|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
RAMAN LIGHT-SCATTERING INVESTIGATION OF STRUCTURAL DISORDER OF INP SINGLE-CRYSTALS IMPLANTED WITH BE+ IONSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: MIKULENOK AV, OBRAZTSOV AN, PIROGOV VG, STOYANOVA IG, TROKHIN AS
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 25
- Номер: 10
- Год издания: 1991
- Первая страница: 1085
- Последняя страница: 1086
- Аннотация: An investigation was made of the Raman scattering of light in InP single crystals with different crystallographic orientation of the surface and implanted with Be+ ions. Changes in the parameters of the Raman spectra indicated that implantation resulted in gradual disordering of the surface region of a crystal and produced a layer consisting of microcrystals.
- Добавил в систему: Образцов Александр Николаевич