|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Физика газового разрядаНИР
- Руководитель НИР: Двинин С.А.
- Участники НИР: Буслеев Н.И., Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Свиридкина В.С.
- Подразделение: Физический факультет
- Срок исполнения: 1 января 2011 г. - 31 декабря 2015 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 01201154427
- Номер ЦИТИС: 01201154427
- Тип: Фундаментальная
- Приоритетное направление научных исследований: Физика плазмы
- ПН России: Индустрия наносистем
- Направление технологического прорыва России: Энергоэффективность и энергосбережение
-
Рубрики ГРНТИ:
- 29.27.17 Колебания и волны
- 29.27.43 Газовый разряд
- 29.27.51 Применение плазмы
- 29.35.03 Нелинейные колебания и волны
- 29.35.19 Распространение электромагнитных волн
-
Ключевые слова:
высокочастотный емкостный разряд, граничные слои пространственного заряда, сильно неравновесная плазма, поверхностная волна на границе неравновесной плазмы с металлом, высокочастотный индуктивный разряд, поверхностная электромагнитная волна, плазменно-пучковый разряд
-
Описание:
Развитие классических моделей газового разряда и их применение к разрядам в плазмохимических реакторах низкого и высокого давления (ВЧ, СВЧ разряды и разряды постоянного тока). Разработка общих методов анализа процессов в разряде в сложной многокомпонентной среде. Распространение теории фронтов ионизации на процессы в сложных многокомпонентных смесях. Исследование электродинамических (включая возбуждение поверхностных волн) и кинетических процессов на границе газоразрядной плазмы с твердым телом при наличии многочастотных переменных электрических полей. Создание и экспериментальная проверка моделей разряда высокого давления в сильном постоянном электрическом поле (стримерный, эрозионный, коронный разряды, разряд над поверхностью жидкости).
-
Основные результаты:
Выведена система уравнений, описывающих распространение поверхностной волны вдоль границы плазмы, учитывающих движение заряженных частиц на стенку и их рекомбинацию. Получены точные выражения для электрического поля в разряде с учетом как потенциального, так и вихревого поля при возбуждении в разряде ионизационной неустойчивости. Показано, что есть два механизма развития неустойчивости (1) и, связанные положительной обратной связи через поле (резонансный) и обусловленный особенностями кинетики (нерезонансный). Получены аналитические формулы для импеданса емкостного ВЧ разряда, работающего на частотах свыше 50 МГц, при учете возбуждения симметричных и антисимметричных поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы плазма-слой пространственного заряда металл.
- Добавил в систему: Двинин Сергей Александрович
Источник финансирования НИР
| госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию) |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 4 | 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. | ФИЗИКА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА |
| Результаты этапа: Выведена система уравнений, описывающих распространение поверхностной волны вдоль границы плазмы, учитывающих движение заряженных частиц на стенку и их рекомбинацию. Показано, что ток заряженных частиц на стенку приводит к дополнительному поглощению поверхностной волны. Получено выражение для поправки к декременту затухания, вызванному этим процессом. Полученная энергия затрачивается на дополнительное ускорение ионов на стенку. Наибольшее влияние данный процесс оказывает на волну, распространяющуюся на границе плазмы с металлом. 4.2. Получены точные выражения для электрического поля в разряде с учетом как потенциального, так и вихревого поля при возбуждении в разряде ионизационной неустойчивости. Показано, что есть два механизма развития неустойчивости (1) и, связанные положительной обратной связи через поле (резонансный) и обусловленный особенностями кинетики (нерезонансный). Первый наблюдается в условиях, когда частота столкновений электрон-нейтрал меньше частоты поля (хотя бы в два раза), а плотность электронов близка к резонансной для распространения электромагнитной волны (например, поверхностной волны). Второй наблюдается в условиях, когда степень ионизации газа составляет ориентировочно 10–5. Получены выражения для инкремента неустойчивости при возбуждении азимутально несимметричных волн. 4.3. Получены аналитические формулы для импеданса емкостного ВЧ разряда, работающего на частотах свыше 50 МГц, при учете возбуждения симметричных и антисимметричных поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы плазма-слой пространственного заряда металл. Рассчитано влияния осцилляций толщины слоев пространственного заряда под действием ВЧ поля низкой частоты (3 МГц) при работе в двухчастотном режиме на дисперсию высокочастотных волн, а также и импеданс ВЧ разряда с учетом анализа свойств внешней цепи. | ||
| 5 | 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. | Физика газового разряда |
| Результаты этапа: Выведена система уравнений, описывающих распространение поверхностной волны вдоль границы плазмы, учитывающих движение заряженных частиц на стенку и их рекомбинацию. Получены точные выражения для электрического поля в разряде с учетом как потенциального, так и вихревого поля при возбуждении в разряде ионизационной неустойчивости. Показано, что есть два механизма развития неустойчивости (1) и, связанные положительной обратной связи через поле (резонансный) и обусловленный особенностями кинетики (нерезонансный). Получены аналитические формулы для импеданса емкостного ВЧ разряда, работающего на частотах свыше 50 МГц, при учете возбуждения симметричных и антисимметричных поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы плазма-слой пространственного заряда металл. | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".