|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Specific Features of Recombination in Layered a-Si:H Filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2015 г.
- Авторы: Kurova I.A., Ormont N.N.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 46
- Номер: 3
- Год издания: 2012
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 315
- Последняя страница: 318
- DOI: 10.1134/S1063782612030165
- Аннотация: The absorbed light spectral composition determines the type of carrier generation: interband generation or mixed generation that also includes the generation of electrons from levels of the valence-band tail. The generation type affects the value and temperature dependence of the electron recombination rate in a-Si:H layered films. This effect is caused by a variation in the occupation of the levels of silicon dangling bonds and the valence band tail with electrons upon a change in the carrier generation type. As a result, in the case of mixed carrier generation in the investigated films with a low concentration of native dangling bonds, electron recombination in the films is slow and recombination at the levels of the valence-band tail can prevail up to room temperature. DOI: 10.1134/S1063782612030165
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна