаборатория "Криоэлектроника", младший научный сотрудник, с 1 января 2011

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Центр квантовых технологий, научный сотрудник, с 25 октября 2018, по совместительству

Соавторы: Солдатов Е.С., Дагесян С.А., Гайдамаченко В.Р., Преснов Д.Е., Белоглазкина Е.К., Крупенин В.А., Трифонов А.С., Петров Р.А., Снигирев О.В., Высоцкий В.В., Дементьева О.В., Зайцева А.В., Карцева М.Е. показать полностью..., Рудой В.М., Рыженкова С.Ю., Салаватов Н.А., Шорохов В.В., Божьев И.В., Степанов А.С., Жарик Г.А., Колесов В.В., Колотинский Н.В., Лялина А.М., Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Морозова Е.К., Прохорова И.Г., Шемухин А.А., Kolesov V.V., Барсукова М.Г., Белотелов В.И., Бессонов В.О., Бобров И.В., Борщевская Н.А., Демин Д.С., Долгова Т.В., Дорощенко И.А., Дьяконов И.В., Еленский В.Г., Елизаров С.Г., Захаров П.Н., Знаменская И.А., Зубюк В.В., Князев Г.А., Колесов В.В., Кондратьев И.В., Королев А.Ф., Коротеева Е.Ю., Кройчук М.К., Кулик С.П., Лукьянченко Г.А., Любин Е.В., Мурсенкова И.В., Мусорин А.И., Панов В.И., Перепёлкин Е.Е., Пирогов Ю.А., Ржевский А.В., Роганов В.А., Саввин В.Л., Садовников Б.И., Сафронов К.Р., Солдатов Р.А., Страупе С.С., Стручалин Г.И., Сухарева Н.А., Сысоев Н.Н., Федянин А.А., Цысарь С.А., Шорохов А.С., Щелкунов Н.М.

20 статей, 1 книга, 13 докладов на конференциях, 11 тезисов докладов, 18 НИР, 16 научных отчётов, 2 учебных курса

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 10, Scopus: 12
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 7492261

ResearcherID: A-4372-2014

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2020 A Multi-Electrode System for the Implementation of Solid-State Quantum Devices Based on a Disordered System of Dopant Atoms in Silicon
    • Dagesyan S.A., Ryzhenkova S.Yu, Sapkov I.V., Presnov D.E., Trifonov A.S., Krupenin V.A., Snigirev O.V.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 75, № 4, с. 331-335 DOI
  • 
    • 2020 The Effect of the Anisotropic Nanoparticles Nature on the Properties of Ring Deposits Resulting from Evaporation of Droplets of Their Dispersions
    • Vysotskii V.V., Dement’eva O.V., Salavatov N.A., Kartseva M.E., Zaitseva A.V., Sapkov I.V., Rudoy V.M.
    • в журнале Colloid Journal, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 82, № 2, с. 100-107 DOI
  • • 2020 Влияние природы анизотропных наночастиц на свойства кольцевых осадков, формирующихся при испарении капель их дисперсий
    • Высоцкий В.В., Дементьева О.В., Салаватов Н.А., Карцева М.Е., Зайцева А.В., Сапков И.В., Рудой В.М.
    • в журнале Коллоидный журнал, том 82, № 2, с. 140-147 DOI
  • • 2020 Многоэлектродная система для реализации твердотельных квантовых устройств, основанных на неупорядоченной системе примесных атомов в кремнии
    • Дагесян С.А., Рыженкова С.Ю., Сапков И.В., Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Крупенин В.А., Снигирев О.В.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 36-40
  • 
    • 2019 Fabrication of electrodes for a logic element based on a disordered dopant atoms network
    • Dagesyan S.A., Ryzhenkova S.Yu, Presnov D.E., Sapkov I.V., Gaydamachenko V.R., Zharik G.A., Stepanov A.S.
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 11022, с. 11021P DOI
  • 
    • 2019 Single-Electron Structures Based on Solitary Dopant Atoms of Arsenic, Phosphorus, Gold, and Potassium in Silicon
    • Presnov D.E., Dagesyan S.A., Bozhev I.V., Shorokhov V.V., Trifonov A.S., Shemukhin A.A., Sapkov I.V., Prokhorova I.G., Snigirev O.V., Krupenin V.A.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 74, № 2, с. 165-170 DOI
  • • 2019 Изготовление и исследование молекулярного одноэлектронного транзистора
    • Морозова Е.К., Лялина А.М., Сапков И.В., Белоглазкина Е.К., Солдатов Е.С.
    • в журнале Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии, издательство Севастопольский государственный университет (Севастополь), том 2, № 2, с. 204-215 DOI
  • • 2019 Одноэлектронные структуры на основе одиночных примесных атомов мышьяка, фосфора, золота и калия в кремнии
    • Преснов Д.Е., Дагесян С.А., Божьев И.В., Шорохов В.В., Трифонов А.С., Шемухин А.А., Сапков И.В., Прохорова И.Г., Снигирев О.В., Крупенин В.А.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 2, с. 64-68
  • 
    • 2018 A Coulomb Blockade in a Nanostructure Based on Single Intramolecular Charge Center
    • Gaydamachenko V.R., Beloglazkina E.K., Petrov R.A., Dagesyan S.A., Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 73, № 2, с. 193-198 DOI
  • 
    • 2018 Structure and Electrical Conductivity of Ring Deposits Resultingfrom Evaporation of Droplets of Dispersions Containing GoldNanoparticles with Different Degrees of Anisotropy
    • Vysotskii V.V., Dement’eva O.V., Salavatov N.A., Zaitseva A.V., Kartseva M.E., Sapkov I.V., Rudoy V.M.
    • в журнале Colloid Journal, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 80, № 6, с. 615-624 DOI
  • • 2018 Кулоновская блокада в наноструктуре на основе одиночного внутримолекулярного зарядового центра
    • Гайдамаченко В.Р., Белоглазкина Е.К., Петров Р.А., Дагесян С.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 2, с. 70-76
  • • 2018 Структура и электропроводность кольцевых осадков, формирующихся при испарении капель дисперсий, содержащих наночастицы золота с разной степенью анизотропии
    • Высоцкий В.В., Дементьева О.В., Салаватов Н.А., Зайцева А.В., Карцева М.Е., Сапков И.В., Рудой В.М.
    • в журнале Коллоидный журнал, том 80, № 6, с. 652-662 DOI
  • • 2011 Методы создания и исследования мономолекулярных транзисторов
    • Солдатов Е.С., Сапков И.В., Степанов А.С.
    • в журнале Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии, издательство Общероссийская общественная организация Российская академия естественных наук (Москва), том 2, № 3, с. 38-58
  • • 2011 Нанотехнология для наноэлектроники: формирование нанозазора в металлическом нанопроводе сфокусированным ионным пучком
    • Сапков И.В., Колесов В.В., Солдатов Е.С.
    • в журнале Радиотехника, издательство Издательство "Радиотехника" (Москва), № 10, с. 28-35
  • 
    • 2009 Using a focused ion beam for the creation of a molecular single-electron transistor
    • Sapkov I.V., Kolesov V.V., Soldatov E.S.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 64, № 4, с. 384-388 DOI
  • • 2009 Использование сфокусированного ионного пучка при создании молекулярного одноэлектронного транзистора
    • Сапков И.В., Колесов В.В., Солдатов Е.С.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 26-29

• Статьи в сборниках

  • • 2019 Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах
    • Снигирев О.В., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Шорохов В.В., Дагесян С.А., Сапков И.В., Колотинский Н.В.
    • в сборнике Фундаментальные и прикладные исследования в области цифровых квантовых технологий, фотоники и микроэлектроники. Труды научной школы, издательство Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова (Москва), с. 169-210
    • редакторы Елизаров Сергей Георгиевич, Захаров Петр Николаевич, Знаменская Ирина Александровна, Королев Анатолий Федорович, Кулик Сергей Павлович, Садовников Борис Иосифович, Снигирев Олег Васильевич, Сысоев Николай Николаевич, Федянин Андрей Анатольевич
  • 
    • 2013 Narrowing of nanogap for purpose of molecular single-electronics
    • Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • в сборнике Proc. SPIE 8700, , International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, с. 87000O-1-87000O-6
  • 
    • 2010 Preparation of electrodes for molecular transistor by focused ion beam
    • Sapkov I.V., Kolesov V.V., Soldatov E.S.
    • в сборнике Proc. SPIE, том 7521, с. 752110-1-752110-6
  • 
    • 2008 Method of creation of monomolecular transistor with “overhanging” electrodes
    • Sapkov I.V., Soldatov E.S., Elensky V.G.
    • в сборнике Proc. SPIE 7025, том 7025, с. 70250P-1-70250P-8

• Книги

  • • 2019 Фундаментальные и прикладные исследования в области цифровых квантовых технологий, фотоники и микроэлектроники. Труды научной школы
    • Сысоев Н.Н., Садовников Б.И., Кулик С.П., Федянин А.А., Снигирев О.В., Королев А.Ф., Захаров П.Н., Елизаров С.Г., Знаменская И.А., Перепелкин Е.Е., Бобров И.Б., Борщевская Н.А., Дьяконов И.В., Страупе С.С., Кондратьев И.В., Ковлаков Е.В., Стручалин Г.И., Барсукова М.Г., Бессонов В.О., Долгова Т.В., Зубюк В.В., Кройчук М.К., Любин Е.В., Мусорин А.И., Панов В.И., Сафронов К.Р., Шорохов А.С., Щелкунов Н.М., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Шорохов В.В., Дагесян С.А., Сапков И.В., Колотинский Н.В., Белотелов В.И., Князев Г.А., Цысарь С.А., Саввин В.Л., Пирогов Ю.А., Сухарева Н.А., Потапов А.А., Белов А.А., Демин Д.С., Лукьянченко Г.А., Марков Д.С., Роганов В.А., Монахов А.М., Мурсенкова И.В., Коротеева Е.Ю., Дорощенко И.А.
    • издательство Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова (Москва) , ISBN 978-5-8279-0176-1, 360 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Изготовление и исследование молекулярного одноэлектронного транзистора (Устный)
    • Авторы: Морозова Е.К., Лялина А.М., Сапков И.В., Белоглазкина Е.К., Солдатов Е.С.
    • СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2019), Севастополь, Крым, Россия, Россия, 8-14 сентября 2019
  • • 2018 Fabrication of electrodes for a logic element based on a disordered dopant atoms network (Стендовый)
    • Авторы: Ryzhenkova S., Sapkov I., Gaydamachenko V., Zharik G., Stepanov A.S., Presnov D., Dagesyan S.
    • International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), Звенигород, Московская область, Россия, 1-5 октября 2018
  • • 2017 Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центра (Устный)
    • Авторы: Петров Р.А., Дагесян С.А., Белоглазкина Е.К., Солдатов Е.С., Гайдамаченко В.Р., Сапков И.В.
    • 27-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия, Севастополь, Крым, Россия, 10-16 сентября 2017
  • • 2016 Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center (Стендовый)
    • Авторы: Gaydamachenko V., Beloglazkina E., Petrov R., Sapkov I., Soldatov E., Dagesyan S.
    • ICMNE-2016, пансионат Ершово, Звенигород, МО, Россия, 3-6 октября 2016
  • • 2016 Исследование влияния теплоотвода в подложку при проведении процесса электромиграции в металлических нанопроводах. (Устный)
    • Авторы: Гайдамаченко В.Р., Солдатов Е.С., Сапков И.В., Дагесян С.А.
    • XV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»), Красновидово, Московская область, Россия, 5-10 июня 2016
  • • 2016 Изготовление нанозазора в «подвешенном» металлическом нанопроводе с помощью электромиграции (Устный)
    • Авторы: Сапков И.В., Гайдамаченко В.Р.
    • Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2016», МГУ им. М.В. Ломоносова , Россия, 11-15 апреля 2016
  • • 2014 Noise characteristics of silicon FET with nanowire channel (Стендовый)
    • Авторы: Presnov D.E., Sapkov I.V., Bojiev I.V., Rjevskiy A.V., Krupenin V.A.
    • International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” (ICMNE-2014), “Ershovo” resort, Zvenigorod, Moscow Region, Russia, Россия, 2014
  • • 2014 Single-electron transistor with suspended electrodes based on single gold nanoparticle (Стендовый)
    • Авторы: Soldatov E.S., Sapkov I.V.
    • International conference «Micro- and Nanoelectronics - 2014» (ICMNE-2014), Moscow-Zvenigirod, Russia, Россия, 2014
  • • 2012 Narrowing of nanogap for purpose of molecular single-electronics (Стендовый)
    • Авторы: Soldatov E.S., Sapkov I.V.
    • The International Conference “Micro- and nanoelectronics", Липки, 2012
  • • 2011 ФОРМИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА CФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ (Устный)
    • Авторы: Колесов В.В., Солдатов Е.С., Сапков И.В.
    • 21st Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2011), 12-16 September, Sevastopol, Crimea, Ukraine, Украина, 2011
  • • 2010 Molecular single electron transistor on the basis of the planar nanostructure (Устный)
    • Авторы: Soldatov E.S., Sapkov I.V., Kolesov V.V.
    • 20-th Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (Crimico’2010), 13-17 September 2010, Sevastopol, Crimea, Ukraine, Украина, 2010
  • • 2010 Molecular transistor is the basic element of nanoelectronics (Устный)
    • Авторы: Kolesov V.V., Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • XI international scientific and technical conference of «Cybernetics and the high technologies of the 21st Century», C&T*2010 , Voronezh, Russia, 12-14 may , Россия, 2010
  • • 2007 Method of creation of monomolecular transistor with “overhanging” electrodes (Устный)
    • Авторы: Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007” (ICMNE-2007) , “Lipki” resort, Moscow Region, Russia, Россия, 1-5 октября 2007

• Тезисы докладов

  • • 2019 Изготовление и исследование молекулярного одноэлектронного транзистора
    • Морозова Е.К., Лялина А.М., Сапков И.В., Белоглазкина Е.К., Солдатов Е.С.
    • в сборнике Материалы 29-й Международной Конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2019), Севастополь, Крым, Россия, Россия, 8-14 сентября 2019, тезисы
  • • 2018 Fabrication of electrodes for a logic element based on a disordereddopant atoms network
    • Dagesyan S., Ryzhenkova S., Presnov D., Sapkov I., Gaydamachenko V., Zharik G., Stepanov A.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 74 DOI
  • 
    • 2017 Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центра
    • Гайдамаченко В.Р., Белоглазкина Е.К., Петров Р.А., Дагесян С.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С.
    • в сборнике Сборник трудов 27-й Международной Крымской конференции СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия, место издания г. Севастополь, Россия, том 4, тезисы, с. 1025-1031
  • • 2016 Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center
    • Gaydamachenko V., Beloglazkina E., Petrov R., Sapkov I., Soldatov E., Dagesyan S.
    • в сборнике Micro- and Nanoelectronics – 2016: Proceedings of the International Conference (October 3–7, 2016, Zvenigorod, Russia): Book of Abstracts, место издания MAKS Press Moscow, тезисы, с. 170
  • • 2016 Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center
    • Gaydamachenko V., Beloglazkina E., Petrov R., Sapkov I., Soldatov E., Dagesyan S.
    • в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва, тезисы, с. 170-P2-04
  • • 2016 Изготовление нанозазора в «подвешенном» металлическом нанопроводе с помощью электромиграции
    • Гайдамаченко В.Р., Сапков И.В.
    • в сборнике Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2016» / Отв. ред. И.А. Алешковский, А.В. Андриянов, Е.А. Антипов, серия Почвоведение, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 2016, тезисы
    • редактор Алешковский Иван Андреевич
  • 
    • 2016 Исследование влияния теплоотвода в подложку при проведении процесса электромиграции в металлических нанопроводах
    • Гайдамаченко В.Р., Сапков И.В., Дагесян С.А., Солдатов Е.С.
    • в сборнике Сборник трудов XV Всероссийской школы-семинара «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукоа, серия секция "Метаматериалы, фотонные кристаллы и наноструктуры", тезисы, с. 3-4
  • • 2014 Noise characteristics of silicon FET with nanowire channel
    • Presnov D.E., Sapkov I.V., Bojiev I.V., Rjevskiy A.V., Krupenin V.A.
    • в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, Book of Abstracts, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, тезисы, с. P1-34
  • • 2014 Single-electron transistor with suspended electrodes based on single gold nanoparticle
    • Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, Book of Abstracts, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, тезисы, с. P2-03
  • • 2012 Narrowing of nanogap for purpose of molecular single-electronics
    • Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • в сборнике International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012”. Abstr. Book, место издания Moscow-Zvenigorod, Russia, тезисы, с. P1-34
  • • 2007 Method of creation of monomolecular transistor with “overhanging” electrodes
    • Sapkov I.V., Soldatov E.S.
    • в сборнике International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2007" (ICMNE-2007), October 1-5, Zvenigorod, Moscow region, Abstracts,, тезисы

• НИРы

  • • 1 января 2020 - 31 декабря 2022 Применение инновационного метода ультразвукового спрей пиролиза с коронным разрядом для выращивания пленок ITO, предназначенных для использования в перспективных кремниевых солнечных элементах в качестве дырочно-селективных контактов.
    • Лаборатория физики плазмы и физических основ микро-технологии
    • Руководитель: Чеботарева А.Б. Ответственные исполнители: Унтила Г.Г., Шапошникова В.В. Участники НИР: Сапков И.В., Товстопят А.В.
  • • 9 августа 2019 - 31 декабря 2021 Центр квантовых технологий физического факультета МГУ
    • Физический факультет
    • Руководители: Кулик С.П., Снигирев О.В., Сысоев Н.Н. Участники НИР: Stadnichuk V.I., Абрашитова К.А., Антропов И.М., Балуян Т.Г., Балыгин К., Барсукова М.Г., Бекиров А.Р., Бессонов В.О., Бобров И.Б., Божьев И.В., Ваваев Е.С., Владимирова Ю.В., Гартман А.Д., Голинская А.Д., Грунин А.А., Гулькин Д.Н., Дагесян С.А., Долгова Т.В., Домбровская Ж.О., Дорофеев А.А., Дьяконов И.В., Егоренков М.В., Ежов А.А., Жигунов Д.М., Зубюк В.В., Ибрагимов А.А., Калинкин А.А., Кирьянов М.А., Кокарева Н.Г., Колотинский Н.В., Кравцов К.С., Кройчук М.К., Крупенин В.А., Лукьянчук Б.С., Любин Е.В., Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Минаев Д.В., Мусорин А.И., Новиков И.А., Обыденнов Д.В., Охлопков К.И., Петров А.К., Пойманов Ю.М., Попкова А.А., Преснов Д.Е., Ромодина (Скрябина) М.Н., Сапков И.В., Сафронов К.Р., Сиротин М.А., Ситнянский В.А., Снигирев В.С., Соболева И.В., Страупе С.С., Студеникин Ф.Р., Трифонов А.С., Устинов А.С., Фролов А.Ю., Чежегов А.А., Чижов А.С., Шарипова М.И., Шафирин П.А., Шилкин Д.А., Шорохов А.С., Шорохов В.В., Щелкунов Н.М., Эльяс Е.И., Ягудин Д.Ф., молотков с.н.
  • • 1 марта 2019 - 31 декабря 2020 Твердотельные одноатомные структуры как элементы компонентной базы для квантовых технологий
    • Лаборатория "Криоэлектроника"
    • Руководитель: Трифонов А.С. Ответственные исполнители: Крупенин В.А., Манцевич В.Н., Преснов Д.Е. Участники НИР: Божьев И.В., Дагесян С.А., Маслова Н.С., Сапков И.В., Шемухин А.А., Шорохов В.В.
  • • 10 января 2019 - 31 декабря 2021 Разработка и исследование молекулярных и атомных одноэлектронных транзисторов
    • Физический факультет
    • Руководитель: Солдатов Е.С. Участники НИР: Дагесян С.А., Мельников А.Е., Морозова Е.К., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Шорохов В.В.
  • • 24 октября 2018 - 31 декабря 2020 Центр квантовых технологий физического факультета МГУ
    • Физический факультет
    • Руководители: Кулик С.П., Снигирев О.В., Сысоев Н.Н. Ответственные исполнители: Владимирова Ю.В., Крупенин В.А., Мусорин А.И., Страупе С.С. Участники НИР: Абрашитова К.А., Антропов И.М., Балыгин К., Барсукова М.Г., Бессонов В.О., Бобров И.Б., Божьев И.В., Ваваев Е.С., Гартман А.Д., Голинская А.Д., Гулькин Д.Н., Дагесян С.А., Долгова Т.В., Дорофеев А.А., Дьяконов И.В., Егоренков М.В., Ежов А.А., Жигунов Д.М., Зубюк В.В., Калинкин А.А., Кирьянов М.А., Кокарева Н.Г., Колотинский Н.В., Кравцов К.С., Кройчук М.К., Крупенин В.А., Любин Е.В., Манцевич В.Н., Маслова Н.С., Минаев Д.В., Мусорин А.И., Новиков И.А., Обыденнов Д.В., Охлопков К.И., Попкова А.А., Преснов Д.Е., Ромодина (Скрябина) М.Н., Сапков И.В., Сафронов К.Р., Сиротин М.А., Снигирев В.С., Соболева И.В., Страупе С.С., Студеникин Ф.Р., Трифонов А.С., Фролов А.Ю., Чежегов А.А., Чижов А.С., Шарипова М.И., Шафирин П.А., Шилкин Д.А., Шорохов А.С., Шорохов В.В., Щелкунов Н.М., Ягудин Д.Ф., молотков с.н.
  • • 1 февраля 2016 - 31 декабря 2018 Твердотельные одноатомные структуры как элементы компонентной базы для квантовых технологий
    • Физический факультет
    • Руководитель: Трифонов А.С. Ответственные исполнители: Крупенин В.А., Манцевич В.Н., Преснов Д.Е. Участники НИР: Божьев И.В., Голинская А.Д., Дагесян С.А., Маслова Н.С., Сапков И.В., Шемухин А.А., Шорохов В.В.
  • • 11 декабря 2014 - 30 октября 2017 Исследование путей построения системы определения углового положения оси вращения сферического сверхпроводящего ротора криогенного гироскопа на базе СКВИД-магнитометров»
    • Физический факультет
    • Руководитель: Панов В.И. Участники НИР: Ржевский А.В., Сапков И.В., Снигирев О.В., Ханин В.В.
  • • 30 ноября 2014 - 31 декабря 2015 Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов
    • Физический факультет
    • Руководитель: Корнев В.К. Участники НИР: Галстян А.Г., Дагесян С.А., Жарик Г.А., Кленов Н.В., Колотинский Н.В., Левочкина А.Ю., Паршинцев А.А., Рахимов А.Т., Сапков И.В., Солдатов Е.С., Соловьев И.И., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
  • • 17 сентября 2014 - 31 декабря 2016 “Разработка наносенсорной биомагнитной тест-системы на основе нуклеиновых кислот для быстрого детектирования заболеваний разной этиологии”
    • Физический факультет
    • Руководитель: Снигирев О.В. Ответственный исполнитель: Маресов А.Г. Участники НИР: Дагесян С.А., Кленов Н.В., Коломийцев А.И., Новикова Т.М., Порохов Н.В., Сапков И.В., Смирнова Т.А., Спиридонов Ф.М., Спиридонова В.А.
  • • 1 января 2014 - 31 декабря 2015 Разработка и исследование нанотрансдьюсера для создания диагностических биосенсерных устройств на его основе
    • Физический факультет
    • Руководитель: Сапков И.В. Участники НИР: Крупенин С.В., Паршинцев А.А.
  • • 1 января 2014 - 31 декабря 2015 Разработка молекулярных одноэлектронных элементов наноэлектроники и исследование их электрических свойств
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Степанов А.С. Участники НИР: Галстян А.Г., Дагесян С.А., Сапков И.В.
  • • 14 октября 2013 - 7 декабря 2013 Сверхпроводящие квантовые решетки с дистанционно-управляемыми свойствами
    • Физический факультет
    • Руководитель: Корнев В.К. Участники НИР: Дагесян С.А., Езубченко И.С., Кленов Н.В., Колотинский Н.В., Маресов А.Г., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Скрипка В.А., Снигирев О.В., Солдатов Е.С., Соловьев И.И., Степанов А.С., Трифонов А.С., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
  • • 6 августа 2012 - 15 ноября 2013 Разработка физических основ технологии получения высокотемпературных сверхпроводящих проводов 3-го поколения и исследование их характеристик
    • Физический факультет
    • Руководители: Маресов А.Г., Снигирев О.В. Участники НИР: Калабухов А.С., Кленов Н.В., Поляков С.Н., Порохов Н.В., Сапков И.В., Чухаркин М.Л.
  • • 1 января 2012 - 31 декабря 2014 Разработка и исследование одноэлектронных устройств с комнатной рабочей температурой для информационных систем
    • Лаборатория "Криоэлектроника"
    • Руководитель: Солдатов Е.С. Участники НИР: Дагесян С.А., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Степанов А.С., Шорохов В.В.
  • • 19 апреля 2011 - 15 декабря 2012 «Разработка и создание сверхчувствительных полевых и зарядовых наноструктур для считывающих и сенсорных устройств наноэлектроники»
    • Физический факультет
    • Руководитель: Снигирев О.В. Участники НИР: Корнеева Ю.В., Крупенин В.А., Паршинцев А.А., Преснов Д.Е., Сапков И.В., Трифонов А.С., Ханин В.В.
  • • 20 сентября 2010 - 15 ноября 2012 Разработка физических основ применения макроскопических квантовых эффектов для приёма, обработки, хранения, и защиты информации
    • Физический факультет
    • Руководитель: Корнев В.К. Участники НИР: Бакурский С.В., Кленов Н.В., Колотинский Н.В., Сапков И.В., Снигирев О.В., Соловьев И.И., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
  • • 1 января 2009 - 31 декабря 2011 Высокотемпературные одноэлектронные элементы атомарно-молекулярного масштаба для информационных систем
    • Лаборатория "Криоэлектроника"
    • Руководитель: Солдатов Е.С. Участники НИР: Дагесян С.А., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Степанов А.С., Шорохов В.В.
  • • 1 января 2003 - 31 декабря 2025 Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
    • Лаборатория "Криоэлектроника"
    • Руководитель: Снигирев О.В. Участники НИР: Божьев И.В., Дагесян С.А., Дорофеев А.А., Крупенин В.А., Левин Э.Е., Маресов А.Г., Порохов Н.В., Преснов Д.Е., Прохорова И.Г., Ржевский А.В., Рогаля В.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С., Трифонов А.С.

• Отчеты

  • • 2021 Отчет по 2 этапу проекта РФФИ "Разработка и исследование молекулярных и атомных одноэлектронных транзисторов"
    • Авторы: Солдатов Е.С., Шорохов В.В., Дагесян С.А., Сапков И.В., А А.Паршинцев
    • #19-07-01091, 28 с.
  • • 2020 Отчет по 1 этапу проекта РФФИ "Разработка и исследование молекулярных и атомных одноэлектронных транзисторов"
    • Авторы: Солдатов Е.С., Шорохов В.В., Паршинцев А.А., Дагесян С.А., Сапков И.В.
    • #19-07-01091, 26 с.
  • • 2015 «Разработка технологии получения конструкционных наноматериалов для ВТСП проводов 3-го поколения» по этапу №3
    • Авторы: Маресов А.Г., Кленов Н.В., Снигирев О.В., Порохов Н.В., Сапков И.В., Прохорова И.Г., Левин Э.Е.
    • #3, 150 с.
  • • 2015 Отчет о ПНИ "Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов". Этап №2: "Теоретические и экспериментальные исследования" (промежуточный)
    • Авторы: Корнев В.К., Рахимов А.Т., Колотинский Н.В., Галстян А.Г., Дагесян С.А., Жарик Г.А., Кленов Н.В., Левочкина А.Ю., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С., Соловьев И.И., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
    • #215080770006, 110 с.
  • • 2015 «Разработка наносенсорной биомагнитной тест-системы на основе нуклеиновых кислот для быстрого детектирования заболеваний разной этиологии» по этапу №2
    • Авторы: Кленов Н.В., Маресов А.Г., Снигирев О.В., Спиридонова В.А., Порохов Н.В., Сапков И.В.
    • #2, 147 с.
  • • 2015 Разработка технологии получения конструкционных наноматериалов для ВТСП проводов 3-го поколения по этапу №2
    • Авторы: Маресов А.Г., Кленов Н.В., Снигирев О.В., Порохов Н.В., Сапков И.В., Прохорова И.Г., Левин Э.Е.
    • #2, 150 с.
  • • 2015 Разработка и исследование нанотрансдьюсера для создания диагностических биосенсерных устройств на его основе (итоговый)
    • Авторы: Сапков И.В., Крупенин С.В., Паршинцев А.А.
    • #14-02-31766, 30 с.
  • • 2014 Отчет о ПНИ "Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов". Этап №1: "Выбор направления исследований. Теоретические исследования" (промежуточный)
    • Авторы: Корнев В.К., Рахимов А.Т., Колотинский Н.В., Галстян А.Г., Дагесян С.А., Жарик Г.А., Кленов Н.В., Левочкина А.Ю., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С., Соловьев И.И., Трифонов А.С., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
    • #215022640060, 139 с.
  • • 2014 Разработка и исследование нанотрансдьюсера для создания диагностических биосенсорных устройств на его основе (промежуточный)
    • Авторы: Сапков И.В., Паршинцев А.А., Крупенин С.В.
    • #14-02-31766, 22 с.
  • • 2014 Разработка и исследование одноэлектронных устройств с комнатной рабочей температурой для информационных систем
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Дагесян С.А., Шорохов В.В., Степанов А.С.
    • #12-07-00816-а, 51 с.
  • • 2013 Разработка и исследование одноэлектронных устройств с комнатной рабочей температурой для информационных систем
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Дагесян С.А., Шорохов В.В., Степанов А.С.
    • #12-07-00816-а, 48 с.
  • • 2013 Отчет о НИР: "Сверхпроводящие квантовые решетки с дистанционно-управляемыми свойствами". Этап №1: "Выбор направления исследований. Теоретические и экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач. Обобщение и оценка результатов исследований" (заключительный)
    • Авторы: Корнев В.К., Снигирев О.В., Дагесян С.А., Езубченко И.С., Кленов Н.В., Колотинский Н.В., Маресов А.Г., Паршинцев А.А., Сапков И.В., Скрипка В.А., Солдатов Е.С., Соловьев И.И., Степанов А.С., Трифонов А.С., Шарафиев А.В., Шорохов В.В.
    • #02201450232, 147 с.
  • • 2012 Разработка и исследование одноэлектронных устройств с комнатной рабочей температурой для информационных систем
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Степанов А.С., Шорохов В.В., Дагесян С.А.
    • #12-07-00816-а, 45 с.
  • • 2012 Высокотемпературные одноэлектронные элементы атомарно-молекулярного масштаба для информационных систем (итоговый)
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Дагесян С.А., Паршинцев А.А., Шорохов В.В.
    • #09-07-00272а, 29 с.
  • • 2010 Высокотемпературные одноэлектронные элементы атомарно-молекулярного масштаба для информационных систем
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Степанов А.С., Шорохов В.В., Дагесян С.А.
    • #09-07-00272-а, 36 с.
  • • 2009 Высокотемпературные одноэлектронные элементы атомарно-молекулярного масштаба для информационных систем
    • Авторы: Солдатов Е.С., Сапков И.В., Степанов АС, Шорохов В.В., Дагесян С.А.
    • #09-07-00272-а, 37 с.

• Авторство учебных курсов

  • • 2017 Технологические процессы в наноэлектронике
    • Автор: Сапков И.В.
  • • 2017 Введение в нанолитографию
    • Автор: Сапков И.В.