|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT - structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperaturesстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 апреля 2016 г.
- Авторы: Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
- Журнал: Physics procedia
- Том: 72
- Год издания: 2015
- Издательство: Elsevier
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 425
- Последняя страница: 430
- DOI: 10.1016/j.phpro.2015.09.087
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич