ИСТИНА

Звягин Игорь Петрович пользователь

доктор физико-математических наук с 1981 года

профессор по кафедре физики полупроводников и криоэлектроники с 12 октября 1989 г.

Прежние места работы (Нажмите для отображения)

Соавторы: Ормонт М.А., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Миронов А.Г., Казанский А.Г., Thomas P., Мелешко Н.В., Baranovskii S.D., Keiper A.R., Kinase W., Венедиктов А., Bonch-Bruevich V.L., Cordes H. показать полностью..., Бонч-Бруевич В.Л., Эссер Б., Borisov K.E., Yamasaki S., Арутюнян Н.А., Борисов К.Е., Дмитриев А.В., Зайцев А.И., Карпенко И.В., Нальгиева М.А., Читая К.Б., Alferov Z., BUTCHER P., Balagurov L.A., Biskupski G., Borisov K.E., Demishev S.V., Elliman R.G., Enderlein R., Fauchet P.M., Gregorkiewicz T., HIROSE K., Hutchby J.A., Iskandarova I.M., KURBATOV L., Kasap S., Knizhnik A., Koch W., Kohary K., Konovalov A.V., MANUCHARYANTS E., Maschke K., Nal’gieva M.A., Orlov A.F., PETROVA V., PLYUKHIN A., Potapkin B., Pronin A.N., Richter G., Rubel O., SALEH R., SANDOMIRSKII V., Stolz W., Suris R., Takahashi K.b., VOROB'EV P., Yarkin D.G., ZARIFYANTS Y., Вавилов В.С., Гуляев А.П., Искандарова И.М., Ищенко Т.В., Кайпер Р., Келдыш Л.В., Книжник А.А., Коновалов А.В., Ларина Э.В., Понарина Е.Н., Потапкин Б.В., Самарин Н.А., Случанко Н.Е., Эндерлайн Р.

142 статьи, 7 книг, 41 доклад на конференциях, 34 тезисов докладов, 2 НИР, 2 научного отчёта, 1 членство в редколлегии журнала, 1 членство в редколлегии сборника, 2 членства в программных комитетах, 1 членство в диссертационном совете, 8 диссертаций, 3 дипломные работы, 11 учебных курсов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 767, Scopus: 700

IstinaResearcherID (IRID): 1311671

ResearcherID: B-9565-2014

Деятельность

---

• Статьи в журналах

  • 
    • 2020 High-Frequency Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition from the Linear to Quadratic Frequency Dependence
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 1, с. 33-39 DOI
  • • 2020 Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 54, № 1, с. 36-43 DOI
  • 
    • 2019 The deviations of high frequency conductivity of disordered granular systems from universality
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале International Journal of Nanoscience, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), том 18, № 3 & 4, с. 1940026-1-1940026-4 DOI
  • 
    • 2018 Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 52, № 2, с. 150-155 DOI
  • 
    • 2018 Frequency Dependence of the Dielectric Loss Angle in Disordered Semiconductors in the Terahertz Frequency Range
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 60, № 5, с. 882-889 DOI
  • 
    • 2018 The nonuniversality of the frequency dependence of the conductivity in disordered nanogranulated systems
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 60, № 12, с. 2369-2378 DOI
  • • 2018 Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных наногранулированных систем
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 60, № 12, с. 2331-2339 DOI
  • • 2018 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 52, № 2, с. 161-166 DOI
  • • 2018 Частотная зависимость угла диэлектрических потерь в неупорядоченных полупроводниках в терагерцовой области частот
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 60, № 5, с. 880-887 DOI
  • • 2016 Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Ученые записки физического факультета Московского Университета, № 3, с. 163507-1-163507-4
  • 
    • 2015 Specific features of the frequency dependence of the conductivity of disordered semiconductors in the region of the crossover between transport mechanisms
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 4, с. 437-441 DOI
  • 
    • 2015 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 4, с. 449-452 DOI
  • • 2014 Application of impedance spectroscopy to the analysis of the mechanism of electron transport in disordered materials
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в журнале Smart Nanocomposites. Nova Science Publishers. ISSN 1949 4823, том 5, № 2, с. 111-116
  • • 2014 Conduction regimes in organic semiconducting polymers
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, издательство American Scientific Publishers (United States), том 9
  • 
    • 2014 Hopping conductivity of disordered semiconductors in the intermediate frequency range
    • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, издательство American Scientific Publishers (United States), том 9, № 6, с. 766-768 DOI
  • 
    • 2011 The Effect of Orientational Disorder on Hopping Conductivity in Disordered Organic Semiconductors
    • Venediktov V.A., Zvyagin I.P.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 66, № 6, с. 583-587 DOI
  • • 2011 Влияние ориентационного беспорядка на прыжковую проводимость органических неупорядоченных полупроводников
    • Венедиктов В.А., Звягин И.П.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 19, № 6, с. 90-93
  • 
    • 2010 Current trends in the physics of thermoelectric materials
    • Dmitriev A.V., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physics Uspekhi, издательство Russian Academy of Sciences (Russian Federation), том 53, № 8, с. 789-803 DOI
  • • 2010 Программный комплекс для оптимизации процессов очистки металлургического кремния для применения в солнечных элементах
    • Искандарова И.М., Звягин И.П., Книжник А.А., Коновалов А.В., Потапкин Б.В., Арутюнян Н.А., Зайцев А.И.
    • в журнале Вестник Казанского технологического университета, № 2, с. 137-140
  • • 2010 Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов
    • Дмитриев А.В., Звягин И.П.
    • в журнале Успехи физических наук, издательство ФГБУ "Издательство "Наука" (Москва), том 180, № 8, с. 821-838
  • 
    • 2009 Asymptotic behavior of electron wave functions in disordered granular materials
    • Zvyagin I.P., Mironov A.G., Ormont M.A.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 64, № 3, с. 303-305 DOI
  • 
    • 2009 Асимптотическое поведение электронных волновых функций в неупорядоченных гранулированных материалах,
    • Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 17, № 3, с. 66-68 DOI
  • 
    • 2008 A Percolation Approach to the Temperature and Charge Carrier Concentration Dependence of the Hopping Conductivity in Organic Materials
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 5, с. 725-729
  • 
    • 2008 Frequency Dependence of Low-Temperature Phononless Conductivity in Disordered Systems
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 63, № 4, с. 272-275 DOI
  • 
    • 2008 Особенности частотной зависимости низкотемпературной бесфононной проводимости неупорядоченных систем
    • Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 44-47 DOI
  • 
    • 2006 Hopping epsilon(2) conductivity of boron-doped a-Si : H films annealed in hydrogen at high temperature
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Nal’gieva M.A., Ormont N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 40, № 1, с. 108-112 DOI
  • • 2006 Влияние температуры на концентрационную щель в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком
    • Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 21-24
  • 
    • 2006 Прыжковая e2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
    • Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 40, № 1, с. 112-116 DOI
  • • 2004 Lucky-drift model for avalanche multiplication in amorphous semiconductors
    • Rubel O., Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Thomas P., Kasap S.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 1, № 5, с. 1186-1193 DOI
  • 
    • 2004 Superlattices with intentional disorder: impurity-assisted vertical hopping
    • Zvyagin I.P., Borisov K.E.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 1, № 1, с. 105-108 DOI
  • 
    • 2004 Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, № 1, с. 101-104
  • 
    • 2003 The effect of exchange interaction on the energy spectrum of electrons in doped intentionally disordered superlattices
    • Zvyagin I.P., Mironov A.G., Ormont M.A.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 97, № 5, с. 1010-1014 DOI
  • 
    • 2003 Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком
    • Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 124, № 11, с. 1127-1132 DOI
  • • 2003 Особенности вертикального прыжкового переноса электронов с участием фононов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
    • Борисов К.Е., Звягин И.П., Миронов А.Г.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 44, № 4, с. 56-60
  • 
    • 2002 Conduction in Granular Metals: Virtual State-Assisted Hopping
    • Zvyagin I.P., Keiper R.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 230, № 1, с. 151-155
  • 
    • 2002 Conduction in granular metals by virtual tunneling on the fractal percolation cluster
    • Zvyagin I.P., Keiper R.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 230, № 1, с. 151-155 DOI
  • 
    • 2002 Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A., Baranovskii S.D., Thomas P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 230, № 1, с. 193-196 DOI
  • 
    • 2002 Electronic transport in disordered organic and inorganic semiconductors
    • Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Cordes H., Yamasaki S., Thomas P.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 299, с. 416-419
  • 
    • 2002 Hopping in quasi-one-dimensional disordered solids: Beyond the nearest-neighbor approximation
    • Zvyagin I.P., Baranovskii S.D., Kohary K., Cordes H., Thomas P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 230, № 1, с. 227-231 DOI
  • 
    • 2002 Percolation Approach to Hopping Transport in Organic Disordered Solids
    • Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Cordes H., Yamasaki S., Thomas P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 230, № 1, с. 281-287
  • 
    • 2001 Conduction in Granular Metals by Hopping via Virtual States
    • Zvyagin I.P., Keiper R.
    • в журнале Philosophical Magazine, издательство Taylor & Francis (United Kingdom), том 81, № 9, с. 997-1009
  • 
    • 2000 DC and AC Hopping Transport in Bulk Amorphous Gallium Antimonide
    • Demishev S.V., Pronin A.A., Kondrin M.V., Sluchanko N.E., Samarin N.A., Ischenko T.V., Biskupski G., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 218, № 1, с. 67-70 DOI
  • 
    • 2000 Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A., Borisov K.E.
    • в журнале Nanotechnology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 11, с. 375-378 DOI
  • 
    • 2000 Radiation related to electrically driven oscillations in doped double quantum well structures
    • Thomas P., Zvyagin I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 218, № 2, с. 449-453
  • 
    • 2000 Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 218, № 1, с. 107-111 DOI
  • 
    • 1999 VERTICAL HOPPING CONDUCTION VIA VIRTUAL STATES IN INTENTIONALLY DISORDERED SUPERLATTICES
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 69, № 12, с. 932-937
  • 
    • 1999 Vertical screening in doped, intentionally disordered semiconductor superlattices
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 33, № 1, с. 69-71 DOI
  • • 1999 Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
    • Звягин И.П.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 69, № 12, с. 932-937
  • 
    • 1999 Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках
    • Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 33, № 1, с. 79-82 DOI
  • 
    • 1998 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Ormont N.N., Zvyagin I.P.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 227, с. 306-310
  • 
    • 1998 Electronic superstructures in doped superlattices
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 87, № 3, с. 594-599 DOI
  • 
    • 1998 Hopping thermopower in the regime of ballistic phonons
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 205, № 1, с. 391-394 DOI
  • 
    • 1997 Effects of Coulomb interaction in intentionally disordered semiconductor superlattices
    • Richter G., Stolz W., Thomas P., Koch S.W., Maschke K., Zvyagin I.P.
    • в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 22, № 4, с. 475-480 DOI
  • 
    • 1996 Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Zvyagin I.P., Yarkin D.G.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 200, с. 470-473
  • 
    • 1996 On the theory of ferroceramic composites conductivity
    • Kinase W., Zvyagin I.P.
    • в журнале IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA, том 60, № 10, с. 69-72
  • 
    • 1995 ANISOTROPY OF HOPPING CONDUCTIVITY OF QUASI-UNIDIMENSIONAL SYSTEMS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki, том 107, № 1, с. 175-186
  • 
    • 1995 PERCOLATION APPROACH TO THE BARRIER-CONTROLLED CONDUCTIVITY OF CERAMIC COMPOSITES
    • ZVYAGIN I.P., KINASE W.
    • в журнале Journal of the Physical Society of Japan, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 64, № 8, с. 2988-2993 DOI
  • 
    • 1993 ANISOTROPY OF JUMP CONDUCTIVITY IN SUPERLATTICES AND MULTILAYERED STRUCTURES
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki, том 104, № 4, с. 3479-3488
  • 
    • 1993 NATURE OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 27, № 10, с. 942-945
  • 
    • 1993 ON THE THEORY OF HOPPING CONDUCTION IN QUASI-ONE-DIMENSIONAL SYSTEMS
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 34, № 6, с. 94-96
  • 
    • 1993 ON THEORY OF THE FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY OF DISORDERED ORGANIC SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP, PETROVA VP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 34, № 4, с. 102-104
  • 
    • 1993 On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H films
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 164, № 1, с. 631-634 DOI
  • 
    • 1993 RECOMBINATION VIA DANGLING-BOND COMPLEXES IN AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 27, № 11, с. 1023-1025
  • • 1993 О природе фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 27, № 10, с. 1707-1712
  • 
    • 1992 FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE HOPPING CONDUCTIVITY FOR SYSTEMS WITH DIAGONAL DISORDER
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, том 65, № 4, с. 745-748 DOI
  • 
    • 1991 INTERNAL CURRENTS IN MULTI LAYER STRUCTURES
    • SALEH R., THOMAS P., ZVYAGIN IP
    • в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 10, № 1, с. 59-62 DOI
  • 
    • 1991 ON THE TRANSVERSE THERMOPOWER OF LAYERED STRUCTURES
    • THOMAS P., ZVYAGIN IP
    • в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 10, № 1, с. 119-120 DOI
  • 
    • 1991 THE INFLUENCE OF PRE-ILLUMINATION ON THE PROCESS OF PHOTOINDUCED DANGLING BOND FORMATION IN A-SI-H
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 32, № 1, с. 97-100
  • 
    • 1991 Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 32, № 1, с. 97-100
  • 
    • 1990 LOW-TEMPERATURE RELAXATION IN DISORDERED ORGANIC SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP, PLYUKHIN AV
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 31, № 3, с. 84-89
  • 
    • 1990 MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 10 , с. 1078-1080
  • 
    • 1990 MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 10, с. 1078-1080
  • 
    • 1990 SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 11, с. 1238-1240
  • • 1990 Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 24, № 11, с. 1992-1994
  • • 1990 О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 24, № 10, с. 1726-1731
  • 
    • 1989 HOPPING RELAXATION AND PHOTOCONDUCTIVITY OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 152, № 1, с. 231-238 DOI
  • 
    • 1989 ON THERMOPOWER CALCULATIONS WITH TEMPERATURE-DEPENDENT ELECTRON ENERGIES
    • BUTCHER P.N., ZVYAGIN I.P.
    • в журнале Philosophical Magazine Letters, издательство Taylor & Francis (United Kingdom), том 59, № 2, с. 115-117 DOI
  • • 1989 Нестабильные состояния в пленках n-Si:H с большим содержанием водорода
    • Звягин И.П., Курова И.А., Понарина Е.Н.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 6, с. 8-9
  • 
    • 1988 BONCH-BRUYEVICH, VIKTOR, LEOPOLDOVICH - OBITUARY
    • ALFEROV ZI, VAVILOV VS, GULYAEV YV, GUREVICH VL, ZVYAGIN IP, KELDYSH LV, KURBATOV LN, MIRONOV AG, SANDOMIRSKII VB, SURIS RA
    • в журнале Uspekhi Fizicheskikh Nauk, том 154, № 2, с. 335-336 DOI
  • 
    • 1987 BONCHBRUEVICH,V.L., 1923-1987
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 97, с. R11 DOI
  • 
    • 1987 DANGLING BOND AS A VARIABLE-U DEFECT IN A-SI-H
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 97, с. 83-86 DOI
  • 
    • 1987 DANGLING-BOND RECOMBINATION AND PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H
    • KUROVA IA, ZVYAGIN IP
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 90, № 1-3, с. 207-210 DOI
  • 
    • 1987 MODEL OF THE 2-DIMENSIONAL ELECTRON-SYSTEM IN THE CERAMIC SUPERCONDUCTIVITY
    • KINASE W., ZVYAGIN IP, TAKAHASHI K., HIROSE K.
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, том 26, № 5, с. L745-L747 DOI
  • 
    • 1987 RECOMBINATION IN DOPED FILMS FROM HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N., CHITAYA K.B.
    • в журнале IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA, том 30, № 6, с. 7-17
  • 
    • 1987 SOME ASPECTS OF THE TRANSPORT PHENOMENA NEAR THE MOBILITY EDGE IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 90, № 1, с. 17-20 DOI
  • • 1987 Особенности процессов рекомбинации в легированных пленках гидрированного аморфного кремния
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Читая К.Б.
    • в журнале Известия вузов СССР, Физика, № 6, с. 7-17
  • 
    • 1986 CRITICAL-BEHAVIOR OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER NEAR THE MOBILITY EDGE
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 20, № 8, с. 959-960
  • 
    • 1986 THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN DOPED A-SI-H FILMS
    • ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., ORMONT N.N.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 43, № 11, с.  684-687
  • • 1986 Температурное гашение фотопроводимости в легированных пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 43, № 11, с. 528-530
  • 
    • 1985 THE RANDOM BARRIER MODEL AND THE RESISTANCE ANOMALIES IN FERROELECTRIC CERAMICS
    • ZVYAGIN IP, KINASE W.
    • в журнале Journal of the Physical Society of Japan, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 54, № 12, с. 4776-4782 DOI
  • 
    • 1984 CONDUCTIVITY OF TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS WITH FINITE-ENERGY BANDWIDTH
    • VOROB'EV PA, ZVYAGIN IP
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 26, № 3, с. 915-917
  • 
    • 1984 PLANAR CONDUCTION IN INHOMOGENEOUS FILMS. APPLICATION TO AMORPHOUS SILICON
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 86, № 1, с. 375-381 DOI
  • 
    • 1984 TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE MOBILITY EDGE OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 18, № 8, с. 930-931
  • 
    • 1983 CONDUCTIVITY OF ORGANIC TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 24, № 2, с. 46-50
  • 
    • 1983 LOCALIZATION AND MOBILITY EDGE IN TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, том 47, № 4, с. 451-456
  • 
    • 1983 THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY NEAR THE LOCALIZATION THRESHOLD
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 120, № 2, с. 503-509 DOI
  • 
    • 1982 DETERMINATION OF THE PARAMETERS OF LOCALIZED STATES IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON FROM THE FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY
    • ABRAMOV VO, ZARIFYANTS YA, ZVYAGIN IP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 16, № 4, с. 461-462
  • 
    • 1981 AC HOPPING CONDUCTIVITY - ANALYTICAL THEORY VERSUS NUMERICAL-CALCULATION
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 108, № 2, с. K85-K88 DOI
  • 
    • 1981 ON THE TIME-DEPENDENCE OF THE CAPTURE OF NONEQUILIBRIUM HOPPING CHARGE-CARRIERS
    • ESSER B., ZVYAGIN I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 104, № 2, с. 523-529 DOI
  • 
    • 1980 A REMARK ON THE NUMERICAL-SIMULATION OF THE TRANSIENT HOPPING PROCESS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 98, № 2, с. K159-K161 DOI
  • 
    • 1980 IMPURITY-BAND HOPPING CONDUCTION IN SURFACE-LAYERS AT THE INSULATOR-SEMICONDUCTOR INTERFACE
    • ZVYAGIN IP, KEIPER R.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 98, № 2, с. K105-K108 DOI
  • 
    • 1980 PERCOLATIVE APPROACH TO THE THEORY OF THE AC HOPPING CONDUCTIVITY
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 97, № 1, с. 143-149 DOI
  • 
    • 1980 QUANTUM-STATISTICAL THEORY OF TRANSPORT BY LOCALIZED CARRIERS IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 101, № 1, с. 9-41 DOI
  • 
    • 1980 THEORY OF THE PHOTON-PHONON-ASSISTED HOPPING IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Journal of Non-Crystalline Solids, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 35, № JAN-, с. 135-140 DOI
  • 
    • 1979 HOPPING MECHANISM OF DISPERSIVE TRANSPORT
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 95, № 1, с. 227-235 DOI
  • 
    • 1979 KINETIC-EQUATION FOR LOCALIZED-ELECTRONS IN THE FIELD OF A STRONG ELECTROMAGNETIC-WAVE
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 20, № 3, с. 8-15
  • 
    • 1979 NONLINEAR HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 20, № 5, с. 75-78
  • 
    • 1978 COMMENTS ON THEORY OF HOPPING CONDUCTION
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 85, № 1, с. 105-109 DOI
  • 
    • 1978 FREQUENCY-DEPENDENCE OF JUMP CONDUCTION
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 19, № 3, с. 82-88
  • 
    • 1978 HOPPING CONDUCTION IN PRESENCE OF AN ELECTROMAGNETIC-WAVE
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 88, № 1, с. 149-154 DOI
  • 
    • 1978 TEMPERATURE-DEPENDENCE OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 12, № 5, с. 606-607
  • 
    • 1977 CORRELATION EFFECTS IN HOPPING CONDUCTION
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 83, № 1, с. 63-70 DOI
  • 
    • 1977 CORRELATION EFFECTS IN THEORY OF HOPPING TRANSPORT - CONDUCTIVITY AND THERMOPOWER
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 18, № 4, с. 43-50
  • 
    • 1977 CORRELATION EFFECTS IN THEORY OF JUMPING TRENSPORTATUM GENERAL RELATIONS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 18, № 3, с. 62-69
  • 
    • 1977 SIZE LOCALIZATION OF ELECTRONS IN INHOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 26, № 10, с. 531-533
  • 
    • 1976 MANY-PHONON JUMPINGS IN UNORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA, № 2, с. 35-42
  • 
    • 1976 TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CONDUCTIVITY AND THERMO EMF INDUCED BY MANY-PHONON JUMPINGS IN UNORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA, № 2, с. 42-47
  • 
    • 1975 THEORY OF ELECTRONIC TRANSPORT BETWEEN LOCALIZED STATES
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 16, № 1, с. 9-15
  • 
    • 1975 THEORY OF PHONON-ASSISTED HOPPING CONDUCTIVITY IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP, MANUCHARYANTS EO
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 16, № 5, с. 569-573
  • 
    • 1974 GREENS FUNCTIONS APPROACH TO THEORY OF HOPPING CONDUCTIVITY IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 65, № 2, с. 665-669 DOI
  • 
    • 1973 Behavour of the Charge Carriers in a Random Force Field
    • Bonch-Bruevich V.L., Mironov A.G., Zvyagin I.P.
    • в журнале Rivista del Nuovo Cimento della Societa Italiana di Fisica, издательство Societa Italiana di Fisica (Italy), том 3, № 4, с. 321-418
  • 
    • 1973 On the Theory of Hopping Transport in Disordered Semiconductors
    • Zvyagin I.P.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 58, с.  443- 449 DOI
  • • 1972 О влиянии прилипания на свойства электрических доменов
    • Звягин И.П., Миронов А.Г.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 13, № 5
  • 
    • 1969 STABILITY OF STEADY-STATE DOMAIN MOTION IN SYSTEMS WITH A DRIFT NONLINEARITY
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 3, № 1, с. 25-&
  • 
    • 1967 EFFECT OF THERMOELECTRIC CURRENT ON STABILITY OF ELECTRIC FIELD AND CHARGE DISTRIBUTION IN A SEMICONDUCTOR
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 8, № 10, с. 2269-&
  • 
    • 1965 CALCULATION OF HALL CONSTANT IN WEAK MAGNETIC FIELDS IN PRESENCE OF IMPURITY SCATTERING
    • ZVYAGIN IP
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 7, № 4, с. 779-&
  • 
    • 1965 CALCULATION OF KINETIC COEFFICIENTS IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR, том 6, № 10, с. 2368
  • 
    • 1963 THE POSITION OF THE FERMI LEVEL IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
    • ZVYAGIN I.P.
    • в журнале SOVIET PHYSICS-SOLID STATE, том 5, № 2, с. 422-425

• Статьи в сборниках

  • • 2017 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Материалы XIV Международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2017)», место издания Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург, том 1, с. 83-85
  • 
    • 2016 Application of impedance spectroscopy to the analysis of the mechanism of electron transport in disordered materials
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Synthesis, Characterization and Modelling of Nano-Sized Structures, место издания Nova Science Publishers, Inc Taiwan, с. 87-96
  • • 2016 Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2016», Секция Физики, место издания Издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова Москва, физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, с. 35-40
  • • 2014 Исследование диэлектрических потерь как метод получения информации об особенностях явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2014», секция «Физика», место издания М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Москва, с. 51-54
  • • 2014 Применение методов импедансной спектроскопии к анализу особенностей механизмов электронного переноса в неупорядоченных средах
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Материалы XIII Международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2014)», место издания Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург, том 1, с. 106-108
  • • 2011 Влияние ориентационного беспорядка на транспорт в неупорядоченных органических полупроводниках
    • Венедиктов В.А., Звягин И.П.
    • в сборнике XII Международная конференции «Диэлектрики-2011», 23-26 мая 2011 г, место издания Санкт-Петербург, Россия, том 1, с. 57-60
  • 
    • 2009 COULOMB GAP AND SUPERLINEAR FREQUENCY DEPENDENCE OF RESONANCE HOPPING AC CONDUCTIVITY
    • ORMONT M.A., ZVYAGIN I.P.
    • в сборнике PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURES, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), с. 52-55
  • • 2008 Влияние кулоновской щели на частотную зависимость резонансной проводимости неупорядоченных полупроводников
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Материалы XI Международной конференции «Физика диэлектриков», место издания Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург, том 1, с. 98-100
  • 
    • 2007 ANOMALOUS FREQUENCY DEPENDENCE OF PHONONLESS AC CONDUCTIVITY OF GRANULAR SYSTEMS
    • ZVYAGIN I.P., ORMONT M.A.
    • в сборнике PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURES, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), с. 85-88
  • 
    • 2003 Conduction in nanocomposites: Hopping on a fractal
    • Zvyagin I.P.
    • в сборнике 10th Int. Symp. ”Nanostructurs: Physics and Technology”, место издания Ioffe Institute St.Petersburg, том 5023, с. 559-553 DOI
  • 
    • 2003 Tunneling conductivity in thermally oxidized porous silicon
    • Yarkin D.G., Balagurov L.A., Orlov A.F., Zvyagin I.P., Gregorkiewicz T., Elliman R.G., Fauchet P.M., Hutchby J.A.
    • в сборнике Optoelectronics of Group-IV-Based Materials, серия MRS Proceedings, том 770, с. 37-42
  • • 1999 Electronic structure and vertical transport in doped intentionally disordered superlattices
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Proceedings of the International school on the physics of semiconductors, место издания St.-Petersburg: Ioffe Physical Technical Institute St.-Petersburg, с. 29-31
  • • 1999 Vertical screening in doped semiconductor superlattices with intentional disorder
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Proceedings of the 24th International conference on the physics of semiconductors, место издания World Scientific World Scientific Singapore, с. P87-P90
  • • 1991 The hopping thermopower
    • Zvyagin I.P.
    • в сборнике Hopping transport in solids, серия Modern Problems in Condensed Matter Sciences, Vol. 28, Eds M Pollak, B Shklovskii) (Amsterdam: North-Holland, 1991), издательство North-Holland, Elsevier Science Publishers (Amsterdam, Netherlands), том 28, с. 143

• Книги

  • • 1987 Сборник задач по физике полупроводников, 2-е изд., перераб. и дополн
    • Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Карпенко И.В., Миронов А.Г.
    • издательство МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва) , 143 с.
  • • 1984 Elektronenthorie ungeordneter Halbleiter
    • Bonch-Bruevich V.L., Enderlein R., Esser B., Keiper R., Mironov A.G., Zvyagin I.P.
    • место издания Deutscher Verlag der Wissenschaften Berlin, Germany, 360 с.
  • • 1984 Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках
    • Звягин И.П.
    • место издания Изд. Московского университета Москва, 192 с.
  • • 1981 Электронная теория неупорядоченных полупроводников
    • Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б.
    • место издания Наука Москва, 383 с.
  • • 1975 Domain Electrical Instabilities in Semiconductors
    • Bonch-Bruevich V.L., Zvyagin I.P., Mironov A.G.
    • место издания Consultants Bureau New York, United States, 398 с.
  • • 1972 Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках М.: Наука
    • Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г.
    • место издания Наука Москва, 416 с.
  • • 1968 Сборник задач по физике полупроводников
    • Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Карпенко И.В., Миронов А.Г.
    • место издания Наука Москва, 110 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных гранулированных систем (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
  • • 2019 The deviations of high frequency conductivity of disordered granular systems from universality (Стендовый)
    • Авторы: Ormont M.A., Zvyagin I.P.
    • Int. Conf. "Nanomeeting-2019" Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, Minsk, Беларусь, 21-24 мая 2019
  • • 2017 Частотная зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, Россия, 1-6 октября 2017
  • • 2017 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • XIV Международная конференция Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017), Санкт-Петербург, Россия, 30 мая - 2 июня 2017
  • • 2016 Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2015 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
  • • 2014 Применение методов импедансной спектроскопии к анализу особенностей механизмов электронного переноса в неупорядоченных средах (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • XIII Международная конференция «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2014)», г. Санкт-Петербург, Россия, 2014
  • • 2014 Исследование диэлектрических потерь как метод получения информации об особенностях явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • Ломоносовские чтения - 2014. Секция физики, Москва, Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 14-25 апреля 2014
  • • 2013 Особенности частотной зависимости прыжковой проводимости неупорядоченных систем (Стендовый)
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
  • • 2011 Влияние ориентационного беспорядка на транспорт в неупорядоченных органических полупроводниках (Устный)
    • Авторы: Венедиктов В.А., Звягин И.П.
    • XII Международная конференции «Диэлектрики-2011», 23-26 мая 2011 г., Санкт-Петербург, Россия, Санкт-Петербург, Россия, 23-26 мая 2011
  • • 2009 A program tool for optimization of silicon purification processes for solar cell applications (Устный)
    • Авторы: Iskandarova I.M., Звягин И.П., Knizhnik A., Зайцев А.И., Potapkin B., Арутюнян Н.А., Konovalov A.V.
    • XVII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia , Kazan, 2009
  • • 2009 COULOMB GAP AND SUPERLINEAR FREQUENCY DEPENDENCE OF RESONANCE HOPPING AC CONDUCTIVITY (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • “Nanomeeting-2009”, Minsk, Belarus, Беларусь, 2009
  • • 2009 Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках (Устный)
    • Автор: Звягин И.П.
    • 9 Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники – 2009”, 3 октября, 2009, Новосибирск - Томск, 2009
  • • 2008 Влияние кулоновской щели на частотную зависимость резонансной проводимости неупорядоченных полупроводников (Устный)
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • XI Международная конференция «Физика диэлектриков» , Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2008
  • • 2007 ANOMALOUS FREQUENCY DEPENDENCE OF PHONONLESS AC CONDUCTIVITY OF GRANULAR SYSTEMS (Устный)
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • “Nanomeeting-2007”, Minsk, Belarus, Беларусь, 2007
  • • 2007 Особенности частотной зависимости резонансной проводимости неупорядоченных систем (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • VIII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2007". , г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, 2007
  • • 2005 Прыжковая -проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором.
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2005", г. Москва (Звенигород), Россия, 2005
  • • 2003 Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste, 2003
  • • 2003 Прыжковая проводимость в аморфном гидрированном кремнии
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003", г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
  • • 2003 Сверхрешетки с контролируемым беспорядком: концентрационная щель (Устный)
    • Авторы: Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А.
    • VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003", г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
  • • 2001 Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • 9 International conference on hopping and related phenomena, Shefayim, Israel, Израиль, 2001
  • • 2001 Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А., Звягин И.П.
    • V Российская конференция по физике полупроводников. , г. Нижний Новгород, 2001
  • • 2001 Влияние кулоновских полей на плотность состояний в легированных сверхрешетках с вертикальным беспорядком (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • V Российская конференция по физике полупроводников. , г. Нижний Новгород, 2001
  • • 2000 Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт М.А., Borisov K.E.
    • International symposium «Nanostructures: physics and technology», St.-Petersburg, 2000
  • • 2000 Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • II Международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”, г. Саратов, 2000
  • • 1999 Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices (Устный)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • 8th International conference on hopping and related phenomena, Murcia, Spain, Испания, 1999
  • • 1999 Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком (Стендовый)
    • Авторы: Ормонт М.А., Звягин И.П., Борисов К.Е.
    • 4 Всероссийская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 1999
  • • 1999 Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).
    • Авторы: Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А.
    • Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1999
  • • 1999 Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
    • Авторы: Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Звягин И.П.
    • Международная конференция “Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”, гю Ульяновск, 1999
  • • 1998 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1998
  • • 1997 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Авторы: Казанский А.Г., Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • 17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS, г. Будапешт, 1997
  • • 1997 Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H.
    • Авторы: Казанский А.Г., Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • Семинар "Новые идеи в физике стекла", г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1997
  • • 1997 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремни
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, г. Ульяновск, 1997
  • • 1993 On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanism in Light Soaked a-Si:H Films
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • 15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15, Cambridge, 1993
  • • 1993 О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
    • I Российская конф. по физике полупроводни-ков, г. Нижний Новгород, 1993
  • • 1991 Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии.
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • Всесоюзный семинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение", г. Ленинград, 1991
  • • 1990 О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновес-ными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников. , г. Киев, 1990
  • • 1989 Field-Induced Metastable States in n-Si:H
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Понарина Е.Н.
    • XV International Congress on Glass, Leningrad, USSR, 1989
  • • 1988 Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
    • Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников, г. Кишинев, 1988
  • • 1976 О двухуровневой корреляционной функции и прыжковой проводимости в неупорядоченных полупроводниках
    • Авторы: Миронов А.Г., Звягин И.П.
    • VI межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам,, Ленинград, 1976
  • • 1972 О влиянии прилипания на скорость рекомбинационных доменов
    • Авторы: Миронов А.Г., Звягин И.П.
    • Симпозиум по физике плазмы, Вильнюс, 1972

• Тезисы докладов

  • • 2019 Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных гранулированных систем
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г, место издания Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск, том 2, тезисы, с. 363 DOI
  • • 2017 Частотная зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике XIII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, место издания Институт Физики Металлов УрО РАН Екатеринбург, тезисы, с. 341-341
  • • 2015 Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, место издания Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва, тезисы, с. 292
  • • 2013 Особенности частотной зависимости прыжковой проводимости неупорядоченных систем
    • Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • в сборнике Тезисы докладов Xi Российской конференции по физике полупроводников, место издания г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, тезисы, с. 378-378
  • • 2012 Особенности прыжковой проводимости неупорядоченных полупроводников с цепочечной структурой
    • Венедиктов В.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Вестник центра хемотроники стекла им. В.В.Тарасова №5. Доклады научной сессии Центра хемотроники стекла им. В.В.Тарасова, посвященной 300-летию со дня рождения М.В.Ломоносова,, место издания Российское химическое общество им. Д.И. Менделеева, Российское физическое общество Москва, тезисы, с. 106-110
  • • 2009 9 Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники – 2009”, 3 октября, Новосибирск - Томск Тезисы докладов, с.28 сентября 203 Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках
    • Звягин И.П.
    • в сборнике IX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2009», том 28, тезисы, с. 203-203
  • • 2009 A program tool for optimization of silicon purification processes for solar cell applications
    • Iskandarova I.M., Zvyagin I.P., Knizhnik A.A., Konovalov A.V., Potapkin B.V., Arutyunyan N.A., Zaitsev A.I.
    • в сборнике XVII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia. Kazan, Russian Federation. June 29 — July 3, 2009, место издания Kazan, Russian Federation Kazan, том 1, тезисы, с. 176-176
  • • 2007 Особенности частотной зависимости резонансной проводимости неупорядоченных систем
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников, место издания Институт Физики Металлов УрО РАН Екатеринбург, тезисы, с. 303
  • • 2005 Прыжковая е2-проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором
    • Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005", место издания г. Москва, тезисы, с. 306-306
  • • 2003 Variable range hopping
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в сборнике 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, , 2003. Abstracts, место издания Miramare - Trieste, тезисы
  • • 2003 Прыжковая проводимость в гидрированном аморфном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 431-432
  • • 2003 Сверхрешетки с контролируемым беспорядком: концентрационная щель
    • Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А.
    • в сборнике Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 132
  • • 2001 Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices Zvyagin
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Abstracts of the 9th International conference on hopping and related phenomena, место издания Israel, тезисы, с. 48
  • • 2001 Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии
    • Ормонт Н.Н., Курова И.А., Звягин И.П.
    • в сборнике V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, место издания Нижний Новгород, тезисы, с. 153-153
  • • 2001 Влияние кулоновских полей на плотность состояний в легированных сверхрешетках с вертикальным беспорядком
    • Ормонт М.А., Звягин И.П.
    • в сборнике Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции по физике полупроводников, место издания Институт физики микроструктур РАН г. Нижний Новгород, тезисы, с. 297
  • • 2001 Электронные сверхструктуры в полупроводниковых сверхрешетках при конечных температурах
    • Звягин И.П., Миронов А.Г.
    • в сборнике ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ, 2001, серия Секция физики, место издания Изательство Московского университета Москва, тезисы, с. 68-72
  • 
    • 2000 Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A., Borisov K.E.
    • в сборнике Proceedings of the 8th International symposium «Nanostructures: physics and technology», место издания St.-Petersburg: Ioffe Physical Technical Institute St.-Petersburg, тезисы, с. 516-519
  • • 2000 Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Сборник трудов II Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики", место издания Саратов, тезисы, с. 85-86
  • • 1999 Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Abstracts of the 8th International conference on hopping and related phenomena, место издания Universidad de Murcia, Spain Murcia, Spain, тезисы, с. 37
  • • 1999 Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
    • Ормонт М.А., Звягин И.П., Борисов К.Е.
    • в сборнике Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции по физике полупроводников, место издания Институт Физики Полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Новосибирск, тезисы, с. 62
  • • 1999 Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г, место издания г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, тезисы, с. 51-52
  • • 1999 Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”, место издания г. Ульяновск, тезисы, с. 57
  • • 1998 Vertical screening in doped semiconductor superlattices with intentional disorder
    • Zvyagin I.P., Ormont M.A.
    • в сборнике Abstracts of the 24th International conference on the physics of semiconductors, место издания Jerusalem, Israel, тезисы, с. Tu-100
  • • 1998 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, место издания г. С.-Петербург, тезисы, с. 19
  • • 1997 Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Ormont N.N., Zvyagin I.P.
    • в сборнике 17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS. Abstract, место издания Budapest, тезисы, с. 224
  • • 1997 Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”, место издания г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, тезисы, с. 20-21
  • • 1997 Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния
    • Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Труды международной конференции “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, место издания г. Ульяновск, тезисы, с. 139
  • • 1995 Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
    • Kazanskii A.G., Kurova I.A., Zvyagin I.P., Jarkin D.G.
    • в сборнике Abstracts of 16 International Conference on Amorphous Semiconductors, Kobe, Japan, тезисы, с. 112-112
  • • 1993 On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanisms in light-soaked a-Si:H films
    • Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
    • в сборнике 15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15, место издания Cambridge, тезисы, с. 254-257
  • • 1993 О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников, место издания г. Нижний Новгород, том 1, тезисы, с. 120
  • • 1991 Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”, место издания г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, тезисы, с. 32
  • • 1990 О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновесными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
    • Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тез. докл. XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников, место издания Киев "Наукова думка" г. Киев, тезисы, с. 148-148
  • • 1988 Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
    • Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. г.Кишинев, 1988 г, место издания г. Кишинев, тезисы
  • • 1969 К теории электрических доменов в полупроводниках
    • Звягин И.П., Миронов А.Г.
    • в сборнике Вторая всес. конф. по теории твердого тела, тезисы докладов, издательство ФГБУ "Издательство "Наука" (Москва), тезисы, с. 66-66

• НИРы

  • • 1 января 2009 - 31 декабря 2011 Влияние микро- и наноструктуры на квантовый электронный транспорт в неупорядоченных полупроводниках
    • Руководитель: Звягин И.П. Участники НИР: Миронов А.Г., Ормонт М.А.
  • • 1 января 1999 - 31 декабря 2025 Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
    • Физический факультет
    • Руководители: Днепровский В.С., Снигирев О.В. Участники НИР: Белогорохова Л.И., Васильев А.А., Голинская А.Д., Дагесян С.А., Днепровский В.С., Дорофеев А.А., Звягин И.П., Казанский А.Г., Козлова М.В., Кошелев О.Г., Краевский М.В., Курова И.А., Лебедев А.И., Манцевич В.Н., Мещерякова О.И., Миронов А.Г., Нибудин Г.В., Ормонт М.А., Ормонт Н.Н., Савинов В.П., Случинская И.А., Смирнов А.М., Снигирев Г.О., Сухова Н.И., Хенкин М.В., Чукичев М.В., Шорохов В.В., Юнович А.Э., Якунин В.Г.

• Отчеты

  • • 2014 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
    • Авторы: Днепровский Владимир Самсонович, Звягин Игорь Петрович, Казанский Андрей Георгиевич, Козлова Мария Владимировна, Кошелев Олег Григорьевич, Курова Ида Александровна, Лебедев Александр Иванович, Манцевич Владимир Николаевич, Миронов Александр Григорьевич, Ормонт Михаил Александрович, Ормонт Наталия Николаевна, Случинская Ирина Александровна, Смирнов Александр Михайлович, Сухова Наталья Ивановна, Чукичев Михаил Васильевич, Юнович Александр Эммануилович, Хенкин Марк Вадимович
    • #01990001318, 9 с.
  • • 2003 Электронные процессы, связанные с образованием метастабильных состояний в неоднородных гомофазных и гетерофазных материалах полупроводниковой электроники
    • Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Форш П.А.
    • #УР.01.03.004, 11 с.

• Участие в редколлегии журналов

  • • 3 апреля 1987 - 2 апреля 2015 Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
    • издательство Изд-во Моск. ун-та (М.)
    • http://vmu.phys.msu.ru/

• Участие в редколлегии сборников

  • • 2012 Вестник центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова
    • член редколлегии: Звягин И.П.
    • том 5
    • место издания РХТУ им. Д.И. Менделеева, М.

• Участие в программных комитетах конференций

  • • 2014 Тринадцатая международная конференция "ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ"
    • Член программного комитета
    • Санкт-Петербург, Россия
  • • 2011 XII Международная конференции «Диэлектрики-2011»
    • Член программного комитета
    • Санкт-Петербург, Россия

• Членство в диссертационных советах

  • • 8 сентября 2009 - 31 августа 2017 Д 501.001.70, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет

• Руководство диссертациями

  • • 2004 Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Борисов КЕ
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете Д 501.001.70 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: Институт Молекулярной Физики Российского научного центра "Курчатовский институт"
    • Оппоненты: Кульбачинский ВА, Веденеев АС
  • • 2000 Энергетический спектр и вертикальная проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Ормонт МА, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К.053.05.20 при Физ. фак. МГУ
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: Москрвский физико-технический институт
    • Оппоненты: Кульбачинский ВА, Сабликов ВА
  • • 1996 Прыжковый перенос по примесям в квантовых ямах
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Ван Вэньли
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К 053.05.20 при МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: Московский инженерно-физический институт
    • Оппоненты: Дмитриев АВ, Карпенко ИВ
  • • 1993 Переходные прыжковые процессы в неупорядоченных органических полупроводниках
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Плюхин АВ
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К.053.05.20 при Физ. фак. МГУ
  • • 1992 Особенности оптических, электрических и фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния с высокой концентрацией водорода
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Понарина ЕН
    • Научные руководители: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф., Курова ИА, к.ф.-м.н., доц.
    • Защищена в совете К.053.05.20 при Физ. фак. МГУ
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: Московский инженерно-физический институт
    • Оппоненты: Воронков ЭН, Гусева МБ
  • • 1992 Кинетические явления в аморфных полупроводниках, содержащих центры с положительной энергией корреляции
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Беляев АД
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К.053.05.20 при Физ. фак. МГУ
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: ИРЭ РАН
  • • 1989 Особенности электрических и оптических явлений в полупроводниках, обусловленные ангармонизмом атомных колебаний
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Качлишвили ТЗ
    • Научные руководители: Бонч-Бруевич ВЛ, Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К 053.05.20 при МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: МГПИ
    • Оппоненты: Эпштейн ЭМ, Бенеславский СД
  • • 1984 К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Воробьев ПА
    • Научный руководитель: Звягин ИП, д.ф.-м.н., проф.
    • Защищена в совете К 053.05.20 при МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Ведущая организация: ИРЭ АН СССР
    • Оппоненты: Сурис РА Серебренников ПС

• Руководство дипломными работами

  • • 2017 Особенности прыжкового транспорта в наноструктурированных материалах
    • Научные руководители: Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • Автор: И.Г. Карпов (Магистр)
  • • 2015 Частотная зависимость угла потерь для высокочастотной релаксационной проводимости неупорядоченных полупроводников
    • Научные руководители: Звягин И.П., Ормонт М.А.
    • Автор: Валамин Евгений Александрович (Специалист)
  • • 2008 Влияние кулоновского взаимодействия на энергетический спектр короткопериодных сверхрешеток с контролируемым беспорядком
    • Научный руководитель: Звягин И.П.
    • Автор: Клочков (Специалист)

• Авторство учебных курсов

  • • 2016 Современные методы в теории полупроводников
    • Автор: Звягин И.П.
  • • 2014 Основы физики полупроводников
    • Автор: Звягин И.П.
  • • 2014 Введение в физику полупроводников
    • Автор: Звягин И.П.
  • • 2011 Современные методы в теории твердого тела
    • Автор: Звягин И.П.
  • • 1990 Введение в физику конденсированного состояния вещества
    • Авторы: Звягин И.П., Жуков Е.А., Манцевич В.Н.
  • • 1987 Физика полупроводников ч.2
    • Авторы: Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П.
  • • 1987 Физика полупроводников ч.1
    • Авторы: Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П.
  • • 1987 Основы физики полупроводников
    • Авторы: Звягин И.П., Ормонт М.А.
  • • 1987 Неравновесные процессы в полупроводниках
    • Автор: Звягин И.П.
  • • 1987 Введение в физику полупроводников
    • Авторы: Звягин И.П., Бонч-Бруевич В.Л.

• Преподавание учебных курсов

  • • 1 сентября 2015 - 31 декабря 2015 Физика полупроводников
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 2015 - 31 декабря 2015 Основы физики полупроводников
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
  • • 1 января 2015 - 31 декабря 2015 Введение в физику полупроводников
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 34 часов
  • • 1 сентября 2014 - 31 декабря 2014 Основы физики полупроводников
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 1987 - 31 декабря 2014 Введение в физику полупроводников
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
  • • 1 сентября 1987 - 25 июня 2014 Физика полупроводников ч.2
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 32 часов
  • • 1 сентября 1987 - 31 декабря 2013 Физика полупроводников ч.1
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение физики твердого тела, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
    • обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов

---