|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Nanoscale Level Studying of AlN Thin Film Growth with Help of Small-Angle Scattering of X-Ray Methodстатья
- Авторы: Boiko M.E., Sher E.M.
- Сборник: Nitrides of Ga, In, Al: Structures & Devices. 3-rd All Russia Workshop
- Серия: Abstracts
- Год издания: 1999
- Место издания: Moscow
- Аннотация: Разработанная методика позволяет выращивать слои однородные по поверхности на площадях до ~ 100см2. Полученные в одном процессе слои одинаковой толщины, но выращенные на различных подложках имели отличающиеся полуширины рентгеновских кривых качания. То есть можно было изучать в одном процессе влияние типа и ориентации подложек на качество слоев. Для наиболее оперативного и информативного контроля совершенства слоев в нашем случае при рентгеноструктурном исследовании использовалась помимо обычных кривых качания модифицированная методика малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУР). Установлено, что оптимальные размеры поликристаллических зерен в мишенях AlN имели величину 2-30.2nm. Такие размеры определяются обычными рентгеновскими методом (по уширению кривой рассеяния на больших углах) с недостаточной (до 50%) точностью. Использование МУР позволило определять размеры частиц в мишени с точностью +-0.2nm по положению размерного пика в области 2=34 угл.град (CuKa1 излучение). [2] Слои AlN толщиной меньше 0.1мкм имели большую (~400 угл.сек) полуширину кривой качания. В уширение вносится вклад как внутренними напряжениями, так и нарушениями структуры слоя. Для выявления эффектов, связанных с нарушениями монокристалличности слоев, мы также использовали методику МУР. Вблизи от пика полного внешнего отражения находились размерные малоугловые пики на углах 2=515 угл.минут. Таким образом наблюдалось появление регулярной сверхструктуры в виде разделения эпитаксиальных слоев на подслои толщиной 6020 nm. Толщина этих сверхструктурных слоев (разделенных скорее всего дефектами упаковки) изменялась в зависимости от толщины самих слоев, размеров зерна в мишени магнетронного распыления, материала подложки и ее ориентации. Наилучшими по структурным свойствам оказались слои AlN, выращенные на подложках SiC (0001) при использовании мишеней с зерном 20.2nm. Они имели минимальную полуширину кривой качания ~90 угл.сек и максимальные значения толщины сверхструктурных подслоев при малой дисперсии ее значения ~501 nm у слоя толщиной ~1 мкм.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич