|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатныхтезисы доклада
- Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А.
- Сборник: книга тезисов IX Международной конференции и VIII Школы молодых ученых "Кремний-2012"
- Тезисы
- Год издания: 2012
- Место издания: г. Санкт-Петербург
- Первая страница: 305
- Последняя страница: 305
- Аннотация: Приведены результаты измерений кинетики изменения фотопроводимости (ФП) и темновой проводимости (ТП) нелегированных пленок a-Si:H во время и после освещения белым светом, а также температурных зависимостей отожженных и предварительно освещенных пленок.Было установлено, что при высоких температурах изменения ФП и ТП пленок со временем имеют сложные зависимости от интенсивности освещения и температуры во время освещения, что связано с наличием быстрых и медленных фотоиндуцированных процессов. Установлено, что при комнатных температурах превалирует быстрый процесс, обуславливающий понижение ФП и ТП во время освещения и связанный с образованием оборванных связей кремния в нижней половине запрещенной зоны. При температурах выше 400К преобладает медленный процесс, обуславливающий повышение ФП и ТП. Проводится анализ полученных результатов.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна