|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
On the nature of photo-induced defects and recombination mechanisms in light-soaked a-Si:H filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N.
- Журнал: Journal of Non-Crystalline Solids
- Том: 164
- Номер: 1
- Год издания: 1993
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 631
- Последняя страница: 634
- DOI: 10.1016/0022-3093(93)90631-7
- Аннотация: Results of measurements of the temperature dependence of the photoconductivity and intensity-current characteristics of undoped a-Si:H films light-soaked at various temperatures are presented. The observations support the assumption of the introduction of t-centers in addition of the conventional dangling bonds playing an important role in the recombination. The electronic energy spectrum and recombination properties of intimate dangling-bond pairs are discussed and it is argued that such complexes may be the t-centers introduced at light soaking.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна