|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние имплантации ионов Zn+ на процесс зарядки сапфира электронным пучкомстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 декабря 2018 г.
- Авторы: Татаринцев А.А., Привезенцев В.В., Рау Э.И., Горячев А.В.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 3
- Год издания: 2018
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 47
- Последняя страница: 51
- DOI: 10.7868/S0207352818030083
- Аннотация: Рассмотрено влияние имплантированных в монокристалл сапфира ионов Zn на кинетику достижения равновесного состояния поверхностного потенциала и токовых характеристик. С целью рассмотре- ния влияния состояния поверхности на процесс зарядки диэлектрика один из образцов был отожжен в атмосфере кислорода для образования ZnO на поверхности. Полученные результаты показывают существенное увеличение скорости достижения равновесного потенциала поверхности после ионной имплантации. Для понимания полученных результатов была измерена зависимость концентрации легирующей примеси по глубине кристалла. Обсуждаются возможные механизмы, влияющие на из- менение кинетики достижения потенциала.
- Добавил в систему: Татаринцев Андрей Андреевич