|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Теисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы молодых ученых и специалистов "Кремний-2011"
- Тезисы
- Год издания: 2011
- Место издания: М.: Изд.дом "МИСиС" г. Москва
- Первая страница: 218
- Последняя страница: 218
- Аннотация: Установлено влияние спектрального состава поглощаемого света на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si:H. Это влияние связано с межзонной или же смешанной генерацией носителей тока, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов вследствие изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней - оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоистых пленках a-Si:H с малой врожденной концентрацией оборванных связей кремния при смешанной генерации носителей рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна