Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Investigation of the spectral dependence of the photoionization cross sections of phosphorus atoms and A-type centers in silicon by the EPR method
статья
Авторы:
Vavilov Ya G Klyava V.S.
,
Koshelev and O.G
Журнал:
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR Volume: 3 Issue: 2 Pages: 212-& Published: 1969
Добавил в систему:
Кошелев Олег Григорьевич