|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние низкотемпературного si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого растворастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.
- Авторы: Акмаев М.А., Бурбаев Т.М.
- Журнал: Известия Российской академии наук. Серия физическая
- Том: 82
- Номер: 4
- Год издания: 2018
- Первая страница: 468
- Последняя страница: 470
- DOI: 10.7868/S0367676518040117
- Аннотация: Методом спектроскопии фотолюминесценции исследовано влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001) Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора. Обнаружено, что наличие такого слоя блокирует образование дислокаций в слое твердого раствора SiGe.
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович