Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием Inтезисы доклада

Авторы: Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
Сборник: XXXVII Совещание по физике низких температур
Тезисы
Год издания: 2015
Место издания: Издательство Казанского университета Казань
Первая страница: 219
Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич