|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ON THE MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY OF BIFACIAL SILICON P +-N-N + SOLAR CELLSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 апреля 2016 г.
- Авторы: Koshelev O.G., Mikhin A.A., Untila G.G.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 78
- Номер: 12
- Год издания: 2014
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1273
- Последняя страница: 1276
- DOI: 10.3103/S1062873814120181
- Аннотация: The conversion efficiencies of the base region of a bifacial silicon solar cell are compared under front and backside illumination. Calculations reveal that both parameters can be equal when there are extremely high lifetimes of the nonequilibrium carriers in the base and low surface recombination velocities. The results from microwave photoconductivity measurements are consistent with the calculated data.
- Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич