|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Laser treatment of Se/Bi heterostructure: Bi2Se3 nanofilm formationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2018 г.
- Авторы: Mikheev K.G., Kogai V.Ya, Mikheev G.M.
- Журнал: Journal of Physics: Conference Series
- Том: 917
- Номер: 062003
- Год издания: 2017
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 5
- DOI: 10.1088/1742-6596/917/6/062003
- Аннотация: Thin films of Se/Bi heterostructure were obtained by the by thermal vaporization of Se and Bi powders in a vacuum camera. A focused He-Ne laser beam at 632.8 nm is shown to cause local darkening of Se/Bi heterostructure at incident power densities above 3.5 kW/cm(2). The possibility of laser recording of diffraction grating by this technique is demonstrated. It is shown that the resistance between the electrical contacts on the heterostructure reduces as the lines between these contacts are recorded. Data obtained from Raman spectra before and after laser treatment indicate that the darkening is accompanied by Bi2Se3 formation.
- Добавил в систему: Михеев Константин Георгиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Mikheev_2017_J._Phys.__Conf._Ser._917_062003.pdf | 1,1 МБ | 26 февраля 2018 [k.mikheev] |