|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Spectra of photo- and electroluminescence of bismuth-doped Pb1-xSnxTeстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2013 г.
- Авторы: Aitikeeva T.D., Lebedev A.I., Yunovich A.E., Herrmann K., Jalyschko A.W., Schafer P.
- Журнал: Physica status solidi (A): Applied research
- Том: 67
- Номер: 1
- Год издания: 1981
- Издательство: Academic Press
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 171
- Последняя страница: 175
- DOI: 10.1002/pssa.2210670116
- Аннотация: Bi-doping of Pb1–xSnxTe (x = 0.1 to 0.22) with NBi ≈ n ≦ 1019 cm−3 results in a peak shift of photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) spectra to higher energies and in broadening the halfwidth of the stimulated lines in the temperatures range 20 to 200 K. The comparison of PL and EL spectra allows to determine the active layer position in lasing heterostructures n-Pb1–xSnxTe(Bi)/p-Pb1–xSnxTe/p-PbTe, using the shift of lasing peak in undoped and Bi-doped samples.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович