Гетероструктуры на основе нановолокон полупроводниковых оксидов для высокочувствительных газовых сенсоровНИР

Heterostructures based on nanofibers of semiconductor oxides for high sensitive gas sensors

Источник финансирования НИР

грант РФФИ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. Гетероструктуры на основе нановолокон полупроводниковых оксидов для высокочувствительных газовых сенсоров
Результаты этапа: • Разработаны методики электроформирования и синтезированы нановолокна полупроводниковых оксидов ZnO, SnO2, CuO, NiO, Co3O4 с контролируемым размером пор и диаметром в диапазоне 100-300 нм. • Разработаны методики электроформирования и синтезированы двухслойные нановолокна со структурой «ядро-оболочка» p-M1O/n-M2O • Определены закономерности влияния параметров электроформирования: состава исходных растворов, величины потоков растворов, диаметра иглы шприца, величины напряжения электрического поля между иглой и коллектором, температуры разложения полимера и кристаллизации оксидов на состав, кристаллическую структуру и микроструктуру нановолокон: диаметр волокна, толщину оболочки, размер кристаллитов, размер пор.
2 1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. Гетероструктуры на основе нановолокон полупроводниковых оксидов для высокочувствительных газовых сенсоров
Результаты этапа: 1. Проведено исследование природы и концентрации кислотных и основных адсорбционных центров на поверхности массива нановолокон методом термопрограммируемой десорбции ТПД зондовых молекул: NH3, пиридина и CO2 2. Проведено исследование реакционной способности массива нановолокон в реакциях окисления-восстановления при взаимодействии с газами методом термопрограммируемого восстановления водородом ТПВ-Н2. 3. Проведено исследование состава гидратно-гидроксильного слоя массива нановолокон в зависимости от состава, условий синтеза и влажности воздуха методами термического анализа, ИК-Фурье спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). 4. Проведено исследование электрофизических свойств одиночных нановолокон и массива для индивидуальных оксидов в статическом и высокочастотном режимах (импеданс-спектроскопия) в зависимости от температуры и состава атмосферы. 5. Проведено исследование электрофизических свойств нановолокон с гетеропереходом p-M1O/n-M2O в статическом и высокочастотном режимах (импеданс-спектроскопия) в зависимости от температуры и состава атмосферы. 6. Проведено исследование вольт-амперных характеристик нановолокон с гетеропереходом p-M1O/n-M2O в зависимости от состава, диаметра центрального волокна и толщины оболочки
3 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. Гетероструктуры на основе нановолокон полупроводниковых оксидов для высокочувствительных газовых сенсоров
Результаты этапа: 1. Для гетероструктур типа n-n и n-p на основе оксида цинка ZnO/SnO2, ZnO/In2O3, ZnO/WO3, ZnO/Co3O4, ZnO/CuO, полученных методом электроформирования, изучено влияние работы выхода электрона φ(M2O) на реакционную способность и сенсорные свойства гетероструктур; 2. Изучен механизм сенсорной чувствительности нановолокон индивидуальных полупроводниковых оксидов и гетероструктур при детектировании газов восстановителей CO, H2S, NH3, H2, CH4 и окислителей O2, NO2; 3. Определена роль хемосорбированного кислорода в формировании сенсорного отклика нановолокон при детектировании газов восстановителей и окислителей. 4. Изучено влияние температуры измерения и влажности воздуха на механизм сенсорной чувствительности нановолокон полупроводниковых оксидов.

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".