ИСТИНА

Коллоидные квантовые точки (КТ) фосфида индия - уникальный объект, представляющий как практический интерес, так и интерес для фундаментальных исследований. Высокоинтенсивная люминесценция в широком диапазоне длин волн, а также отсутствие таких токсичных элементов, как кадмий (как в КТ CdSe), обуславливает их ценность для практического применения, например, для создания светоизлучающих устройств на основе квантовых точек. Легирование позволяет управлять оптическими свойствами КТ, а также позволяет получить образцы, обладающие свойствами кардинально отличающимися от свойств нелегированного образца. Легирование КТ InP на данный момент является малоизученной областью. В связи с этим, целями данной работы являются: разработка методик синтеза легированных КТ InP, изучение влияния разных типов примесей, а также условий синтеза на свойства КТ InP.

При выполнении поставленных задач мы планируем получить следующие научные результаты: 1. Будет определено как различные типы легирующих примесей (впервые для Ag, Sn, Sb, Bi, Fe) влияют на оптические свойства КТ InP: на интенсивность люминесценции, форму спектров, наличие люминесценции в ИК-области спектра. 2. Будет разработана методика синтеза легированных квантовых точек на основе фосфинового метода синтеза, разработанного нашей группой ранее для нелегированных образцов. 3. Будут получены основные температурные и концентрационные зависимости оптических свойств для легирующих примесей, представляющих наибольший практический и фундаментальный интерес. 4. Полученные образцы будут исследованы методами рентгенофазового и рентгенофлуоресцентного анализа, просвечивающей электронной микроскопией высокого разрешения, спектроскопией поглощения и люминесценции, ИК-спектроскопией.

Научный задел нашего коллектива по предлагаемому проекту представлен в виде статей и тезисов на конференциях. Нами разработан фосфиновый метод синтеза нелегированных коллоидных квантовых точек фосфида индия, в результате которого получаются частицы размером 1-6 нм с люминесценцией в широком диапазоне длин волн. Кроме того, нами разработана методика фототравления с использованием плавиковой кислоты для увеличения интенсивности люминесценции КТ и для определения положения примеси в структуре КТ. В нашем коллективе была разработана методика синтеза КТ InP с цинком. В процессе синтеза происходит как внедрение примеси внутрь частиц, так и пассивация поверхности миристатом цинка, что является важнейшим предварительным этапом для наращивания оболочки из более широкозонного полупроводника: ZnSe, ZnS. Наращивание оболочки необходимо для того, чтобы увеличить стабильность образцов, а также увеличить интенсивность люминесценции. Нами была разработана методика определения содержания примеси с использованием метода рентгенофлуоресцентного анализа, получены калибровочные зависимости для индия. Таким образом, наш коллектив имеет существенный задел по проблеме, рассматриваемой в рамках данного проекта.