Доработка стенда для получения характеристик многослойной флеш-памяти NAND TLC/pMLC-типа и разработка архитектуры контроллера сверхбольшого твердотельного накопителяНИР

Refinement of the stand for characteristics NAND TLC / pMLC-type multilayer flash memory and development of architecture for controller of super-large solid state drive

Источник финансирования НИР

Хоздоговор, Создание сверхбольшого твердотельного накопителя информации

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 июня 2019 г.-31 июля 2019 г. Разработка архитектуры контроллера сверхбольшого твердотельного накопителя
Результаты этапа: 1) Технический отчет о современных накопителях информации большой емкости и применяемых в них технологических решениях в формате Word. 2) Технический отчет о современных алгоритмах, используемых в накопителях информации большой емкости в формате Word. 3) Документ в формате Word с вариантами характеристик накопителя информации большой емкости как компромисса между ценой, производительностью и объемом. 4) Обновленный программный комплекс для разработки высокопроизводительных помехоустойчивых LDPC кодеков, содержащий реализацию новых критериев ранней остановки для декодера LDPC. 5) Документ в формате Word, содержащий описание предложенных критериев остановки вместе с анализом их влияния на пропускную способность декодера и вероятность мискоррекции.
2 1 августа 2019 г.-31 октября 2019 г. Доработка стенда для получения характеристик многослойной флеш-памяти NAND TLC/pMLC-типа
Результаты этапа: 1) Документ в формате Word с описанием архитектуры контроллера сверхбольшого твердотельного накопителя информации (п.7.5-7.6 ТЗ). 2) Доработанное прикладное ПО (п.4.2.6 ТЗ). 3) Протокол экспериментов с микросхемами Micron B0KB и Toshiba BiCS3 (4.2.6 ТЗ). 4) Уточненные математические модели микросхем Micron B0KB и Toshiba BiCS3 (п.4.2.6 ТЗ). 5) Документ в формате Word с описанием сборки и запуска, задания сценариев, использования полученных значений для калибровки модели (п.4.2.7 ТЗ). 6) Документ в формате Word, содержащий результаты имитационного моделирования LDPC кодека на математической модели для микросхем флеш-памяти Micron B0KB и Toshiba BiCS3 (пп.5.3-5.4 ТЗ). 7) Прошивка для FPGA с реализованным кодеком для микросхем флеш-памяти Micron B0KB и Toshiba BiCS3 (пп.6.1-6.3 ТЗ). 8) Документ в формате Word, содержащий результаты тестирования аппаратного LDPC кодека на соответствие исправляющей способности и скоростным характеристикам (пп.6.4-6.5 ТЗ).

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".