|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водородетезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: СПбГПУ Санкт-Петербург
- Первая страница: 61
- Последняя страница: 62
- Аннотация: В работе приведены результаты измерений температурных зависимостей темновой проводимости, фотопроводимости и люксамперные характеристики пленок a-Si:H до и после их высокотемпературного отжига в потоке водорода. Измеренные спектры комбинационного рассеяния и спектры поглощения света в этих отожженных пленках не обнаруживают кристаллической фазы. Наличие фотопроводимости в этих пленках, имеющих большую концентрацию оборванных связей кремния, являющихся центрами рекомбинации, можно объяснить присутствием в отожженной пленке слоя с малой концентрацией оборванных связей, который и является фотопроводящим слоем. При низких температурах наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка на уровне Ферми.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна