|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Лупачева А.Н.
- Сборник: Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
- Тезисы
- Год издания: 1989
- Место издания: г. Одесса
- Первая страница: 64
- Последняя страница: 64
- Аннотация: Исследована кинетика изменения фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H в интервале температур 180-400К при образовании метастабильных дефектов в условиях освещения пленок белым светом и их отжиге. Установлено, что кинетика изменения фотопроводимости при отжиге фотоиндуцированных дефектов описывается растянутой экспонентой, параметры которой зависят от начального состояния, температуры отжига и интенсивности подсветки. Это указывает на существенную роль диффузии водорода в процессах образования и отжига дефектов при температурах выше комнатной.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна