ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Для целого ряда научных и технических приложений требуются источники излучения с переменной длиной волны. Так, например, в спектроскопии часто необходимо подбирать излучение, соответствующее энергиям переходов определенных атомов или молекул. Аналогичная необходимость перестройки длины волны возбуждающего излучения часто встречается в физике полупроводников при исследовании, например, фотопроводимости, глубоких центров или экситонов. В связи с этим замена обычно применяемого в таких случаях набора диодов одним регулируемым источником представляется весьма актуальной проблемой. Подход к ее решению может быть различным, в частности, ширина запрещенной зоны, определяющая длину волны излучения, заметно меняется с температурой. Другим из таких подходов может быть изменение зонной структуры излучающего твердотельного элемента с помощью давления, что уже само по себе представляет интересное фундаментальное исследование. Один из удачных экспериментов в этом направлении, насколько нам известно, осуществлен в работе “Wavelength tuning of laser diodes using hydrostatic pressure” by Filip Dybala, Pavel Adamiec et al, Proc. SPIE 4989, 181 (2003). В настоящем проекте мы предполагаем использование для этой цели очень простой в исполнении оригинальный метод одноосного сжатия, в котором исследуемый образец открыт для оптических измерений, вместо сложной и чрезвычайно трудной в эксплуатации камеры всестороннего сжатия с оптическими окнами.
Сконструирован и создан оптический криостат, позволяющий исследовать спектры электро и фотолюминесценции образцов в условиях непрерывного изменения одноосного сжатия до величины давления Р=5 кбар при температуре жидкого азота, а также автоматизированная установка для измерения спектров электролюминесценции светодиодов, выполненная на базе связанного с персональным компьютером монохроматора МДР-12. Показана возможность перестройки спектра излучения гетероструктур с помощью одноосной деформации: в диодах p-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs$_{y}$P$_{1-y}$/n-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As осуществлено изменение оптической щели на 25 мэВ, установлено наличие кроссовера при давлении 4.5-5 кбар, наблюдено увеличение интенсивности излучения диодов под давлением до 5 кбар. Опубликованы 6 и принята к печати 1 статья в реферируемых изданиях, сделано 11 докладов на Международных и Всероссийских конференциях.
РФФИ | Координатор |
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 1 января 2007 г.-31 декабря 2009 г. | Перестройка спектра излучения квантовых наноструктур с помощью одноосной упругой деформации |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".