|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Кубашевский Е.П., Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Тезисы докладов XVII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт Петербург, 23 – 27 ноября 2015 г
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург
- Первая страница: 106
- Аннотация: При сжатии в плоскости структуры вдоль направлений [110] и [100] отмечается сильная деформационная зависимость соотношения коэффициентов оптического усиления ТМ и ТЕ мод, в результате чего под давлением возможно переключение излучения с доминирующей ТМ поляризацией к излучению с доминирующей ТЕ поляризацией. Это является следствием сильного изменения энергетического спектра и симметрии уровней в квантовой яме и существенно для поляризационной спектроскопии. В случае сжатия вдоль [001] как исследованные структуры, так и волновые функции симметрию не меняют, соответственно, перемешивания состояний легких и тяжелых дырок в Г-точке не происходит, а коэффициенты оптического усиления ТМ и ТЕ мод, согласно расчетам, только немного пропорционально возрастают. Расчеты хорошо согласуются с экспериментальными исследованиями, в ходе которых при сжатии структур с квантовой ямой шириной 14 нм из GaAs0.84P0.16 вдоль направления [110] до 5 кбар наблюдалось смещение пиков электролюминесценции в голубую область спектра и 2 х-3-х кратный рост их интенсивности.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович