О механизмах рассеяния электронов в халькогенидах свинцастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Подробно исследована температурно-зависящая часть удельного сопротивления в образцах халькогенидов свинца и их твердых растворов n-типа проводимости (n=1017-1020 см-3). Показано, что кривые d{\rho}/dT(T) хорошо описываются в предположении существования двух процессов рассеяния, характеризуемых следующими зависимостями квадрата матричного элемента от температуры и переданного импульса: |M1|2 ~ kT q0 и |M2|2 ~ (kT)2 q-2 (T >~ 30 K). Обнаружены новые экспериментальные закономерности, не укладывающиеся в рамки существующих моделей рассеяния свободных носителей в халькогенидах свинца.