Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
STUDY OF DEFECT-FORMATION IN SILICON-CARBIDE UNDER THE EXCIMER LASER-PULSE EFFECT BY THE CHANNELING TECHNIQUE
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Авторы:
Burdel K.K.
,
Akhmanov A.S.
,
Poroikov A.Y.
,
Suvorov A.V.
,
Chechenin N.G.
Журнал:
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
Том:
16
Номер:
3
Год издания:
1990
Первая страница:
71
Последняя страница:
76
Добавил в систему:
Чеченин Николай Гаврилович