Аннотация:Рассмотрено влияние имплантированных в монокристалл сапфира ионов Zn на кинетику достижения
равновесного состояния поверхностного потенциала и токовых характеристик. С целью рассмотре-
ния влияния состояния поверхности на процесс зарядки диэлектрика один из образцов был отожжен
в атмосфере кислорода для образования ZnO на поверхности. Полученные результаты показывают
существенное увеличение скорости достижения равновесного потенциала поверхности после ионной
имплантации. Для понимания полученных результатов была измерена зависимость концентрации
легирующей примеси по глубине кристалла. Обсуждаются возможные механизмы, влияющие на из-
менение кинетики достижения потенциала.