Доработка программной части стенда для получения характеристик многослойной флеш-памяти NAND TLC/ pMLC-типа и разработка программного комплекса для создания высокопроизводительных помехоустойчивых кодеков на основе LDPC кодовНИР

Refinement of the software part of the stand to obtain the characteristics of multi-layer NAND TLC / pMLC-type flash memory and the development of a software system for creating high-performance noise-resistant codecs based on LDPC codes

Источник финансирования НИР

Хоздоговор, АО "Крафтвэй корпорейшн ПЛС"

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 декабря 2018 г.-31 января 2019 г. Доработка программной части стенда для получения характеристик многослойной флеш-памяти NAND TLC/ pMLC-типа
Результаты этапа: В рамках первого этапа НИР решены следующие задачи. 1. Модифицирована математическая и программная часть стенда для по-лучения экспериментальных данных о характеристиках микросхем флеш-памяти Micron B0KB. 2. Уточнена параметризованная математическая модель ошибок флеш-памяти для микросхемы Micron B0KB. 3. Доработан программный комплекс разработки высокопроизводитель-ных помехоустойчивых кодеков. 4. Определены параметры помехоустойчивых LDPC-кодеков для микро-схемы флеш-памяти Micron B0KB. 5. Подготовлена документация к программному комплексу разработки высокопроизводительных помехоустойчивых LDPC-кодеков.
2 1 февраля 2019 г.-30 апреля 2019 г. Разработка программного комплекса для создания высокопроизводительных помехоустойчивых кодеков на основе LDPC кодов
Результаты этапа: В рамках НИР решены следующие задачи. 1. Модифицирована математическая и программная часть стенда для по-лучения экспериментальных данных о характеристиках микросхем флеш-памяти Micron B0KB и Toshiba BiCS3. 2. Проведены исследования, уточнена параметризованная математическая модель ошибок флеш-памяти для микросхемы Micron B0KB. 3. Выполнен анализ документации и сформулирована предварительная математическая модель ошибок для микросхемы Toshiba BiCS3. 4. Доработан программный комплекс разработки высокопроизводитель-ных помехоустойчивых кодеков. 5. Разработана архитектура аппаратного LDPC кодека, выполнены предва-рительные оценки аппаратной сложности. 6. Определены параметры помехоустойчивых LDPC-кодеков для микро-схемы флеш-памяти Micron B0KB и Toshiba BiCS3. 7. Подготовлена документация к программному комплексу разработки высокопроизводительных помехоустойчивых LDPC-кодеков.

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".