|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electron energies and states at the deep impurity level in a semiconductorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 октября 2015 г.
- Авторы: Mironov A.G., Serov A.S.
- Журнал: Moscow University Physics Bulletin
- Том: 66
- Номер: 3
- Год издания: 2011
- Издательство: Allerton Press
- Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
- Первая страница: 272
- Последняя страница: 277
- DOI: 10.3103/S0027134911030143
- Аннотация: The problem of the model description of the electron state at the deep impurity level in a semiconductor is solved. The potential of the impurity center is chosen as the superposition of a Coulomb field and a spherical quantum well with a flat bottom. The energy level and the wave function of the ground state are determined by the exact method and the variational Ritz method in wide ranges of parameters of the well. An algorithm for determining the energies and wave functions of the first excited states is presented. The advantages of the variational method over the exact solution are demonstrated.
- Добавил в систему: Миронов Александр Григорьевич