CHANNELED ION-IMPLANTATION OF AS+ IN SILICON AT 300-DEGREES-Cстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 мая 2019 г.
Авторы:
GALKIN GN,
DRAVIN VA,
EPIFANOV MS,
KHAMDOKHOV ZM,
KULIKAUSKAS VS