Аннотация:Установлено, что слоистые пленки a-Si:H,выращенные методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме, имеют высокую фоточувствительность, которая превышает в области комнатных температур более чем на порядок фоточувствительность стандартных нелегированных пленок a-Si:H, выращенных осаждением в плазме ВЧ тлеющего разряда. Большая фоточувствительность определяется малой темновой проводимостью и высокой фотопроводимостью слоистых пленок в области комнатных температур. Показано, что это может быть обусловлено наличием "очувствляющих" уровней, связанных с повышенной концентрацией кислорода на границе слоев и малой концентрацией оборванных связей кремния в глубине слоев с более упорядоченной структурой.