|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ОСАЖДЕНИЕ И ПРЕВРАЩЕНИЯ СН3-РАДИКАЛОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ВОЛЬФРАМА ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ 300-420 Кстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.
- Авторы: Буховец В.Л., Архипов И.И., Захаров А.П., Мазуль И.В., Маханьков А.Н., Городецкий А.Е., Залавутдинов Р.Х., Внуков С.П.
- Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Термоядерный синтез
- Номер: 4
- Год издания: 2006
- Издательство: Некоммерческая организация Координационный центр Управляемый термоядерный синтез - международные проекты
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 33
- Последняя страница: 44
- Аннотация: Для изучения процессов переноса и осаждения СН3-радикалов в потоке СхНу /Н2/Н (х = 1—3, у = 1—6) была использована «струевая» методика движения газовой смеси по трубе. Источником метила и атомов водорода являлся высокочастотный (ВЧ) индукционный разряд в метане или смесях метан/водород на входе в трубу при давлении 30—100 Па и температуре 300 К. Метил переносился газовым потоком, проходил сквозь вольфрамовые вставки и осаждался на стенке трубы, кремниевых и вольфрамовых образцах, формируя полимероподобные а-С:Н-пленки. Показано, что при повышении температуры вольфрамовой вставки до 420 К (150 ºС) скорость осаждения углерода существенно понижалась за счет увеличения вероятности рекомбинации углеводородных радикалов. Однако в газовой фазе накапливались вторичные углеводородные частицы, конденсирующиеся при температуре вольфрамовой поверхности ниже 340 К (70 ºС). DEPOSITION AND TRANSFORMATIONS OF CH3 RADICALS ON TUNGSTEN SURFACE AT TEMPERATURES 300—420 K. A.E. GORODETSKY, R.Kh. ZALAVUTDINOV, S.P. VNUKOV, V.L. BUKHOVETS, I.I. ARKHIPOV, A.P. ZAKHAROV, I.V. MAZUL, A.N. MAKHANKOV. To study the processes of transport and deposition of CH3 radicals in CxHy /H2/H (x = 1—3, y = 1—6) flow the stream technique of gas mixture flowing along a tube has been used. RF inductive discharge in methane and methane/hydrogen mixture at tube inlet at pressures 30—100 Pa and temperature 300 K was a source of methyl and hydrogen atoms.
- Добавил в систему: Буховец Валентин Леонидович