|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивоститезисы доклада
- Авторы: Аносов И.В., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Доклады Всесоюзной конференции “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”
- Тезисы
- Год издания: 1972
- Место издания: Издательство ”Наукова думка” г. Киев
- Первая страница: 5
- Аннотация: Обнаружено ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости. Определены размеры области излучения, длительность излучения и длина волны максимума излучения. Найдена возможность управления местом и временем излучения при использовании образцов сложной формы, основанная на использовании эффекта отражения звукового потока от области неоднородности электрического поля. Обсуждаются возможные механизмы возникновенив ИК излучения из акустоэлектрического домена.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна