|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
CHANNELED ION-IMPLANTATION OF AS+ IN SILICON AT 300-DEGREES-Cстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 мая 2019 г.
- Авторы: GALKIN GN, DRAVIN VA, EPIFANOV MS, KHAMDOKHOV ZM, KULIKAUSKAS VS
- Журнал: Radiation Effects and Defects in Solids
- Том: 77
- Номер: 1-2
- Год издания: 1983
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 57
- Последняя страница: 66
- Добавил в систему: Куликаускас Вацловас Станиславович