Место издания:МНТОРЭС им. А.С.Попова, НИУ "МЭИ" Москва
Первая страница:120
Последняя страница:126
Аннотация:Предлагается механизм деградации полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами с шириной контакта более 10 мкм, описывающий возникновение нескольких каналов генерации при длине амбиполярной диффузии носителей, меньшей ширины контакта. Со временем длина диффузии носителей уменьшается из-за роста числа дефектов, что приводит к увеличению числа каналов генерации и наполнению спектра излучения лазера. По первоначальному виду спектра лазеров можно прогнозировать их срок службы.