|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Проведение экспериментального анализа магнитной структуры слоистой структуры V/Fe/Cr/Fe/V на предмет реализации косвенного обменного взаимодействия и влияния на него сверхпроводимостиНИР
- Руководители НИР: Аксенов В.Л., Тетерева Т.В.
- Участники НИР: Никитенко Ю.В.
- Подразделение: Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
- Срок исполнения: 7 октября 2014 г. - 30 ноября 2014 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 162-14/400/546
- Тип: Фундаментальная
- Приоритетное направление научных исследований: Исследование наноструктур: физика, технологии, применение
- ПН России: Индустрия наносистем
- Направление технологического прорыва России: Ядерные технологии
-
Рубрики ГРНТИ:
- 29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
- 29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
-
Ключевые слова:
поляризованные нейтроны, слоистые наноструктуры, спинтроника, ферромагнетизм тонких пленок, нейтронная рефлектометрия
-
Основные результаты:
Выполнен анализ экспериментальных данных по измерению отражения нейтронов от структуры Ta(10нм)/V(150нм)/Fe(1нм)/Сr(1.2нм)/Fe(1нм)/Nb(150нм)/Si(1мм). В данной структуре при комнатной температуре и при отсутствии магнитного поля два магнитно однородных слоя Fe(1нм) упорядочиваются антиферромагнитно. С уменьшением температуры до 10 К слои Fe(1нм) разбиваются на антиферромагнитно упорядоченные домены, при этом, магнитное насыщение наступает в магнитном поле 2 кЭ. Слои Nb(150нм) и V(150нм) переходят в сверхпроводящее состояние при температурах 7.8К и 4.8 К, соответственно. При температуре в диапазоне 4.0-4.4К от структуры возникает дополнительное рассеяние нейтронов, предположительно связанное с возникновением криптоферромагнитного состояния. По сравнению со структурой Ta(10нм)/V(150нм)/Fe0.7V0.3(1нм)/V(1.2нм)/Fe0.7V0.3(1нм)/ Nb(150нм)/Si(1мм), в структуре Ta(10нм)/V(150нм)/Fe(1нм)/Сr(1.2нм)/ Fe(1нм)/Nb(150нм)/Si(1мм) эффект рассеяния нейтронов выражен слабее и реализуется в более узком интервале изменения температуры. Это, по-видимому, связано с более сильными не разбавленными ванадием ферромагнитными слоями, что приводит к более слабому воздействию сверхпроводящих слоёв на ферромагнитные.
- Добавил в систему: Мицина Ирина Михайловна
Источник финансирования НИР
| Хоздоговор, Средства заказчика |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 7 октября 2014 г.-30 ноября 2014 г. | Проведение экспериментального анализа магнитной структуры слоистой структуры V/Fe/Cr/Fe/V на предмет реализации косвенного обменного взаимодействия и влияния на него сверхпроводимости |
| Результаты этапа: Выполнен анализ экспериментальных данных по измерению отражения нейтронов от структуры Ta(10нм)/V(150нм)/Fe(1нм)/Сr(1.2нм)/Fe(1нм)/Nb(150нм)/Si(1мм). В данной структуре при комнатной температуре и при отсутствии магнитного поля два магнитно однородных слоя Fe(1нм) упорядочиваются антиферромагнитно. С уменьшением температуры до 10 К слои Fe(1нм) разбиваются на антиферромагнитно упорядоченные домены, при этом, магнитное насыщение наступает в магнитном поле 2 кЭ. Слои Nb(150нм) и V(150нм) переходят в сверхпроводящее состояние при температурах 7.8К и 4.8 К, соответственно. При температуре в диапазоне 4.0-4.4К от структуры возникает дополнительное рассеяние нейтронов, предположительно связанное с возникновением криптоферромагнитного состояния. По сравнению со структурой Ta(10нм)/V(150нм)/Fe0.7V0.3(1нм)/V(1.2нм)/Fe0.7V0.3(1нм)/ Nb(150нм)/Si(1мм), в структуре Ta(10нм)/V(150нм)/Fe(1нм)/Сr(1.2нм)/ Fe(1нм)/Nb(150нм)/Si(1мм) эффект рассеяния нейтронов выражен слабее и реализуется в более узком интервале изменения температуры. Это, по-видимому, связано с более сильными не разбавленными ванадием ферромагнитными слоями, что приводит к более слабому воздействию сверхпроводящих слоёв на ферромагнитные. | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".