Новые наноструктуры широкозонных полупроводников для сверхбыстрых элементов энергонезависимой памяти на основе фазового переходаНИР

Источник финансирования НИР

грант РФФИ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. Новые наноструктуры широкозонных полупроводников для сверхбыстрых элементов энергонезависимой памяти на основе фазового перехода
Результаты этапа: В ходе выполнения работ на этапе были получены следующие результаты: 1. Совместно с группой тайваньских ученых разработан дизайн образцов многослойных планарных структур на основе полупроводника ZnO. Отработана методика приварки микропроводов к контактным площадкам изготовленных тайваньскими учеными образцов. Проведены исследования электрических свойств образцов трехслойных планарных наноструктур, содержащих пленки ZnO, путем измерения вольт-амперных характеристик для постоянного и импульсного режимов протекания тока через образец. Определены пороговые значения напряжения и длительности электрических импульсов, при которых происходит переход материала ZnO из аморфной фазы в кристаллическую. Переключение можно осуществить при воздействии на образец импульсами тока длительностью 1 мкс и силой тока 150 мА при временной задержке между импульсами 100 мкс. 2. Проведены исследования оптических свойств образцов трехслойных планарных наноструктур в зависимости от состояния фазы и толщины пленки ZnO методом частотно-угловой спектроскопии коэффициентов отражения и пропускания. Показано, что переключение слоя ZnO толщиной 3 нм из аморфной фазы в кристаллическую приводит к существенному увеличению коэффициента пропускания структуры в диапазоне длин волн 200 – 900 нм. 3. Проведены исследования нелинейно-оптических свойств аморфной и кристаллической фазы ZnO в образцах наноструктур методом генерации второй оптической гармоники. Обнаружено, что интенсивность сигнала второй гармоники в pp-геометрии эксперимента для микрообразца с кристаллической фазой ZnO в 1,7 раз больше, чем для образца с аморфной фазой ZnO. Показана возможность контроля состояния фазы слоя ZnO в электрически переключаемых образцах трехслойных наноструктур путем измерения зависимостей интенсивности p-поляризованной второй оптической гармоники от поляризации излучения накачки.
2 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. Новые наноструктуры широкозонных полупроводников для сверхбыстрых элементов энергонезависимой памяти на основе фазового перехода
Результаты этапа:
3 1 января 2016 г.-31 декабря 2016 г. Новые наноструктуры широкозонных полупроводников для сверхбыстрых элементов энергонезависимой памяти на основе фазового перехода
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".