|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 января 2019 г.
- Авторы: Akmaev M.A., Burbaev T.M.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 82
- Номер: 4
- Год издания: 2018
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 409
- Последняя страница: 411
- DOI: 10.3103/S1062873818040044
- Аннотация: The effect a low-temperature Si underlayer has on the photoluminescence of misfit dislocations in Si(001)Si1 – xGe x heterostructures with high Ge contents in a SiGe alloy layer is investigated. It is found that the introduction of this layer prevents the formation of dislocations in the alloy layer.
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович