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Radiation-induced defects in implanted Hg1–xCdxTe crystals physica status solidi (aстатья
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Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 ноября 2015 г.
- Авторы: Lilenko Yu V., Shastov K.V., Petrov A.S., Voitsekhovskii A.V., Kulikauskas V.S., Kuznetsov N.V., Mamontov A.P.
- Журнал: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
- Том: 113
- Номер: 2
- Год издания: 1989
- Издательство: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 285
- Последняя страница: 294
- DOI: 10.1002/pssa.2211130205
- Аннотация: Radiation-induced defects are studied in Hg1–xCdxTe crystals due to implantation of H+ (200 and 500 keV) and Ar+ (50 and 150 keV) ions. The spatial distribution of the electron concentration n(x), associated with electrical active donor defects, and the radiation damage ND(x) in the crystalline structure of the semiconductor are obtained by electrical and RBS measurements, respectively. A comparison of the profiles n(x) and ND(x) is made. It is supposed that the main factors determining the spatial distribution n(x) are, firstly, diffusion of mercury atoms from the region of maximum defect creation near Rp into the bulk and towards the surface with the subsequent sputtering of the surface, and, secondly, the formation of extended defects in the course of ion implantation. Strahlungsinduzierte Defekte in Hg1–xCdxTe-Kristallen infolge Implantation von H+-(200 und 500 keV) und Ar+-(50 und 150 keV) Ionen werden untersucht. Die räumliche Verteilung der Elektronenkonzentration n(x), die mit den elektrisch aktiven Donatordefekten verknüpft ist, und des Strahlenschadens ND(x) in der Kristallstruktur des Halbleiters werden mittels elektrischer bzw. RBS-Messungen erhalten. Ein Vergleich der Profile n(x) und ND(x) wird durchgeführt. Es wird angenommen, daß die Hauptfaktoren, die die räumliche Verteilung n(x) bestimmen, zuerst die Diffusion von Quecksilberatomen aus dem Bereich der maximalen Defektbildung in der Nähe von Rp in das Volumen und zur Oberfläche und zweitens die Bildung von ausgedehnten Defekten im Verlauf der Ionenimplantation sind.
- Добавил в систему: Куликаускас Вацловас Станиславович