Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
отправить сообщение
открыть новую версию профиля
Звягин Игорь Петрович
пользователь
доктор физико-математических наук с 1981 года
профессор по кафедре физики полупроводников и криоэлектроники с 12 октября 1989 г.
Прежние места работы
(Нажмите для отображения)
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, профессор, 1 апреля 1964 - 29 апреля 2016
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, главный научный сотрудник, 30 апреля 2016 - 14 февраля 2018
Соавторы:
Ормонт М.А.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Миронов А.Г.
,
Казанский А.Г.
,
Thomas P.
,
Мелешко Н.В.
,
Baranovskii S.D.
,
Keiper A.R.
,
Kinase W.
,
Венедиктов А.
,
Bonch-Bruevich V.L.
,
Cordes H.
показать полностью...
,
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Эссер Б.
,
Borisov K.E.
,
Yamasaki S.
,
Арутюнян Н.А.
,
Борисов К.Е.
,
Дмитриев А.В.
,
Зайцев А.И.
,
Карпенко И.В.
,
Нальгиева М.А.
,
Читая К.Б.
,
Alferov Z.
,
BUTCHER P.
,
Balagurov L.A.
,
Biskupski G.
,
Borisov K.E.
,
Demishev S.V.
,
Elliman R.G.
,
Enderlein R.
,
Fauchet P.M.
,
Gregorkiewicz T.
,
HIROSE K.
,
Hutchby J.A.
,
Iskandarova I.M.
,
KURBATOV L.
,
Kasap S.
,
Knizhnik A.
,
Koch W.
,
Kohary K.
,
Konovalov A.V.
,
MANUCHARYANTS E.
,
Maschke K.
,
Nal’gieva M.A.
,
Orlov A.F.
,
PETROVA V.
,
PLYUKHIN A.
,
Potapkin B.
,
Pronin A.N.
,
Richter G.
,
Rubel O.
,
SALEH R.
,
SANDOMIRSKII V.
,
Stolz W.
,
Suris R.
,
Takahashi K.b.
,
VOROB'EV P.
,
Yarkin D.G.
,
ZARIFYANTS Y.
,
Вавилов В.С.
,
Гуляев А.П.
,
Искандарова И.М.
,
Ищенко Т.В.
,
Кайпер Р.
,
Келдыш Л.В.
,
Книжник А.А.
,
Коновалов А.В.
,
Ларина Э.В.
,
Понарина Е.Н.
,
Потапкин Б.В.
,
Самарин Н.А.
,
Случанко Н.Е.
,
Эндерлайн Р.
142 статьи
,
7 книг
,
41 доклад на конференциях
,
34 тезисов докладов
,
2 НИР
,
2 научного отчёта
,
1 членство в редколлегии журнала
,
1 членство в редколлегии сборника
,
2 членства в программных комитетах
,
1 членство в диссертационном совете
,
8 диссертаций
,
3 дипломные работы
,
11 учебных курсов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 767, Scopus: 700
IstinaResearcherID (IRID): 1311671
ResearcherID:
B-9565-2014
Деятельность
Статьи в журналах
2020
High-Frequency Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition from the Linear to Quadratic Frequency Dependence
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 1, с. 33-39
DOI
2020
Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 54, № 1, с. 36-43
DOI
2019
The deviations of high frequency conductivity of disordered granular systems from universality
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
International Journal of Nanoscience
, издательство
World Scientific Publishing Co
(Singapore)
, том 18, № 3 & 4, с. 1940026-1-1940026-4
DOI
2018
Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 2, с. 150-155
DOI
2018
Frequency Dependence of the Dielectric Loss Angle in Disordered Semiconductors in the Terahertz Frequency Range
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Physics of the Solid State
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 60, № 5, с. 882-889
DOI
2018
The nonuniversality of the frequency dependence of the conductivity in disordered nanogranulated systems
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Physics of the Solid State
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 60, № 12, с. 2369-2378
DOI
2018
Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных наногранулированных систем
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 60, № 12, с. 2331-2339
DOI
2018
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 52, № 2, с. 161-166
DOI
2018
Частотная зависимость угла диэлектрических потерь в неупорядоченных полупроводниках в терагерцовой области частот
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 60, № 5, с. 880-887
DOI
2016
Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 3, с. 163507-1-163507-4
2015
Specific features of the frequency dependence of the conductivity of disordered semiconductors in the region of the crossover between transport mechanisms
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 4, с. 437-441
DOI
2015
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 49, № 4, с. 449-452
DOI
2014
Application of impedance spectroscopy to the analysis of the mechanism of electron transport in disordered materials
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в журнале
Smart Nanocomposites. Nova Science Publishers. ISSN 1949 4823
, том 5, № 2, с. 111-116
2014
Conduction regimes in organic semiconducting polymers
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
, издательство
American Scientific Publishers
(United States)
, том 9
2014
Hopping conductivity of disordered semiconductors in the intermediate frequency range
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
, издательство
American Scientific Publishers
(United States)
, том 9, № 6, с. 766-768
DOI
2011
The Effect of Orientational Disorder on Hopping Conductivity in Disordered Organic Semiconductors
Venediktov V.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 66, № 6, с. 583-587
DOI
2011
Влияние ориентационного беспорядка на прыжковую проводимость органических неупорядоченных полупроводников
Венедиктов В.А.
,
Звягин И.П.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 19, № 6, с. 90-93
2010
Current trends in the physics of thermoelectric materials
Dmitriev A.V.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Physics Uspekhi
, издательство
Russian Academy of Sciences
(Russian Federation)
, том 53, № 8, с. 789-803
DOI
2010
Программный комплекс для оптимизации процессов очистки металлургического кремния для применения в солнечных элементах
Искандарова И.М.
,
Звягин И.П.
,
Книжник А.А.
,
Коновалов А.В.
,
Потапкин Б.В.
,
Арутюнян Н.А.
,
Зайцев А.И.
в журнале
Вестник Казанского технологического университета
, № 2, с. 137-140
2010
Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов
Дмитриев А.В.
,
Звягин И.П.
в журнале
Успехи физических наук
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, том 180, № 8, с. 821-838
2009
Asymptotic behavior of electron wave functions in disordered granular materials
Zvyagin I.P.
,
Mironov A.G.
,
Ormont M.A.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 64, № 3, с. 303-305
DOI
2009
Асимптотическое поведение электронных волновых функций в неупорядоченных гранулированных материалах,
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 17, № 3, с. 66-68
DOI
2008
A Percolation Approach to the Temperature and Charge Carrier Concentration Dependence of the Hopping Conductivity in Organic Materials
Zvyagin I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 5, с. 725-729
2008
Frequency Dependence of Low-Temperature Phononless Conductivity in Disordered Systems
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 63, № 4, с. 272-275
DOI
2008
Особенности частотной зависимости низкотемпературной бесфононной проводимости неупорядоченных систем
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 4, с. 44-47
DOI
2006
Hopping epsilon(2) conductivity of boron-doped a-Si : H films annealed in hydrogen at high temperature
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Nal’gieva M.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 1, с. 108-112
DOI
2006
Влияние температуры на концентрационную щель в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 4, с. 21-24
2006
Прыжковая e2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 40, № 1, с. 112-116
DOI
2004
Lucky-drift model for avalanche multiplication in amorphous semiconductors
Rubel O.
,
Baranovskii S.D.
,
Zvyagin I.P.
,
Thomas P.
,
Kasap S.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 1, № 5, с. 1186-1193
DOI
2004
Superlattices with intentional disorder: impurity-assisted vertical hopping
Zvyagin I.P.
,
Borisov K.E.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 1, № 1, с. 105-108
DOI
2004
Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, № 1, с. 101-104
2003
The effect of exchange interaction on the energy spectrum of electrons in doped intentionally disordered superlattices
Zvyagin I.P.
,
Mironov A.G.
,
Ormont M.A.
в журнале
Journal of Experimental and Theoretical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 97, № 5, с. 1010-1014
DOI
2003
Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
в журнале
Журнал экспериментальной и теоретической физики
, том 124, № 11, с. 1127-1132
DOI
2003
Особенности вертикального прыжкового переноса электронов с участием фононов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
Борисов К.Е.
,
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 44, № 4, с. 56-60
2002
Conduction in Granular Metals: Virtual State-Assisted Hopping
Zvyagin I.P.
,
Keiper R.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 230, № 1, с. 151-155
2002
Conduction in granular metals by virtual tunneling on the fractal percolation cluster
Zvyagin I.P.
,
Keiper R.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 230, № 1, с. 151-155
DOI
2002
Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
,
Baranovskii S.D.
,
Thomas P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 230, № 1, с. 193-196
DOI
2002
Electronic transport in disordered organic and inorganic semiconductors
Baranovskii S.D.
,
Zvyagin I.P.
,
Cordes H.
,
Yamasaki S.
,
Thomas P.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 299, с. 416-419
2002
Hopping in quasi-one-dimensional disordered solids: Beyond the nearest-neighbor approximation
Zvyagin I.P.
,
Baranovskii S.D.
,
Kohary K.
,
Cordes H.
,
Thomas P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 230, № 1, с. 227-231
DOI
2002
Percolation Approach to Hopping Transport in Organic Disordered Solids
Baranovskii S.D.
,
Zvyagin I.P.
,
Cordes H.
,
Yamasaki S.
,
Thomas P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 230, № 1, с. 281-287
2001
Conduction in Granular Metals by Hopping via Virtual States
Zvyagin I.P.
,
Keiper R.
в журнале
Philosophical Magazine
, издательство
Taylor & Francis
(United Kingdom)
, том 81, № 9, с. 997-1009
2000
DC and AC Hopping Transport in Bulk Amorphous Gallium Antimonide
Demishev S.V.
,
Pronin A.A.
, Kondrin M.V.,
Sluchanko N.E.
,
Samarin N.A.
,
Ischenko T.V.
,
Biskupski G.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 218, № 1, с. 67-70
DOI
2000
Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
,
Borisov K.E.
в журнале
Nanotechnology
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 11, с. 375-378
DOI
2000
Radiation related to electrically driven oscillations in doped double quantum well structures
Thomas P.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 218, № 2, с. 449-453
2000
Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 218, № 1, с. 107-111
DOI
1999
VERTICAL HOPPING CONDUCTION VIA VIRTUAL STATES IN INTENTIONALLY DISORDERED SUPERLATTICES
Zvyagin I.P.
в журнале
JETP Letters
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 69, № 12, с. 932-937
1999
Vertical screening in doped, intentionally disordered semiconductor superlattices
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 33, № 1, с. 69-71
DOI
1999
Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
Звягин И.П.
в журнале
Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
, том 69, № 12, с. 932-937
1999
Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 33, № 1, с. 79-82
DOI
1998
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 227, с. 306-310
1998
Electronic superstructures in doped superlattices
Zvyagin I.P.
в журнале
Journal of Experimental and Theoretical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 87, № 3, с. 594-599
DOI
1998
Hopping thermopower in the regime of ballistic phonons
Zvyagin I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 205, № 1, с. 391-394
DOI
1997
Effects of Coulomb interaction in intentionally disordered semiconductor superlattices
Richter G.
,
Stolz W.
,
Thomas P.
,
Koch S.W.
,
Maschke K.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Superlattices and Microstructures
, издательство
ELSEVIER SCIENCE BV
(PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE)
, том 22, № 4, с. 475-480
DOI
1996
Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Zvyagin I.P.
, Yarkin D.G.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 200, с. 470-473
1996
On the theory of ferroceramic composites conductivity
Kinase W.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
, том 60, № 10, с. 69-72
1995
ANISOTROPY OF HOPPING CONDUCTIVITY OF QUASI-UNIDIMENSIONAL SYSTEMS
ZVYAGIN IP
в журнале
Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki
, том 107, № 1, с. 175-186
1995
PERCOLATION APPROACH TO THE BARRIER-CONTROLLED CONDUCTIVITY OF CERAMIC COMPOSITES
ZVYAGIN I.P.
,
KINASE W.
в журнале
Journal of the Physical Society of Japan
, издательство
Institute of Pure and Applied Physics
(Japan)
, том 64, № 8, с. 2988-2993
DOI
1993
ANISOTROPY OF JUMP CONDUCTIVITY IN SUPERLATTICES AND MULTILAYERED STRUCTURES
ZVYAGIN IP
в журнале
Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki
, том 104, № 4, с. 3479-3488
1993
NATURE OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 10, с. 942-945
1993
ON THE THEORY OF HOPPING CONDUCTION IN QUASI-ONE-DIMENSIONAL SYSTEMS
ZVYAGIN I.P.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 34, № 6, с. 94-96
1993
ON THEORY OF THE FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY OF DISORDERED ORGANIC SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
,
PETROVA VP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 34, № 4, с. 102-104
1993
On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H films
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 164, № 1, с. 631-634
DOI
1993
RECOMBINATION VIA DANGLING-BOND COMPLEXES IN AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN IP
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 27, № 11, с. 1023-1025
1993
О природе фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 27, № 10, с. 1707-1712
1992
FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE HOPPING CONDUCTIVITY FOR SYSTEMS WITH DIAGONAL DISORDER
ZVYAGIN IP
в журнале
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
, том 65, № 4, с. 745-748
DOI
1991
INTERNAL CURRENTS IN MULTI LAYER STRUCTURES
SALEH R.
,
THOMAS P.
,
ZVYAGIN IP
в журнале
Superlattices and Microstructures
, издательство
ELSEVIER SCIENCE BV
(PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE)
, том 10, № 1, с. 59-62
DOI
1991
ON THE TRANSVERSE THERMOPOWER OF LAYERED STRUCTURES
THOMAS P.
,
ZVYAGIN IP
в журнале
Superlattices and Microstructures
, издательство
ELSEVIER SCIENCE BV
(PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE)
, том 10, № 1, с. 119-120
DOI
1991
THE INFLUENCE OF PRE-ILLUMINATION ON THE PROCESS OF PHOTOINDUCED DANGLING BOND FORMATION IN A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1991
Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1990
LOW-TEMPERATURE RELAXATION IN DISORDERED ORGANIC SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
,
PLYUKHIN AV
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 31, № 3, с. 84-89
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10 , с. 1078-1080
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10, с. 1078-1080
1990
SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 11, с. 1238-1240
1990
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 24, № 11, с. 1992-1994
1990
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 24, № 10, с. 1726-1731
1989
HOPPING RELAXATION AND PHOTOCONDUCTIVITY OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 152, № 1, с. 231-238
DOI
1989
ON THERMOPOWER CALCULATIONS WITH TEMPERATURE-DEPENDENT ELECTRON ENERGIES
BUTCHER P.N.
,
ZVYAGIN I.P.
в журнале
Philosophical Magazine Letters
, издательство
Taylor & Francis
(United Kingdom)
, том 59, № 2, с. 115-117
DOI
1989
Нестабильные состояния в пленках n-Si:H с большим содержанием водорода
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Понарина Е.Н.
в журнале
Краткие сообщения по физике
, издательство
Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
(М.)
, № 6, с. 8-9
1988
BONCH-BRUYEVICH, VIKTOR, LEOPOLDOVICH - OBITUARY
ALFEROV ZI
,
VAVILOV VS
,
GULYAEV YV
, GUREVICH VL,
ZVYAGIN IP
,
KELDYSH LV
,
KURBATOV LN
,
MIRONOV AG
,
SANDOMIRSKII VB
,
SURIS RA
в журнале
Uspekhi Fizicheskikh Nauk
, том 154, № 2, с. 335-336
DOI
1987
BONCHBRUEVICH,V.L., 1923-1987
ZVYAGIN IP
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 97, с. R11
DOI
1987
DANGLING BOND AS A VARIABLE-U DEFECT IN A-SI-H
ZVYAGIN IP
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 97, с. 83-86
DOI
1987
DANGLING-BOND RECOMBINATION AND PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H
KUROVA IA
,
ZVYAGIN IP
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 90, № 1-3, с. 207-210
DOI
1987
MODEL OF THE 2-DIMENSIONAL ELECTRON-SYSTEM IN THE CERAMIC SUPERCONDUCTIVITY
KINASE W.
,
ZVYAGIN IP
,
TAKAHASHI K.
,
HIROSE K.
в журнале
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters
, том 26, № 5, с. L745-L747
DOI
1987
RECOMBINATION IN DOPED FILMS FROM HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
CHITAYA K.B.
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA
, том 30, № 6, с. 7-17
1987
SOME ASPECTS OF THE TRANSPORT PHENOMENA NEAR THE MOBILITY EDGE IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 90, № 1, с. 17-20
DOI
1987
Особенности процессов рекомбинации в легированных пленках гидрированного аморфного кремния
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Читая К.Б.
в журнале
Известия вузов СССР, Физика
, № 6, с. 7-17
1986
CRITICAL-BEHAVIOR OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER NEAR THE MOBILITY EDGE
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 8, с. 959-960
1986
THERMAL QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN DOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
JETP Letters
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 43, № 11, с. 684-687
1986
Температурное гашение фотопроводимости в легированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
, том 43, № 11, с. 528-530
1985
THE RANDOM BARRIER MODEL AND THE RESISTANCE ANOMALIES IN FERROELECTRIC CERAMICS
ZVYAGIN IP
,
KINASE W.
в журнале
Journal of the Physical Society of Japan
, издательство
Institute of Pure and Applied Physics
(Japan)
, том 54, № 12, с. 4776-4782
DOI
1984
CONDUCTIVITY OF TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS WITH FINITE-ENERGY BANDWIDTH
VOROB'EV PA
,
ZVYAGIN IP
в журнале
Fizika Tverdogo Tela
, том 26, № 3, с. 915-917
1984
PLANAR CONDUCTION IN INHOMOGENEOUS FILMS. APPLICATION TO AMORPHOUS SILICON
ZVYAGIN I.P.
в журнале
Physica status solidi (A): Applied research
, издательство
Academic Press
(United States)
, том 86, № 1, с. 375-381
DOI
1984
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE MOBILITY EDGE OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 8, с. 930-931
1983
CONDUCTIVITY OF ORGANIC TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 24, № 2, с. 46-50
1983
LOCALIZATION AND MOBILITY EDGE IN TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS
ZVYAGIN I.P.
в журнале
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
, том 47, № 4, с. 451-456
1983
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY NEAR THE LOCALIZATION THRESHOLD
ZVYAGIN I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 120, № 2, с. 503-509
DOI
1982
DETERMINATION OF THE PARAMETERS OF LOCALIZED STATES IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON FROM THE FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY
ABRAMOV VO,
ZARIFYANTS YA
,
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 16, № 4, с. 461-462
1981
AC HOPPING CONDUCTIVITY - ANALYTICAL THEORY VERSUS NUMERICAL-CALCULATION
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 108, № 2, с. K85-K88
DOI
1981
ON THE TIME-DEPENDENCE OF THE CAPTURE OF NONEQUILIBRIUM HOPPING CHARGE-CARRIERS
ESSER B.
,
ZVYAGIN I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 104, № 2, с. 523-529
DOI
1980
A REMARK ON THE NUMERICAL-SIMULATION OF THE TRANSIENT HOPPING PROCESS
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 98, № 2, с. K159-K161
DOI
1980
IMPURITY-BAND HOPPING CONDUCTION IN SURFACE-LAYERS AT THE INSULATOR-SEMICONDUCTOR INTERFACE
ZVYAGIN IP
,
KEIPER R.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 98, № 2, с. K105-K108
DOI
1980
PERCOLATIVE APPROACH TO THE THEORY OF THE AC HOPPING CONDUCTIVITY
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 97, № 1, с. 143-149
DOI
1980
QUANTUM-STATISTICAL THEORY OF TRANSPORT BY LOCALIZED CARRIERS IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 101, № 1, с. 9-41
DOI
1980
THEORY OF THE PHOTON-PHONON-ASSISTED HOPPING IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Journal of Non-Crystalline Solids
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 35, № JAN-, с. 135-140
DOI
1979
HOPPING MECHANISM OF DISPERSIVE TRANSPORT
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 95, № 1, с. 227-235
DOI
1979
KINETIC-EQUATION FOR LOCALIZED-ELECTRONS IN THE FIELD OF A STRONG ELECTROMAGNETIC-WAVE
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 20, № 3, с. 8-15
1979
NONLINEAR HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 20, № 5, с. 75-78
1978
COMMENTS ON THEORY OF HOPPING CONDUCTION
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 85, № 1, с. 105-109
DOI
1978
FREQUENCY-DEPENDENCE OF JUMP CONDUCTION
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 19, № 3, с. 82-88
1978
HOPPING CONDUCTION IN PRESENCE OF AN ELECTROMAGNETIC-WAVE
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 88, № 1, с. 149-154
DOI
1978
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 5, с. 606-607
1977
CORRELATION EFFECTS IN HOPPING CONDUCTION
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 83, № 1, с. 63-70
DOI
1977
CORRELATION EFFECTS IN THEORY OF HOPPING TRANSPORT - CONDUCTIVITY AND THERMOPOWER
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 18, № 4, с. 43-50
1977
CORRELATION EFFECTS IN THEORY OF JUMPING TRENSPORTATUM GENERAL RELATIONS
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 18, № 3, с. 62-69
1977
SIZE LOCALIZATION OF ELECTRONS IN INHOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
JETP Letters
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 26, № 10, с. 531-533
1976
MANY-PHONON JUMPINGS IN UNORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA
, № 2, с. 35-42
1976
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CONDUCTIVITY AND THERMO EMF INDUCED BY MANY-PHONON JUMPINGS IN UNORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA
, № 2, с. 42-47
1975
THEORY OF ELECTRONIC TRANSPORT BETWEEN LOCALIZED STATES
ZVYAGIN IP
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 16, № 1, с. 9-15
1975
THEORY OF PHONON-ASSISTED HOPPING CONDUCTIVITY IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
,
MANUCHARYANTS EO
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 16, № 5, с. 569-573
1974
GREENS FUNCTIONS APPROACH TO THEORY OF HOPPING CONDUCTIVITY IN DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 65, № 2, с. 665-669
DOI
1973
Behavour of the Charge Carriers in a Random Force Field
Bonch-Bruevich V.L.
,
Mironov A.G.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Rivista del Nuovo Cimento della Societa Italiana di Fisica
, издательство
Societa Italiana di Fisica
(Italy)
, том 3, № 4, с. 321-418
1973
On the Theory of Hopping Transport in Disordered Semiconductors
Zvyagin I.P.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 58, с. 443- 449
DOI
1972
О влиянии прилипания на свойства электрических доменов
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 13, № 5
1969
STABILITY OF STEADY-STATE DOMAIN MOTION IN SYSTEMS WITH A DRIFT NONLINEARITY
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 3, № 1, с. 25-&
1967
EFFECT OF THERMOELECTRIC CURRENT ON STABILITY OF ELECTRIC FIELD AND CHARGE DISTRIBUTION IN A SEMICONDUCTOR
ZVYAGIN IP
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 8, № 10, с. 2269-&
1965
CALCULATION OF HALL CONSTANT IN WEAK MAGNETIC FIELDS IN PRESENCE OF IMPURITY SCATTERING
ZVYAGIN IP
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 7, № 4, с. 779-&
1965
CALCULATION OF KINETIC COEFFICIENTS IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN I.P.
в журнале
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR
, том 6, № 10, с. 2368
1963
THE POSITION OF THE FERMI LEVEL IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN I.P.
в журнале
SOVIET PHYSICS-SOLID STATE
, том 5, № 2, с. 422-425
Статьи в сборниках
2017
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Материалы XIV Международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2017)»
, место издания
Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург
, том 1, с. 83-85
2016
Application of impedance spectroscopy to the analysis of the mechanism of electron transport in disordered materials
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Synthesis, Characterization and Modelling of Nano-Sized Structures
, место издания
Nova Science Publishers, Inc Taiwan
, с. 87-96
2016
Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2016», Секция Физики
, место издания
Издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова Москва, физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова
, с. 35-40
2014
Исследование диэлектрических потерь как метод получения информации об особенностях явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2014», секция «Физика»
, место издания
М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Москва
, с. 51-54
2014
Применение методов импедансной спектроскопии к анализу особенностей механизмов электронного переноса в неупорядоченных средах
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Материалы XIII Международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2014)»
, место издания
Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург
, том 1, с. 106-108
2011
Влияние ориентационного беспорядка на транспорт в неупорядоченных органических полупроводниках
Венедиктов В.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
XII Международная конференции «Диэлектрики-2011», 23-26 мая 2011 г
, место издания
Санкт-Петербург, Россия
, том 1, с. 57-60
2009
COULOMB GAP AND SUPERLINEAR FREQUENCY DEPENDENCE OF RESONANCE HOPPING AC CONDUCTIVITY
ORMONT M.A.
,
ZVYAGIN I.P.
в сборнике
PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURES
, издательство
World Scientific Publishing Co
(Singapore)
, с. 52-55
2008
Влияние кулоновской щели на частотную зависимость резонансной проводимости неупорядоченных полупроводников
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Материалы XI Международной конференции «Физика диэлектриков»
, место издания
Изд-во Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена г. Санкт-Петербург
, том 1, с. 98-100
2007
ANOMALOUS FREQUENCY DEPENDENCE OF PHONONLESS AC CONDUCTIVITY OF GRANULAR SYSTEMS
ZVYAGIN I.P.
,
ORMONT M.A.
в сборнике
PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURES
, издательство
World Scientific Publishing Co
(Singapore)
, с. 85-88
2003
Conduction in nanocomposites: Hopping on a fractal
Zvyagin I.P.
в сборнике
10th Int. Symp. ”Nanostructurs: Physics and Technology”
, место издания
Ioffe Institute St.Petersburg
, том 5023, с. 559-553
DOI
2003
Tunneling conductivity in thermally oxidized porous silicon
Yarkin D.G.
,
Balagurov L.A.
,
Orlov A.F.
,
Zvyagin I.P.
,
Gregorkiewicz T.
,
Elliman R.G.
,
Fauchet P.M.
,
Hutchby J.A.
в сборнике
Optoelectronics of Group-IV-Based Materials
, серия
MRS Proceedings
, том 770, с. 37-42
1999
Electronic structure and vertical transport in doped intentionally disordered superlattices
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Proceedings of the International school on the physics of semiconductors
, место издания
St.-Petersburg: Ioffe Physical Technical Institute St.-Petersburg
, с. 29-31
1999
Vertical screening in doped semiconductor superlattices with intentional disorder
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Proceedings of the 24th International conference on the physics of semiconductors
, место издания
World Scientific World Scientific Singapore
, с. P87-P90
1991
The hopping thermopower
Zvyagin I.P.
в сборнике
Hopping transport in solids
, серия
Modern Problems in Condensed Matter Sciences, Vol. 28, Eds M Pollak, B Shklovskii) (Amsterdam: North-Holland, 1991)
, издательство
North-Holland, Elsevier Science Publishers
(Amsterdam, Netherlands)
, том 28, с. 143
Книги
1987
Сборник задач по физике полупроводников, 2-е изд., перераб. и дополн
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Звягин И.П.
,
Карпенко И.В.
,
Миронов А.Г.
издательство
МАИК "Наука/Интерпериодика"
(Москва)
, 143 с.
1984
Elektronenthorie ungeordneter Halbleiter
Bonch-Bruevich V.L.
,
Enderlein R.
,
Esser B.
,
Keiper R.
,
Mironov A.G.
,
Zvyagin I.P.
место издания
Deutscher Verlag der Wissenschaften Berlin, Germany
, 360 с.
1984
Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках
Звягин И.П.
место издания
Изд. Московского университета Москва
, 192 с.
1981
Электронная теория неупорядоченных полупроводников
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Звягин И.П.
,
Кайпер Р.
,
Миронов А.Г.
,
Эндерлайн Р.
,
Эссер Б.
место издания
Наука Москва
, 383 с.
1975
Domain Electrical Instabilities in Semiconductors
Bonch-Bruevich V.L.
,
Zvyagin I.P.
,
Mironov A.G.
место издания
Consultants Bureau New York, United States
, 398 с.
1972
Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках М.: Наука
Бонч-Бруевич В.Л.,
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
место издания
Наука Москва
, 416 с.
1968
Сборник задач по физике полупроводников
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Звягин И.П.
,
Карпенко И.В.
,
Миронов А.Г.
место издания
Наука Москва
, 110 с.
Доклады на конференциях
2019
Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных гранулированных систем
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск
, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
2019
The deviations of high frequency conductivity of disordered granular systems from universality
(Стендовый)
Авторы:
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
Int. Conf. "Nanomeeting-2019" Physics, Chemistry and Application of Nanostructures
, Minsk, Беларусь, 21-24 мая 2019
2017
Частотная зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
XIII Российская конференция по физике полупроводников
, Екатеринбург, Россия, 1-6 октября 2017
2017
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
XIV Международная конференция Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017)
, Санкт-Петербург, Россия, 30 мая - 2 июня 2017
2016
Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
Ломоносовские чтения - 2016
, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
2015
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
XII Российская конференция по физике полупроводников
, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
2014
Применение методов импедансной спектроскопии к анализу особенностей механизмов электронного переноса в неупорядоченных средах
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
XIII Международная конференция «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2014)»
, г. Санкт-Петербург, Россия, 2014
2014
Исследование диэлектрических потерь как метод получения информации об особенностях явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
Ломоносовские чтения - 2014. Секция физики
, Москва, Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 14-25 апреля 2014
2013
Особенности частотной зависимости прыжковой проводимости неупорядоченных систем
(Стендовый)
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
XI Российская конференция по физике полупроводников
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Россия, 16-20 сентября 2013
2011
Влияние ориентационного беспорядка на транспорт в неупорядоченных органических полупроводниках
(Устный)
Авторы:
Венедиктов В.А.
,
Звягин И.П.
XII Международная конференции «Диэлектрики-2011», 23-26 мая 2011 г., Санкт-Петербург, Россия
, Санкт-Петербург, Россия, 23-26 мая 2011
2009
A program tool for optimization of silicon purification processes for solar cell applications
(Устный)
Авторы:
Iskandarova I.M.
,
Звягин И.П.
,
Knizhnik A.
,
Зайцев А.И.
,
Potapkin B.
,
Арутюнян Н.А.
,
Konovalov A.V.
XVII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia
, Kazan, 2009
2009
COULOMB GAP AND SUPERLINEAR FREQUENCY DEPENDENCE OF RESONANCE HOPPING AC CONDUCTIVITY
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
“Nanomeeting-2009”
, Minsk, Belarus, Беларусь, 2009
2009
Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках
(Устный)
Автор:
Звягин И.П.
9 Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники – 2009”, 3 октября, 2009
, Новосибирск - Томск, 2009
2008
Влияние кулоновской щели на частотную зависимость резонансной проводимости неупорядоченных полупроводников
(Устный)
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
XI Международная конференция «Физика диэлектриков»
, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2008
2007
ANOMALOUS FREQUENCY DEPENDENCE OF PHONONLESS AC CONDUCTIVITY OF GRANULAR SYSTEMS
(Устный)
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
“Nanomeeting-2007”
, Minsk, Belarus, Беларусь, 2007
2007
Особенности частотной зависимости резонансной проводимости неупорядоченных систем
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
VIII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2007".
, г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, 2007
2005
Прыжковая -проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2005"
, г. Москва (Звенигород), Россия, 2005
2003
Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste
, 2003
2003
Прыжковая проводимость в аморфном гидрированном кремнии
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003"
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
2003
Сверхрешетки с контролируемым беспорядком: концентрационная щель
(Устный)
Авторы:
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003"
, г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт РАН им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003
2001
Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
9 International conference on hopping and related phenomena
, Shefayim, Israel, Израиль, 2001
2001
Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Звягин И.П.
V Российская конференция по физике полупроводников.
, г. Нижний Новгород, 2001
2001
Влияние кулоновских полей на плотность состояний в легированных сверхрешетках с вертикальным беспорядком
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
V Российская конференция по физике полупроводников.
, г. Нижний Новгород, 2001
2000
Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
,
Borisov K.E.
International symposium «Nanostructures: physics and technology»
, St.-Petersburg, 2000
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
II Международная конференция “Фундаментальные проблемы физики”
, г. Саратов, 2000
1999
Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices
(Устный)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
8th International conference on hopping and related phenomena
, Murcia, Spain, Испания, 1999
1999
Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
(Стендовый)
Авторы:
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
,
Борисов К.Е.
4 Всероссийская конференция по физике полупроводников
, Новосибирск, 1999
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P).
Авторы:
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
Научный семинар “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1999
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
Международная конференция “Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, гю Ульяновск, 1999
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1998
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
, г. Будапешт, 1997
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H.
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
Семинар "Новые идеи в физике стекла"
, г. Москва, Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева, Россия, 1997
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремни
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, г. Ульяновск, 1997
1993
On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanism in Light Soaked a-Si:H Films
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15
, Cambridge, 1993
1993
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
I Российская конф. по физике полупроводни-ков
, г. Нижний Новгород, 1993
1991
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии.
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
Всесоюзный семинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение"
, г. Ленинград, 1991
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновес-ными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников.
, г. Киев, 1990
1989
Field-Induced Metastable States in n-Si:H
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Понарина Е.Н.
XV International Congress on Glass
, Leningrad, USSR, 1989
1988
Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
Авторы:
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников
, г. Кишинев, 1988
1976
О двухуровневой корреляционной функции и прыжковой проводимости в неупорядоченных полупроводниках
Авторы:
Миронов А.Г.
,
Звягин И.П.
VI межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам,
, Ленинград, 1976
1972
О влиянии прилипания на скорость рекомбинационных доменов
Авторы:
Миронов А.Г.
,
Звягин И.П.
Симпозиум по физике плазмы
, Вильнюс, 1972
Тезисы докладов
2019
Неуниверсальность частотной зависимости проводимости неупорядоченных гранулированных систем
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г
, место издания
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск
, том 2, тезисы, с. 363
DOI
2017
Частотная зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
XIII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов
, место издания
Институт Физики Металлов УрО РАН Екатеринбург
, тезисы, с. 341-341
2015
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва
, тезисы, с. 292
2013
Особенности частотной зависимости прыжковой проводимости неупорядоченных систем
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
в сборнике
Тезисы докладов Xi Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
г. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
, тезисы, с. 378-378
2012
Особенности прыжковой проводимости неупорядоченных полупроводников с цепочечной структурой
Венедиктов В.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Вестник центра хемотроники стекла им. В.В.Тарасова №5. Доклады научной сессии Центра хемотроники стекла им. В.В.Тарасова, посвященной 300-летию со дня рождения М.В.Ломоносова,
, место издания
Российское химическое общество им. Д.И. Менделеева, Российское физическое общество Москва
, тезисы, с. 106-110
2009
9 Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники – 2009”, 3 октября, Новосибирск - Томск Тезисы докладов, с.28 сентября 203 Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках
Звягин И.П.
в сборнике
IX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2009»
, том 28, тезисы, с. 203-203
2009
A program tool for optimization of silicon purification processes for solar cell applications
Iskandarova I.M.
,
Zvyagin I.P.
,
Knizhnik A.A.
,
Konovalov A.V.
,
Potapkin B.V.
,
Arutyunyan N.A.
,
Zaitsev A.I.
в сборнике
XVII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia. Kazan, Russian Federation. June 29 — July 3, 2009
, место издания
Kazan, Russian Federation Kazan
, том 1, тезисы, с. 176-176
2007
Особенности частотной зависимости резонансной проводимости неупорядоченных систем
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
Институт Физики Металлов УрО РАН Екатеринбург
, тезисы, с. 303
2005
Прыжковая е2-проводимость в аморфном гидрированном кремнии, легированном бором
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Нальгиева М.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники 2005"
, место издания
г. Москва
, тезисы, с. 306-306
2003
Variable range hopping
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в сборнике
10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, , 2003. Abstracts
, место издания
Miramare - Trieste
, тезисы
2003
Прыжковая проводимость в гидрированном аморфном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 431-432
2003
Сверхрешетки с контролируемым беспорядком: концентрационная щель
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
в сборнике
Тезисы докладов. VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 132
2001
Effect of Coulomb interaction on the density of states in intentionally disordered superlattices Zvyagin
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Abstracts of the 9th International conference on hopping and related phenomena
, место издания
Israel
, тезисы, с. 48
2001
Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии
Ормонт Н.Н.
,
Курова И.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов
, место издания
Нижний Новгород
, тезисы, с. 153-153
2001
Влияние кулоновских полей на плотность состояний в легированных сверхрешетках с вертикальным беспорядком
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
в сборнике
Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции по физике полупроводников
, место издания
Институт физики микроструктур РАН г. Нижний Новгород
, тезисы, с. 297
2001
Электронные сверхструктуры в полупроводниковых сверхрешетках при конечных температурах
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
в сборнике
ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ, 2001
, серия
Секция физики
, место издания
Изательство Московского университета Москва
, тезисы, с. 68-72
2000
Hopping transport equation for electrons in superlattices with vertical disorder
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
,
Borisov K.E.
в сборнике
Proceedings of the 8th International symposium «Nanostructures: physics and technology»
, место издания
St.-Petersburg: Ioffe Physical Technical Institute St.-Petersburg
, тезисы, с. 516-519
2000
Метастабильные состояния в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Сборник трудов II Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики"
, место издания
Саратов
, тезисы, с. 85-86
1999
Vertical hopping transport in doped intentionally disordered superlattices
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Abstracts of the 8th International conference on hopping and related phenomena
, место издания
Universidad de Murcia, Spain Murcia, Spain
, тезисы, с. 37
1999
Вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Ормонт М.А.
,
Звягин И.П.
,
Борисов К.Е.
в сборнике
Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции по физике полупроводников
, место издания
Институт Физики Полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Новосибирск
, тезисы, с. 62
1999
Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ларина Э.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 51-52
1999
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 57
1998
Vertical screening in doped semiconductor superlattices with intentional disorder
Zvyagin I.P.
,
Ormont M.A.
в сборнике
Abstracts of the 24th International conference on the physics of semiconductors
, место издания
Jerusalem, Israel
, тезисы, с. Tu-100
1998
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
, место издания
г. С.-Петербург
, тезисы, с. 19
1997
Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Zvyagin I.P.
в сборнике
17th International Conference on AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS. Abstract
, место издания
Budapest
, тезисы, с. 224
1997
Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”
, место издания
г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева
, тезисы, с. 20-21
1997
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Труды международной конференции “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”
, место издания
г. Ульяновск
, тезисы, с. 139
1995
Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films
Kazanskii A.G.
,
Kurova I.A.
,
Zvyagin I.P.
, Jarkin D.G.
в сборнике
Abstracts of 16 International Conference on Amorphous Semiconductors, Kobe, Japan
, тезисы, с. 112-112
1993
On the Nature of Photo-Induced Defects and Recombination Mechanisms in light-soaked a-Si:H films
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в сборнике
15th International Conf.of Amorphous Semiconductors.ICAS15
, место издания
Cambridge
, тезисы, с. 254-257
1993
О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников
, место издания
г. Нижний Новгород
, том 1, тезисы, с. 120
1991
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов Всесоюзного семинара “Аморфные гидрированные полупроводники и их применеие”
, место издания
г.Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
, тезисы, с. 32
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновесными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тез. докл. XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников
, место издания
Киев "Наукова думка" г. Киев
, тезисы, с. 148-148
1988
Особенности фотопроводимости аморфных полупроводников, обусловленные наличием крупномасштабного потенциала и его изменением под влиянием внешних воздействий
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. г.Кишинев, 1988 г
, место издания
г. Кишинев
, тезисы
1969
К теории электрических доменов в полупроводниках
Звягин И.П.
,
Миронов А.Г.
в сборнике
Вторая всес. конф. по теории твердого тела, тезисы докладов
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, тезисы, с. 66-66
НИРы
1 января 2009 - 31 декабря 2011
Влияние микро- и наноструктуры на квантовый электронный транспорт в неупорядоченных полупроводниках
Руководитель:
Звягин И.П.
Участники НИР:
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
1 января 1999 - 31 декабря 2025
Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
Физический факультет
Руководители:
Днепровский В.С.
,
Снигирев О.В.
Участники НИР:
Белогорохова Л.И.
,
Васильев А.А.
,
Голинская А.Д.
,
Дагесян С.А.
,
Днепровский В.С.
,
Дорофеев А.А.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Козлова М.В.
,
Кошелев О.Г.
,
Краевский М.В.
,
Курова И.А.
,
Лебедев А.И.
,
Манцевич В.Н.
,
Мещерякова О.И.
,
Миронов А.Г.
,
Нибудин Г.В.
,
Ормонт М.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Савинов В.П.
,
Случинская И.А.
,
Смирнов А.М.
,
Снигирев Г.О.
,
Сухова Н.И.
,
Хенкин М.В.
,
Чукичев М.В.
,
Шорохов В.В.
,
Юнович А.Э.
,
Якунин В.Г.
Отчеты
2014
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Авторы:
Днепровский Владимир Самсонович
,
Звягин Игорь Петрович
,
Казанский Андрей Георгиевич
,
Козлова Мария Владимировна
,
Кошелев Олег Григорьевич
,
Курова Ида Александровна
,
Лебедев Александр Иванович
,
Манцевич Владимир Николаевич
,
Миронов Александр Григорьевич
,
Ормонт Михаил Александрович
,
Ормонт Наталия Николаевна
,
Случинская Ирина Александровна
,
Смирнов Александр Михайлович
,
Сухова Наталья Ивановна
,
Чукичев Михаил Васильевич
,
Юнович Александр Эммануилович
,
Хенкин Марк Вадимович
#01990001318, 9 с.
2003
Электронные процессы, связанные с образованием метастабильных состояний в неоднородных гомофазных и гетерофазных материалах полупроводниковой электроники
Авторы:
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Форш П.А.
#УР.01.03.004, 11 с.
Участие в редколлегии журналов
3 апреля 1987 - 2 апреля 2015
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
http://vmu.phys.msu.ru/
Участие в редколлегии сборников
2012
Вестник центра хемотроники стекла им. В.В. Тарасова
член редколлегии:
Звягин И.П.
том 5
место издания
РХТУ им. Д.И. Менделеева, М.
Участие в программных комитетах конференций
2014
Тринадцатая международная конференция "ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ"
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
2011
XII Международная конференции «Диэлектрики-2011»
Член программного комитета
Санкт-Петербург, Россия
Членство в диссертационных советах
8 сентября 2009 - 31 августа 2017
Д 501.001.70, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
Руководство диссертациями
2004
Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор: Борисов КЕ
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
Д 501.001.70
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
Институт Молекулярной Физики Российского научного центра "Курчатовский институт"
Оппоненты:
Кульбачинский ВА
,
Веденеев АС
2000
Энергетический спектр и вертикальная проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Ормонт МА
, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К.053.05.20
при Физ. фак. МГУ
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
Москрвский физико-технический институт
Оппоненты:
Кульбачинский ВА
,
Сабликов ВА
1996
Прыжковый перенос по примесям в квантовых ямах
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Ван Вэньли
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К 053.05.20
при МГУ имени М.В. Ломоносова
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
Московский инженерно-физический институт
Оппоненты:
Дмитриев АВ
,
Карпенко ИВ
1993
Переходные прыжковые процессы в неупорядоченных органических полупроводниках
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Плюхин АВ
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К.053.05.20
при Физ. фак. МГУ
1992
Особенности оптических, электрических и фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния с высокой концентрацией водорода
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Понарина ЕН
Научные руководители:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.,
Курова ИА
, к.ф.-м.н., доц.
Защищена в совете
К.053.05.20
при Физ. фак. МГУ
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
Московский инженерно-физический институт
Оппоненты:
Воронков ЭН
,
Гусева МБ
1992
Кинетические явления в аморфных полупроводниках, содержащих центры с положительной энергией корреляции
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Беляев АД
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К.053.05.20
при Физ. фак. МГУ
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
ИРЭ РАН
1989
Особенности электрических и оптических явлений в полупроводниках, обусловленные ангармонизмом атомных колебаний
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Качлишвили ТЗ
Научные руководители:
Бонч-Бруевич ВЛ
,
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К 053.05.20
при МГУ имени М.В. Ломоносова
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
МГПИ
Оппоненты:
Эпштейн ЭМ
,
Бенеславский СД
1984
К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Воробьев ПА
Научный руководитель:
Звягин ИП
, д.ф.-м.н., проф.
Защищена в совете
К 053.05.20
при МГУ имени М.В. Ломоносова
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Ведущая организация:
ИРЭ АН СССР
Оппоненты:
Сурис РА Серебренников ПС
Руководство дипломными работами
2017
Особенности прыжкового транспорта в наноструктурированных материалах
Научные руководители:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
Автор: И.Г. Карпов (Магистр)
2015
Частотная зависимость угла потерь для высокочастотной релаксационной проводимости неупорядоченных полупроводников
Научные руководители:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
Автор: Валамин Евгений Александрович (Специалист)
2008
Влияние кулоновского взаимодействия на энергетический спектр короткопериодных сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Научный руководитель:
Звягин И.П.
Автор: Клочков (Специалист)
Авторство учебных курсов
2016
Современные методы в теории полупроводников
Автор:
Звягин И.П.
2014
Основы физики полупроводников
Автор:
Звягин И.П.
2014
Введение в физику полупроводников
Автор:
Звягин И.П.
2011
Современные методы в теории твердого тела
Автор:
Звягин И.П.
1990
Введение в физику конденсированного состояния вещества
Авторы:
Звягин И.П.
,
Жуков Е.А.
,
Манцевич В.Н.
1987
Физика полупроводников ч.2
Авторы:
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Звягин И.П.
1987
Физика полупроводников ч.1
Авторы:
Бонч-Бруевич В.Л.
,
Звягин И.П.
1987
Основы физики полупроводников
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт М.А.
1987
Неравновесные процессы в полупроводниках
Автор:
Звягин И.П.
1987
Введение в физику полупроводников
Авторы:
Звягин И.П.
,
Бонч-Бруевич В.Л.
Преподавание учебных курсов
1 сентября 2015 - 31 декабря 2015
Физика полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 2015 - 31 декабря 2015
Основы физики полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 января 2015 - 31 декабря 2015
Введение в физику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 34 часов
1 сентября 2014 - 31 декабря 2014
Основы физики полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 1987 - 31 декабря 2014
Введение в физику полупроводников
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов
1 сентября 1987 - 25 июня 2014
Физика полупроводников ч.2
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 32 часов
1 сентября 1987 - 31 декабря 2013
Физика полупроводников ч.1
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
обязательная, вариативной части, лекции, 36 часов