|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electroluminescence spectra of p-GaSb-n-Ga1-xInxSb heterojunctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: Lebedev A.I., Strelnikova I.A., Yunovich A.E.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 10
- Номер: 7
- Год издания: 1976
- Первая страница: 773
- Последняя страница: 775
- Аннотация: Исследованы спектры электролюминесценции (ЭЛ) гетеропереходов p-GaSb-n-Ga1-xInxSb в области составов 0 < x < 0.2 в зависимости от плотности тока j и температуры T. Положение максимума в спектре излучения при больших плотностях тока (j ~ 103 A/см2) согласуется со значениями ширины запрещенной зоны Eg(x,T). При 78 K наблюдались движущиеся спектральные полосы в области 1.7--2.5 мкм, которые объясняются моделями диагонального туннелирования и заполнения хвостов плотности состояний в твердом растворе. Наблюдалось также сужение спектра от 100 до 40 мэВ при увеличении тока, связываемое с заполнением хвостов.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович