|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Особенности процессов рекомбинации в легированных пленках гидрированного аморфного кремниястатья
- Авторы: Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Читая К.Б.
- Журнал: Известия вузов СССР, Физика
- Номер: 6
- Год издания: 1987
- Первая страница: 7
- Последняя страница: 17
- Аннотация: Приведены результаты измерений температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости пленок -Si:H, легированных из газовой фазы или имплантацией ионов фосфора или бора, а также влияния предварительного освещения белым светом различной длительности на фотопроводимость. Предложена модель рекомбинации носителей в легированных пленках, учитывающая уширение уровней оборванных связей и различие коэффициентов захвата электронов и дырок на нейтральные и заряженные оборванные связи. В рамках этой модели рассмотрены зависимость стационарной межзонной фотопроводимости от равновесного уровня Ферми и возникновение температурного гашения фотопроводимости в легированных пленках после предварительного освещения.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна