|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Создание заглублённого дефектного слоя в алмазных пластинах методом ионной имплантации для отделения тонких пластинНИР
Creation of a buried defective layer in diamond plates by ion implantation for the separation of thin plates
- Руководитель НИР: Шемухин А.А.
- Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
- Участники НИР: Евсеев А.П., Кононина А.В., Марченко О.М.
- Подразделение: Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
- Срок исполнения: 10 августа 2021 г. - 27 августа 2021 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 62-21/23/ЕП/2021
- Номер ЦИТИС: 121082400167-2
- Тип: Прикладная
- Приоритетное направление научных исследований: Взаимодействие излучения с веществом
- Приоритеты и перспективы НТР Российской Федерации согласно Стратегии НТР РФ: переход к передовым цифровым, интеллектуальным технологиям
- ПН России: Индустрия наносистем
- Направление технологического прорыва России: Ядерные технологии
- Критическая технология России: Технологии получения и обработки функциональных наноматериалов
-
Рубрики ГРНТИ:
- 47.31.29 Линейные ускорители
- 47.31.41 Ускорительные комплексы
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович
Источник финансирования НИР
| Хоздоговор, средства организации государственного сектора (608) |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 10 августа 2021 г.-27 августа 2021 г. | Создание заглублённого дефектного слоя в алмазных пластинах методом ионной имплантации для отделения тонких пластин |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".