Аннотация:Установлено влияние спектрального состава поглощаемого света на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si:H. Это влияние связано с межзонной или же смешанной генерацией носителей тока, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов вследствие изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней - оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоистых пленках a-Si:H с малой врожденной концентрацией оборванных связей кремния при смешанной генерации носителей рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур.