Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaNстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие до 25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.