|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of Gd2O3 concentration in Bi-containing high-temperature solutions on the luminescence of epitaxial Gd3Ga5O12 filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Randoshkin V.V., Vasil’eva N.V., Kolobanov V.N., Mikhailin V.V., Petrovnin N.N., Spasskii D.A., Sysoev N.N.
- Журнал: Inorganic Materials
- Том: 45
- Номер: 4
- Год издания: 2009
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 418
- Последняя страница: 422
- DOI: 10.1134/S0020168509040165
- Аннотация: Single-crystal gadolinium gallium garnet films have been grown by liquid-phase epitaxy on (111) Gd3Ga5O12 substrates from supercooled Bi2O3–B2O3 fluxed melts at different Gd2O3 concentrations. The luminescence spectra of the films have been measured at 10 and 300 K under unmonochromatized synchrotron X-ray excitation and selective UV synchrotron excitation. The Bi3+ luminescence is discussed.
- Добавил в систему: Михайлин Виталий Васильевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Randoshkin_et_al_2009_Effect_of_Gd2O3_Concentration_in_Bi-C… | 253,7 КБ | 14 апреля 2015 [Dmitry_Spassky] |