Аннотация:Формирование топологических состояний в полупроводниках с инверсным энергетическим спектром и связанные с такими нетривиальными поверхностными состояниями эффекты привлекают повышенное внимание. В отличие от большинства топологических изоляторов, характеризующихся высокой степенью вырождения носителей и значительной проводимостью в объеме, в твердых растворах Hg1-xCdxTe удается получить низкие концентрации объемных носителей. В настоящей работе изучена кинетика терагерцовой фотопроводимости в магнитном поле в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe в окрестности точки инверсии энергетических зон x ~ 0.16.
Исследованные гетероструктуры на основе Hg1-xCdxTe n-типа с инверсным (х = 0.13; 0.15) и прямым (x = 0.17) спектром толщиной до 6 мкм были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Холловская концентрация электронов определялась в магнитном поле ~ 0,5 кЭ и составляла ~ 4∙1014 см-3. Кинетика фотопроводимости исследована в условиях воздействия импульсного лазерного излучения с длиной волны 90, 148, 280 и 496 мкм в магнитных полях до 4 Тл (в геометрии Фарадея) при температуре 4.2 К.
В образцах с инверсным спектром в отсутствие магнитного поля на всех длинах волн наблюдается положительная фотопроводимость, кинетика которой затянута относительно возбуждающего лазерного импульса. Включение магнитного поля приводит к появлению нескольких эффектов. Прежде всего, в малых магнитных полях до 0.1 Тл происходит резкий рост амплитуды положительной фотопроводимости, который сменяется последующим резким падением. Кроме того, на фоне положительной фотопроводимости появляется быстрая отрицательная компонента фототклика. Важно, что сигнал положительной компоненты фотопроводимости оказывается существенно несимметричным по магнитному полю: отчетливо обнаруживается в одном направлении поля и практически отсутствует при его коммутации. Более того, положительная фотопроводимость с пар контактов, находящихся на противоположных сторонах образца, демонстрирует противоположное поведение в зависимости от направления магнитного поля. Отрицательная компонента фотопроводимости является не показывает таких особенностей и является четной по магнитному полю. Фотоотклик в образце с х = 0.17 (прямой спектр) в нулевом магнитном поле отрицателен, качественно не изменяется с ростом магнитного поля.