Influence of random fields on the ferroelectric phase transition in IV-VI semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Аннотация:The results of experimental studies of the influence of substitutional disorder, doping impurities and of mutual influence of different off-center atoms on the ferroelectric phase transitions induced in IV–VI semiconductors by off-center atoms are reviewed.