Сапков Иван Владимирович
пользователь
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 10,
Scopus: 13
РИНЦ:
IstinaResearcherID (IRID): 7492261
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2020
A Multi-Electrode System for the Implementation of Solid-State Quantum Devices Based on a Disordered System of Dopant Atoms in Silicon
-
Dagesyan S.A.,
Ryzhenkova S.Yu,
Sapkov I.V.,
Presnov D.E.,
Trifonov A.S.,
Krupenin V.A.,
Snigirev O.V.
-
в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 75, № 4, с. 331-335
DOI
-
-
2020
The Effect of the Anisotropic Nanoparticles Nature on the Properties of Ring Deposits Resulting from Evaporation of Droplets of Their Dispersions
-
Vysotskii V.V.,
Dement’eva O.V.,
Salavatov N.A.,
Kartseva M.E.,
Zaitseva A.V.,
Sapkov I.V.,
Rudoy V.M.
-
в журнале Colloid Journal, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 82, № 2, с. 100-107
DOI
-
-
2020
Влияние природы анизотропных наночастиц на свойства кольцевых осадков, формирующихся при испарении капель их дисперсий
-
Высоцкий В.В.,
Дементьева О.В.,
Салаватов Н.А.,
Карцева М.Е.,
Зайцева А.В.,
Сапков И.В.,
Рудой В.М.
-
в журнале Коллоидный журнал, том 82, № 2, с. 140-147
DOI
-
-
2020
Многоэлектродная система для реализации твердотельных квантовых устройств, основанных на неупорядоченной системе примесных атомов в кремнии
-
Дагесян С.А.,
Рыженкова С.Ю.,
Сапков И.В.,
Преснов Д.Е.,
Трифонов А.С.,
Крупенин В.А.,
Снигирев О.В.
-
в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 36-40
-
-
2019
Fabrication of electrodes for a logic element based on a disordered dopant atoms network
-
Dagesyan S.A.,
Ryzhenkova S.Yu,
Presnov D.E.,
Sapkov I.V.,
Gaydamachenko V.R.,
Zharik G.A.,
Stepanov A.S.
-
в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 11022, с. 11021P
DOI
-
-
2019
Single-Electron Structures Based on Solitary Dopant Atoms of Arsenic, Phosphorus, Gold, and Potassium in Silicon
-
Presnov D.E.,
Dagesyan S.A.,
Bozhev I.V.,
Shorokhov V.V.,
Trifonov A.S.,
Shemukhin A.A.,
Sapkov I.V.,
Prokhorova I.G.,
Snigirev O.V.,
Krupenin V.A.
-
в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 74, № 2, с. 165-170
DOI
-
-
-
2019
Одноэлектронные структуры на основе одиночных примесных атомов мышьяка, фосфора, золота и калия в кремнии
-
Преснов Д.Е.,
Дагесян С.А.,
Божьев И.В.,
Шорохов В.В.,
Трифонов А.С.,
Шемухин А.А.,
Сапков И.В.,
Прохорова И.Г.,
Снигирев О.В.,
Крупенин В.А.
-
в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 2, с. 64-68
-
-
2018
A Coulomb Blockade in a Nanostructure Based on Single Intramolecular Charge Center
-
Gaydamachenko V.R.,
Beloglazkina E.K.,
Petrov R.A.,
Dagesyan S.A.,
Sapkov I.V.,
Soldatov E.S.
-
в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 73, № 2, с. 193-198
DOI
-
-
2018
Structure and Electrical Conductivity of Ring Deposits Resultingfrom Evaporation of Droplets of Dispersions Containing GoldNanoparticles with Different Degrees of Anisotropy
-
Vysotskii V.V.,
Dement’eva O.V.,
Salavatov N.A.,
Zaitseva A.V.,
Kartseva M.E.,
Sapkov I.V.,
Rudoy V.M.
-
в журнале Colloid Journal, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 80, № 6, с. 615-624
DOI
-
-
-
2018
Структура и электропроводность кольцевых осадков, формирующихся при испарении капель дисперсий, содержащих наночастицы золота с разной степенью анизотропии
-
Высоцкий В.В.,
Дементьева О.В.,
Салаватов Н.А.,
Зайцева А.В.,
Карцева М.Е.,
Сапков И.В.,
Рудой В.М.
-
в журнале Коллоидный журнал, том 80, № 6, с. 652-662
DOI
-
-
-
-
-
Статьи в сборниках
-
-
2019
Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах
-
Снигирев О.В.,
Крупенин В.А.,
Преснов Д.Е.,
Трифонов А.С.,
Манцевич В.Н.,
Маслова Н.С.,
Шорохов В.В.,
Дагесян С.А.,
Сапков И.В.,
Колотинский Н.В.
-
в сборнике Фундаментальные и прикладные исследования в области цифровых квантовых технологий, фотоники и микроэлектроники. Труды научной школы, издательство Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова (Москва), с. 169-210
-
редакторы
Елизаров Сергей Георгиевич,
Захаров Петр Николаевич,
Знаменская Ирина Александровна,
Королев Анатолий Федорович,
Кулик Сергей Павлович,
Садовников Борис Иосифович,
Снигирев Олег Васильевич,
Сысоев Николай Николаевич,
Федянин Андрей Анатольевич
-
-
-
-
Книги
- 2019
Фундаментальные и прикладные исследования в области цифровых квантовых технологий, фотоники и микроэлектроники. Труды научной школы
-
Сысоев Н.Н.,
Садовников Б.И.,
Кулик С.П.,
Федянин А.А.,
Снигирев О.В.,
Королев А.Ф.,
Захаров П.Н.,
Елизаров С.Г.,
Знаменская И.А.,
Перепелкин Е.Е.,
Бобров И.Б.,
Борщевская Н.А.,
Дьяконов И.В.,
Страупе С.С.,
Кондратьев И.В.,
Ковлаков Е.В.,
Стручалин Г.И.,
Барсукова М.Г.,
Бессонов В.О.,
Долгова Т.В.,
Зубюк В.В.,
Кройчук М.К.,
Любин Е.В.,
Мусорин А.И.,
Панов В.И.,
Сафронов К.Р.,
Шорохов А.С.,
Щелкунов Н.М.,
Крупенин В.А.,
Преснов Д.Е.,
Трифонов А.С.,
Манцевич В.Н.,
Маслова Н.С.,
Шорохов В.В.,
Дагесян С.А.,
Сапков И.В.,
Колотинский Н.В.,
Белотелов В.И.,
Князев Г.А.,
Цысарь С.А.,
Саввин В.Л.,
Пирогов Ю.А.,
Сухарева Н.А.,
Потапов А.А.,
Белов А.А.,
Демин Д.С.,
Лукьянченко Г.А.,
Марков Д.С.,
Роганов В.А.,
Монахов А.М.,
Мурсенкова И.В.,
Коротеева Е.Ю.,
Дорощенко И.А.
-
издательство
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова
(Москва)
, ISBN 978-5-8279-0176-1, 360 с.
-
Доклады на конференциях
-
-
-
2018
Fabrication of electrodes for a logic element based on a disordered dopant atoms network
(Стендовый)
-
Авторы:
Ryzhenkova S.,
Sapkov I.,
Gaydamachenko V.,
Zharik G.,
Stepanov A.S.,
Presnov D.,
Dagesyan S.
-
International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), Звенигород, Московская область, Россия, 1-5 октября 2018
-
-
2017
Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центра
(Устный)
-
Авторы:
Петров Р.А.,
Дагесян С.А.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.,
Гайдамаченко В.Р.,
Белоглазкина Е.К.
-
27-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия, Севастополь, Крым, Россия, 10-16 сентября 2017
-
-
2016
Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center
(Стендовый)
-
Авторы:
Gaydamachenko V.,
Beloglazkina E.,
Petrov R.,
Sapkov I.,
Soldatov E.,
Dagesyan S.
-
ICMNE-2016, пансионат Ершово, Звенигород, МО, Россия, 3-6 октября 2016
-
-
-
-
2014
Noise characteristics of silicon FET with nanowire channel
(Стендовый)
-
Авторы:
Presnov D.E.,
Sapkov I.V.,
Krupenin V.A.,
Rjevskiy A.V.,
Bojiev I.V.
-
International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” (ICMNE-2014), “Ershovo” resort, Zvenigorod, Moscow Region, Russia, Россия, 2014
-
-
-
-
-
-
-
Тезисы докладов
-
-
2019
Изготовление и исследование молекулярного одноэлектронного транзистора
-
Морозова Е.К.,
Лялина А.М.,
Сапков И.В.,
Белоглазкина Е.К.,
Солдатов Е.С.
-
в сборнике Материалы 29-й Международной Конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2019), Севастополь, Крым, Россия, Россия, 8-14 сентября 2019, тезисы
-
-
-
2017
Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центра
-
Гайдамаченко В.Р.,
Белоглазкина Е.К.,
Петров Р.А.,
Дагесян С.А.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.
-
в сборнике Сборник трудов 27-й Международной Крымской конференции СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия, место издания г. Севастополь, Россия, том 4, тезисы, с. 1025-1031
-
-
2016
Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center
-
Gaydamachenko V.,
Beloglazkina E.,
Petrov R.,
Sapkov I.,
Soldatov E.,
Dagesyan S.
-
в сборнике Micro- and Nanoelectronics – 2016: Proceedings of the International Conference (October 3–7, 2016, Zvenigorod, Russia): Book of Abstracts, место издания MAKS Press Moscow, тезисы, с. 170
-
-
2016
Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center
-
Gaydamachenko V.,
Beloglazkina E.,
Petrov R.,
Sapkov I.,
Soldatov E.,
Dagesyan S.
-
в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва, тезисы, с. 170-P2-04
-
-
-
-
2014
Noise characteristics of silicon FET with nanowire channel
-
Presnov D.E.,
Sapkov I.V.,
Bojiev I.V.,
Rjevskiy A.V.,
Krupenin V.A.
-
в сборнике Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014", ICMNE 2014, October 6-10, Book of Abstracts, место издания Institute of Physics and Technology of the RAS “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, тезисы, с. P1-34
-
-
-
-
НИРы
-
-
-
9 августа 2019 - 31 декабря 2021
Центр квантовых технологий физического факультета МГУ
-
Физический факультет
-
Руководители:
Кулик С.П.,
Снигирев О.В.,
Сысоев Н.Н.
Участники НИР:
Stadnichuk V.I.,
Абрашитова К.А.,
Антропов И.М.,
Балуян Т.Г.,
Балыгин К.,
Барсукова М.Г.,
Бекиров А.Р.,
Бессонов В.О.,
Бобров И.Б.,
Божьев И.В.,
Ваваев Е.С.,
Владимирова Ю.В.,
Гартман А.Д.,
Голинская А.Д.,
Грунин А.А.,
Гулькин Д.Н.,
Дагесян С.А.,
Долгова Т.В.,
Домбровская Ж.О.,
Дорофеев А.А.,
Дьяконов И.В.,
Егоренков М.В.,
Ежов А.А.,
Жигунов Д.М.,
Зубюк В.В.,
Ибрагимов А.А.,
Калинкин А.А.,
Кирьянов М.А.,
Кокарева Н.Г.,
Колотинский Н.В.,
Кравцов К.С.,
Кройчук М.К.,
Крупенин В.А.,
Лукьянчук Б.С.,
Любин Е.В.,
Манцевич В.Н.,
Маслова Н.С.,
Минаев Д.В.,
Мусорин А.И.,
Новиков И.А.,
Обыденнов Д.В.,
Охлопков К.И.,
Петров А.К.,
Пойманов Ю.М.,
Попкова А.А.,
Преснов Д.Е.,
Ромодина (Скрябина) М.Н.,
Сапков И.В.,
Сафронов К.Р.,
Сиротин М.А.,
Ситнянский В.А.,
Снигирев В.С.,
Соболева И.В.,
Страупе С.С.,
Студеникин Ф.Р.,
Трифонов А.С.,
Устинов А.С.,
Фролов А.Ю.,
Чежегов А.А.,
Чижов А.С.,
Шарипова М.И.,
Шафирин П.А.,
Шилкин Д.А.,
Шорохов А.С.,
Шорохов В.В.,
Щелкунов Н.М.,
Эльяс Е.И.,
Ягудин Д.Ф.,
молотков с.н.
-
-
8 августа 2019 - 30 июня 2022
Развитие физических основ построения широкополосных сверхпроводящих активных антенн
-
Кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники
-
Руководитель:
Колотинский Н.В.
Ответственные исполнители:
Базулин Д.Е.,
Корнев В.К.,
Сапков И.В.
Участники НИР:
Дебцов Г.А.,
Дмитриев П.Н.,
Драгун В.А.,
Ермаков А.Б.,
Левочкина А.Ю.,
Нагирная Д.В.,
Пак Н.В.,
Рыженкова С.Ю.,
Хренов М.М.,
Чекушкин А.М.,
Шевченко М.С.
-
-
-
-
24 октября 2018 - 31 декабря 2020
Центр квантовых технологий физического факультета МГУ
-
Физический факультет
-
Руководители:
Кулик С.П.,
Снигирев О.В.,
Сысоев Н.Н.
Ответственные исполнители:
Владимирова Ю.В.,
Крупенин В.А.,
Мусорин А.И.,
Страупе С.С.
Участники НИР:
Абрашитова К.А.,
Антропов И.М.,
Балыгин К.,
Барсукова М.Г.,
Бессонов В.О.,
Бобров И.Б.,
Божьев И.В.,
Ваваев Е.С.,
Гартман А.Д.,
Голинская А.Д.,
Гулькин Д.Н.,
Дагесян С.А.,
Долгова Т.В.,
Дорофеев А.А.,
Дьяконов И.В.,
Егоренков М.В.,
Ежов А.А.,
Жигунов Д.М.,
Зубюк В.В.,
Калинкин А.А.,
Кирьянов М.А.,
Кокарева Н.Г.,
Колотинский Н.В.,
Кравцов К.С.,
Кройчук М.К.,
Крупенин В.А.,
Любин Е.В.,
Манцевич В.Н.,
Маслова Н.С.,
Минаев Д.В.,
Мусорин А.И.,
Новиков И.А.,
Обыденнов Д.В.,
Охлопков К.И.,
Попкова А.А.,
Преснов Д.Е.,
Ромодина (Скрябина) М.Н.,
Сапков И.В.,
Сафронов К.Р.,
Сиротин М.А.,
Снигирев В.С.,
Соболева И.В.,
Страупе С.С.,
Студеникин Ф.Р.,
Трифонов А.С.,
Фролов А.Ю.,
Чежегов А.А.,
Чижов А.С.,
Шарипова М.И.,
Шафирин П.А.,
Шилкин Д.А.,
Шорохов А.С.,
Шорохов В.В.,
Щелкунов Н.М.,
Ягудин Д.Ф.,
молотков с.н.
-
-
-
-
30 ноября 2014 - 31 декабря 2015
Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов
-
Физический факультет
-
Руководитель:
Корнев В.К.
Участники НИР:
Галстян А.Г.,
Дагесян С.А.,
Жарик Г.А.,
Кленов Н.В.,
Колотинский Н.В.,
Левочкина А.Ю.,
Паршинцев А.А.,
Рахимов А.Т.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.,
Соловьев И.И.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
-
-
-
-
-
14 октября 2013 - 7 декабря 2013
Сверхпроводящие квантовые решетки с дистанционно-управляемыми свойствами
-
Физический факультет
-
Руководитель:
Корнев В.К.
Участники НИР:
Дагесян С.А.,
Езубченко И.С.,
Кленов Н.В.,
Колотинский Н.В.,
Маресов А.Г.,
Паршинцев А.А.,
Сапков И.В.,
Скрипка В.А.,
Снигирев О.В.,
Солдатов Е.С.,
Соловьев И.И.,
Степанов А.С.,
Трифонов А.С.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
-
-
-
-
-
20 сентября 2010 - 15 ноября 2012
Разработка физических основ применения макроскопических квантовых эффектов для приёма, обработки, хранения, и защиты информации
-
Физический факультет
-
Руководитель:
Корнев В.К.
Участники НИР:
Бакурский С.В.,
Кленов Н.В.,
Колотинский Н.В.,
Сапков И.В.,
Снигирев О.В.,
Соловьев И.И.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
-
-
-
1 января 2003 - 31 декабря 2025
Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
-
Лаборатория "Криоэлектроника"
-
Руководитель:
Снигирев О.В.
Участники НИР:
Божьев И.В.,
Дагесян С.А.,
Дорофеев А.А.,
Крупенин В.А.,
Левин Э.Е.,
Маресов А.Г.,
Порохов Н.В.,
Преснов Д.Е.,
Прохорова И.Г.,
Ржевский А.В.,
Рогаля В.А.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.,
Трифонов А.С.
-
Отчеты
-
-
-
-
-
2015
Отчет о ПНИ "Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов". Этап №2: "Теоретические и экспериментальные исследования" (промежуточный)
-
Авторы:
Корнев В.К.,
Рахимов А.Т.,
Колотинский Н.В.,
Галстян А.Г.,
Дагесян С.А.,
Жарик Г.А.,
Кленов Н.В.,
Левочкина А.Ю.,
Паршинцев А.А.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.,
Соловьев И.И.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
- #215080770006, 110 с.
-
-
-
-
-
2014
Отчет о ПНИ "Разработка физических основ построения сверхпроводниковых электронных устройств для широкополосных приемных систем с прямой оцифровкой сигналов". Этап №1: "Выбор направления исследований. Теоретические исследования" (промежуточный)
-
Авторы:
Корнев В.К.,
Рахимов А.Т.,
Колотинский Н.В.,
Галстян А.Г.,
Дагесян С.А.,
Жарик Г.А.,
Кленов Н.В.,
Левочкина А.Ю.,
Паршинцев А.А.,
Сапков И.В.,
Солдатов Е.С.,
Соловьев И.И.,
Трифонов А.С.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
- #215022640060, 139 с.
-
-
-
-
-
2013
Отчет о НИР: "Сверхпроводящие квантовые решетки с дистанционно-управляемыми свойствами". Этап №1: "Выбор направления исследований. Теоретические и экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач. Обобщение и оценка результатов исследований" (заключительный)
-
Авторы:
Корнев В.К.,
Снигирев О.В.,
Дагесян С.А.,
Езубченко И.С.,
Кленов Н.В.,
Колотинский Н.В.,
Маресов А.Г.,
Паршинцев А.А.,
Сапков И.В.,
Скрипка В.А.,
Солдатов Е.С.,
Соловьев И.И.,
Степанов А.С.,
Трифонов А.С.,
Шарафиев А.В.,
Шорохов В.В.
- #02201450232, 147 с.
-
-
-
-
-
Авторство учебных курсов