Influence of monovalent Bi+ doping on real composition, point defects, and photoluminescence in TlCdCl3 and TlCdI3 single crystalsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 апреля 2018 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст 10.1007_s40843-017-9118-3.pdf 590,0 КБ 23 мая 2018 [Victor]

[1] Influence of monovalent bi+ doping on real composition, point defects, and photoluminescence in tlcdcl3 and tlcdi3 single crystals / D. N. Vtyurina, P. A. Eistrikh-Geller, G. M. Kuz'micheva et al. // SCIENCE CHINA-MATERIALS. — 2017. — Vol. 60, no. 12. — P. 1253–1263. The structural features and real compositions with point defects of Bi+-doped TlCdCl3 and TlCdI3 single crystals, grown by the Bridgman-Stockbarger technique, are first studied using the X-ray diffraction, X-ray synchrotron radiation, and EXAFS/XANES spectroscopy. In the structures of Bi+-doped TlCdCl3 and TlCdI3 crystals, the Cd, Cl, and I sites are found to be defect-free. The vacancies in the Tl sites and interstitial Bi atoms located in the vicinity of the Tl sites are detected in the structures of both samples. In the Bi+-doped TlCdCl3, the presence of a small amount of Bi+ ions in the Tl+ sites is possible. The correlation between photoluminescence bands and point defects in the refined structures are determined. Photoluminescence spectra and decay kinetics of the Bi+-doped TlCdCl3 and TlCdI3 demonstrate that they are attractive materials for potential applications in photonics. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть