|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
«Разработка и создание сверхчувствительных полевых и зарядовых наноструктур для считывающих и сенсорных устройств наноэлектроники» НИР
- Руководитель НИР: Снигирев О.В.
- Участники НИР: Корнеева Ю.В., Крупенин В.А., Паршинцев А.А., Преснов Д.Е., Сапков И.В., Трифонов А.С., Ханин В.В.
- Подразделение: Физический факультет
- Срок исполнения: 19 апреля 2011 г. - 15 декабря 2012 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 16.513.11.3063
- Номер ЦИТИС: 01201172465
- Тип: Фундаментальная
- Приоритетное направление научных исследований: Индустрия наносистем и материалов
- ПН России: Индустрия наносистем
- Направление технологического прорыва России: Медицинские технологии и лекарственные средства
-
Ключевые слова:
наноэлектроника, нанотехнология
-
Основные результаты:
Разработаны и созданы наноструктуры одноэлектронных транзисторов и полевых транзисторов с каналом-нанопроводом, предназначенные для считывающих и сенсорных устройств наноэлектроники, применяемых в различных областях науки, техники и медицины.
- Добавил в систему: Снигирев Олег Васильевич
Источник финансирования НИР
| ФЦП: Федеральная целевая программа, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 год |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 19 апреля 2011 г.-15 декабря 2012 г. | «Разработка и создание сверхчувствительных полевых и зарядовых наноструктур для считывающих и сенсорных устройств наноэлектроники» |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".